VISHAY GS6332 and GS6333 数据手册 本文档介绍了GS6332和GS6333两款系统监控芯片，这两款芯片均采用SOT-23封装，工作电流小于3µA，支持1.8V和2.5V两种供电电压，可监控电源电压是否正常，并在电源电压异常时向主处理器发送复位信号。
VISHAY TZM5221B...TZM5267B 数据手册 TZM5221B 和 TZM5267B 都是 Vishay Telefunken 生产的硅 Z 二极管。它们具有非常尖锐的反向特性、非常高的稳定性、与 1N5221B 和 1N5267B 的设备相同的电气数据、较低的反向电流水平以及 ±5% 的 VZ 公差。它们的应用包括电压稳定。
VISHAY TSAL7300 数据手册 TSAL7300 Vishay Telefunken 是高效率的红外发射二极管,采用GaAlAs on GaAs 技术, 在类似波长下实现超过 100% 的发射功率增强。
VISHAY Si9183 数据手册 Si9183是Vishay Siliconix推出的一款高性能、节省空间的150-mA CMOS LDO（低压差）稳压器。其超低地线电流和压差电压可延长便携式电子设备中的电池寿命。该器件提供了优于双极性或BiCMOS LDO稳压器的LINE/LOAD瞬态响应和纹波抑制。它旨在在提供300-mA峰值电流的同时保持稳压。Si9183驱动更低成本的陶瓷和钽电容器。从最大负载电流到0-mA负载，保证稳定性。连接到器件的CBP引脚的外部噪声旁路电容器将降低LDO的自噪声，以实现低噪声应用。Si9183包括一个关断功能，允许用户在不需要时禁用器件。
VISHAY Si7991DP 数据手册 该文件介绍了一款新型的低热阻PowerPAK封装的TrenchFET功率MOSFET产品，适用于负载开关应用，如笔记本电脑、台式电脑和游戏站等。产品特点包括低1.07毫米的封装高度和双P通道30V MOSFET结构。
VISHAY Si7909DN 数据手册 Vishay Siliconix Si7909DN 是双 P 通道 12 V (D-S) MOSFET，具有 1.8 V 额定电压、新的低热阻 PowerPAK® 封装、先进的高电池密度工艺、超低 rDS(on) 和高 PD 能力。它适用于负载开关、PA 开关、电池开关和双向开关。
VISHAY Si4862DY 说明书 该文件介绍了Vishay Siliconix的Si4862DY N通道16V MOSFET产品的特性和特点。它具有2.5V额定电压、低3.3mΩ的rDS(on)、低门阻抗和100% RG测试。该产品适用于同步整流和低输出电压同步整流应用。
VISHAY Si1901DL Data Sheet Si1901DL 是 Vishay Siliconix 推出的新品，是一款 P 通道 20-V (D-S) MOSFET。其主要特性包括：额定漏源电压为 -20 V，漏源电阻为 3.8 @ VGS = -4.5 V，连续漏源电流为 -180 A。
VISHAY 440L, 30LV, 30LVS, 25Y, 125L, 20VL Series Data Sheet 本资料介绍了Vishay Cera-Mite 440L，30LV，30LVS，25Y，125L和20VL系列电容器的性能数据，包括应用电压范围、介电强度、损耗因子、绝缘电阻、机械数据、温度特性、额定电压、认证等。
VISHAY BZX84-V Sereis 数据手册 该产品是一款BZX84-V系列的小信号齐纳二极管，它符合RoHS和WEEE标准，具有铅（Pb）无铅成分，封装方式为SOT-23，重量约为8.8毫克。
VISHAY BYG20 说明书 BYG20是Vishay Telefunken生产的一种硅平面肖特基二极管，具有低反向电流、软恢复特性、快速反向恢复时间、良好的开关特性、可波峰焊和回流焊。主要应用于表面贴装、快速整流、开关电源中的续流二极管和钳位二极管。
