安森美 说明书

ON Semiconductor 2N5060 Series 数据手册

2N5060系列敏感栅极硅控整流器反向阻塞晶闸管，是一种设计用于高容量消费应用的环形PNPN器件，如继电器和灯光驱动器、小型电机控制、大型晶闸管的门驱动器和传感和检测电路。

ON Semiconductor NCP803 Very Low Supply Current 3-Pin Microprocessor Reset Monitor 数据手册

NCP803是一款低功耗系统监控电路，用于监控数字系统中的VCC，并在必要时向主处理器提供复位信号。无需外部元件。复位输出在VCC下降到复位电压阈值以下10µ秒内被驱动为活动状态。复位在VCC上升到复位阈值以上后至少保持140ms处于活动状态。NCP803具有开漏低电平复位输出。NCP803的输出保证在VCC = 1.0 V下有效，并以SOT-23封装提供。NCP803经过优化，可拒绝VCC线上的快速瞬态故障。低供电电流1.0 µA（VCC = 3.2 V）使该器件适用于电池供电应用。

ON SEMICONDUCTOR MKPV120 Data Sheet

本文件介绍了MKP3V120/D双向触发器的特点特性，包括最大额定值、应用、标记等。

ON Semiconductor MMBZ5V6ALT1 Series 数据手册

这是一款可用于ESD保护的24和40瓦峰值功率的齐纳瞬态电压抑制器，采用SOT-23双共阳极齐纳设计，可使用单一封装保护两条独立线路

ON Semiconductor MECHANICAL CASE OUTLINE 数据手册

该文件描述了一种10引脚翻转芯片，采用4:1座椅平面，尺寸和公差符合ASME Y14.5M标准。产品具有特定的尺寸和标记信息。

ON SEMICONDUCTOR NCV4279B 数据手册

NCV4279B是一款5.0 V精密微功率电压稳压器，输出电流能力为150 mA。输出电压精度在±2.0%以内，在150 mA时的最大丢失电压为0.6 V。低静态电流是其特点，仅需90μA，并带有100μA负载。该产品非常适合于任何电池操作的微处理器设备。微处理器控制逻辑包括一个带有延迟的主动复位和一个FLAG监视器，可用于向微处理器提供潜在复位信号的早期警告信号。使用FLAG监视器可以使微处理器在复位关闭微处理器之前完成任何信号处理。主动复位电路在输出电压低至1.0 V时能正常工作。复位功能在上电序列期间或在输出电压超出调节限制时进行激活。通过连接到RADJ引脚的外部电阻分压器可以降低复位阈值电压。该稳压器具有反向电池、短路和过热保护功能。该器件能够承受负载转储瞬变，适用于汽车环境。该器件还经过了优化以适应EMC条件。

ON Semiconductor 1SMA5913BT3 Series 数据手册

1SMA5913BT3是一款1.5瓦塑料表面贴装齐纳电压调节器。

ON SEMICONDUCTOR DTC114E SERIES Data Sheet

该数据表格详细列出了DTC114E/D数字晶体管的最大额定值、温度特性、设备标记和电阻值等参数。

ON Semiconductor NUP4103FC 数据手册

NUP4103FC是一种集成的暂态电压抑制器（TVS）器件，设计用于需要瞬态过压保护的应用。它适用于敏感的便携设备和其他应用。其集成设计只使用一个封装即可为四条独立线路提供非常有效和可靠的保护。这些器件非常适合板上空间有限的情况。

ON SEMICONDUCTOR ON SEMICONDUCTOR 数据手册 数据手册

NCV8504是一系列精密微功耗电压调节器，输出电流能力为400mA。该系列有可调节、2.5V、3.3V和5.0V的输出电压选项。输出电压精度在±2.0%内，最大的辍压为0.6V（在400mA下）。低静态电流仅为100µA，负载为100µA时。该器件非常适用于所有电池操作的微处理器设备。微处理器控制逻辑包括一个带有延迟的主动复位电路。主动复位电路在输出电压低至1.0V时也能正常工作。如果输出电压低于规定范围，复位功能将在上电序列或正常操作期间被激活。复位阈值电压可以通过连接到RADJ引脚的外部电阻分压器进行降低。通用比较器（FLAG/监视器）参考到一个温度稳定的电压，并在其开漏输出上提供1mA的驱动电流。该调节器受到反向电池、短路和过热的保护。该器件可以承受负载转储瞬变，适用于汽车环境。该器件还针对电磁兼容性条件进行了优化。

ON SEMICONDUCTOR NCP1397A, NCP1397B 数据手册

NCP1397是一款高性能控制器，可用于半桥谐振拓扑，包括串联谐振、并联谐振和LLC谐振转换器。它集成了600V的门极驱动器，简化了布局并减少了外部组件数量。NCP1397具有独特的架构，包括一个500kHz的电压控制振荡器，其控制模式在需要ORing功能时提供了灵活性，可构建可靠和坚固的谐振模式电源。

ON SEMICONDUCTOR MSB710−RT1 Data Sheet

MSB710-RT1是Semiconductor Components Industries, LLC公司生产的PNP型通用放大器，最大集电极-发射极击穿电压为-50V，最大集电极-基极击穿电压为-60V，最大发射极-基极击穿电压为-7.0V，最大集电流为-500mA，最大峰值集电流为-1.0A。

ON SEMICONDUCTOR MC33340, MC33342 数据手册(1)

MC33340/D MC33340, MC33342 电池快速充电控制器是专为镍镉 (NiCd) 和镍金属氢化物 (NiMH) 电池设计的快速充电控制器

ON SEMICONDUCTOR NCP3065, NCV3065 数据手册

NCP3065是高亮度LED恒流驱动器，具有235mV低反馈电压，宽输入电压范围，可配置为步降型和步升型开关电源

ON SEMICONDUCTOR MC33340, MC33342 数据手册

MC33340和MC33342是专为镍镉（NiCd）和镍氢（NiMH）电池设计的快速充电控制器。这些设备采用负斜率电压检测作为快速充电终止的主要方法。通过一个短暂中断充电电流进行精确的电压采样，确保准确的检测。另外，还可以选择额外的备用终止方法，包括可编程的时间或温度限制。保护功能包括电池过充和欠压检测、锁存的过温检测以及带有滞后的电源输入欠压锁定。MC33340和MC33342之间唯一的区别是快速充电的等待时间，MC33340的典型等待时间为177秒，MC33342的典型等待时间为708秒。