IXYS VUO 110 Three Phase Rectifier Bridge 数据手册 本文件是关于IXYS 110-12NO7型二极管的数据手册，介绍了该二极管的特点特性，包括封装形式、最大电流、反向电压、正向电压、工作温度、绝缘电压等
IXYS VUO 120 VUO 155 Three Phase Rectifier Bridge 数据手册 这份文档介绍了IXYS公司的产品特点和特性，包括焊接连接、隔离电压、方便的封装外形、适用于波峰焊接、高温和功率循环能力等。
IXYS VUO 121-16NO1 Three Phase Rectifier Bridge 数据手册 VUO 121-16 NO1 是一种三相整流桥，具有 1600 V 的最大额定电压和 118 A 的额定电流。它具有 3000 V~ 的绝缘电压和 6 mm 的爬行距离和冲击距离。该产品适用于驱动逆变器的输入整流器。
IXYS VUO 52 Three Phase Rectifier Bridge 数据手册 该数据表格提供了52-08NO1、52-12NO1、52-14NO1、52-16NO1、52-18NO1五款产品的参数信息，包括额定电流、额定反向电压、反向漏电流、正向压降、热阻等。
IXYS IXGX50N60AU1 IXGX50N60AU1S 说明书 本数据手册介绍了HiPerFASTTM VCES = 600 V IGBT with Diode Combi Pack的特性和参数
IXYS HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 Lightspeed 2 Series (Electrically Isolated Back Surface) IXGR 60N60C2 IXGR 60N60C2D1 数据手册 IXGR 60N60C2和IXGR 60N60C2D1是IXYS推出的两款高性能IGBT器件，采用TO-247AD封装，具有高电流处理能力、DCB隔离安装片以及最新一代HDMOSTM工艺。
IXYS IXGR 40N60C IXGR 40N60CD1 HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 (Electrically Isolated Backside) 数据手册 本文件介绍了 HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM 的产品特性，包括电压范围、电流范围、饱和压降、开关损耗等。
IXYS IXGR 35N120B IXGR 35N120C 数据手册 IXGR 35N120B 是 IXYS 的 IGBT 产品，其最大额定电压为 1200 V，最大额定电流为 70 A，最大额定功率为 200 W。该产品采用 TO-247AD 封装，具有高电流处理能力、MOS 门极开启 - 驱动简单、易于组装和高功率密度等特点。
IXYS IXGR IXGR 32N60CD1 数据手册 本文件是关于IXYS公司的HiPerFASTTM IGBT with Diode ISOPLUS247TM的技术参数手册。该产品具有高电流处理能力，可用于UPS、开关模式和谐振模式电源、AC电机速度控制、DC伺服和机器人驱动、DC斩波器等应用。
IXYS IXGP12N60U1 数据手册 该产品是一款IGBT器件，采用国际标准JEDEC TO-220 AB封装，具有低导通损耗、MOS门驱动简单、快速恢复二极管软恢复等特点，可应用于AC电机速度控制、DC伺服和机器人驱动、DC斩波器、不间断电源（UPS）、开关模式和谐振模式电源等领域。
IXYS IXGN 50N60BD2 IXGN 50N60BD3 数据手册 本文件为XYS公司生产的一款IGBT模块的详细参数手册，该模块采用国际标准的miniBLOC封装，具有高功率耗散、高绝缘电压、高电流、低导通压降等特点，适用于交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器、降压转换器等场合
