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ROHM US6T5 Data Sheet

US6X5 是 ROHM 公司生产的一款低频功率晶体管，其最大集电极电流可以达到 2A，最小饱和压降可以达到 370mV。

该文档介绍了US6X6 Transistors Rev.B 1/2低频放大器的特点和特性，包括大的集电流、最大350mV的饱和电压等。

该文件介绍了ROHM Co., Ltd.的4V Drive Pch MOSFET UM6J1N的特点和特性，包括两个RSU002P03晶体管在单个UMT封装中的独立性、减少安装成本和面积等。

UM6K34N是一款低成本、低功耗的Nch+Nch MOSFET，适用于便携式设备。

该文档介绍了ROHM公司的UM6K33N MOSFET产品的特点和特性，包括高速开关、小封装、超低电压驱动等。

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US6K1是ROHM公司生产的一款N通道MOSFET，具有低压驱动、小型封装、低导通电阻等特点。

US6K2是4V驱动的Nch+Nch MOSFET，具有高开关速度和低开关电阻。

US6K4是Toshiba公司生产的一款1.8V驱动Nch+Nch MOSFET，具有高转速开关、低开启电阻的特点，适用于开关应用场景。

该文件介绍了ROHM公司的1.5V驱动Nch+Pch MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、低电压驱动、内置G-S保护二极管等。适用于内部电路开关等应用。

US6M1 Transistors Rev.B是一种具有低导通电阻、内置G-S保护二极管和小型表面贴装封装的硅N沟道/ P沟道MOSFET。它适用于电源开关和DC / DC变换器。

US6M2 Nch+Pch MOSFET是双通道MOSFET，具有低压驱动、高开关速度、低导通电阻的特点。

US5U1 Nch+SBD MOSFET是安森美半导体推出的一款低压驱动MOSFET器件，具有高开关速度、低导通电阻、低压驱动、内置低VF肖特基二极管等特点，适用于开关电源应用。

该文件介绍了US5U2 Transistors Rev.B 1/4 4V Drive Nch+SBD MOSFET的特点和特性，包括高速开关、低导通电阻、4V驱动和内置低VF肖特基二极管。

US5U3 是一种高压、低压驱动、低压降、高开关频率的 Nch+SBD MOSFET 器件。该器件采用 TUMT5 封装，内置低 VF 肖特基二极管，可广泛应用于开关电源、DC/DC 转换器、LED 驱动、电机驱动等领域。