intersil 说明书

ISL6608 is a high frequency, MOSFET driver optimized to drive two N-Channel power MOSFETs in a synchronous- rectified buck converter topology.

ISL6609, ISL6609A是Intersil公司的一款高频MOSFET驱动器，专门用于驱动两个N通道功率MOSFET，以构建同步整流降压转换器拓扑。该驱动器与Intersil ISL63xx或ISL65xx多相PWM控制器配合使用，可形成一个完整的单级核心电压调节器解决方案，在高频开关时具有高效率性能，适用于先进的微处理器。该IC由单个低压电源（5V）偏置，可最大限度地减少高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。每个驱动器都能够以小于10ns的上升/下降时间驱动3nF负载。通过内部低正向压降二极管实现上栅极驱动器的引导，降低了实现成本、复杂性，并允许使用高性能、高性价比的N通道MOSFET。集成了自适应开关保护，防止两个MOSFET同时导通。ISL6609, ISL6609A的下栅极驱动器典型吸收电流为4A，可增强下MOSFET栅极在PHASE节点上升沿时的保持抑制能力，防止由于开关节点的高dv/dt而导致的下MOSFET的自激开关造成的功率损失。ISL6609, ISL6609A还具有一个识别高阻状态的输入，与Intersil多相PWM控制器配合使用，可防止受控输出上的负瞬变。

ISL6610, ISL6610A 双同步整流MOSFET驱动器

ISL6611A是一种具有集成驱动器和相位泄露功能的相位倍增器。它可以通过单个PWM输入调制两相电源，将Intersil的ISL63xx多相控制器支持的相位数翻倍。同时，当使能引脚（EN_PH）被拉低时，PWM线可以被拉高，以禁用相应相位或更高相位，从而简化了相位泄漏的实现。为了简化布局并提高系统性能，该器件集成了两个5V驱动器（ISL6609）和电流平衡功能。ISL6611A旨在最小化控制器和驱动器之间的模拟信号数量，适用于高相位计数和可扩展应用。不需要常规级联配置中通常见到的公共COMP信号，这提高了抗干扰性能并简化了布局。此外，与传统的级联技术相比，ISL6611A具有低零件数量和低成本优势。该IC由单一低压供电（5V）偏置，最大限度地降低了在高MOSFET栅电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。通过内部低正向降压二极管实现了上升驱动器的自适应断线保护，从而降低了实施成本和复杂性，并允许使用性能更高、成本更低的N沟MOSFET。

ISL6614B是一款具有预电源过压保护功能的双高级同步整流Buck MOSFET驱动器。它能够驱动两个通道的MOSFET，在同步整流Buck变换器拓扑中发挥作用。该驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相Buck PWM控制器和N沟道MOSFET结合使用，可以构成先进微处理器的完整核心电压调节器解决方案。ISL6614B具有7V上升阈值，可以同时驱动上下栅极，电压范围为5V至12V。这种驱动电压提供了优化应用的灵活性，可以在栅电荷和导通损耗之间进行权衡。该驱动器经过优化，适用于IBA系统的POL DC/DC转换器。它集成了先进的自适应零间隙保护功能，可以防止上下MOSFET同时导通，并最小化死区时间。此产品在VCC超过其开启阈值之前即可实现过压保护，此时PHASE节点被连接到低侧MOSFET（LGATE）的栅极。

ISL6615是一款高频MOSFET驱动器，可优化驱动上功率N-通道MOSFET和下功率N-通道MOSFET，用于同步整流降压转换器拓扑。

ISL6615A是ISL推出的一款高频MOSFET驱动器，可驱动上、下电源N通道MOSFET，应用于同步整流降压转换器拓扑。ISL6615A与Intersil数字或模拟多相PWM控制器结合在一起，形成完整的高频和高效率电压调节器。ISL6615A驱动上、下栅极，范围为4.5V至13.2V。这种驱动电压提供了必要的灵活性，以优化涉及栅极电荷和导通损耗之间的权衡的应用。ISL6615A的低侧栅极驱动器具有6A典型吸收电流，可增强低侧MOSFET栅极在PHASE节点上升沿时的保持能力，防止由于开关节点高dV/dt引起的低侧MOSFET自开启引起的功耗损失。集成了先进的自适应零开关保护，可防止上下MOSFET同时导通并最小化死区。ISL6615A在VCC超过其开启阈值之前包含一个过电压保护功能，此时PHASE节点连接到低侧MOSFET（LGATE）的栅极。然后，转换器的输出电压由低侧MOSFET的阈值限制，如果上侧MOSFET短路，则为负载提供一些保护。ISL6615A还具有一个检测高阻抗的输入。

ISL6620, ISL6620A是Intersil为VR11.1控制器设计的一款高频MOSFET驱动器，用于在同步整流Buck转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET，具有先进的PWM协议，能够与Intersil VR11.1控制器配合使用，并与N沟道MOSFET结合，形成完整的先进微处理器核心电压调节器解决方案。ISL6620, ISL6620A检测到Intersil VR11.1控制器发送的PSI协议时，会激活二极管仿真(DE)操作；否则，它将以正常的连续导通模式(CCM)PWM模式运行。该器件由单个低电压电源(5V)偏置，可最小化高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动损耗。每个驱动器都能以小于10ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器的引导通过内部低正向压降二极管实现，降低了实现成本和复杂性，并允许使用性能更高、成本更有效的N沟道MOSFET。为了进一步提高效率和降低成本，ISL6620, ISL6620A采用了单电源供电、高开关频率、高栅极驱动电流和增强的EMI抑制等技术。

ISL6622是Intersil推出的一款用于驱动上、下电源N沟道MOSFET的高频MOSFET驱动器，适用于同步整流降压转换器拓扑。ISL6622的先进PWM协议专为与Intersil VR11.1控制器配合使用而设计，与N沟道MOSFET配合使用，可构成一个完整的先进微处理器核心电压调节器解决方案。当ISL6622检测到由Intersil VR11.1控制器发送的PSI协议时，它将激活二极管仿真（DE）和门极电压优化技术（GVOT）操作；否则，它将以正常的连续导电模式（CCM）PWM模式运行。在8 Ld SOIC封装中，ISL6622在正常PWM模式下将上、下栅极驱动到VCC，而在PSI模式下，下栅极会下降到一个固定的5.75V（通常）。10 Ld DFN器件提供了更多的灵活性：上栅极可以通过UVCC引脚从5V至12V进行驱动，而下栅极在PSI模式下具有可通过电阻选择的5.75V、6.75V和7.75V（通常）的驱动电压。这提供了必要的灵活性，以优化应用。

ISL6622A是Intersil推出的一款高频MOSFET驱动器，用于驱动上、下功率N通道MOSFET，以实现同步整流Buck转换器拓扑。ISL6622A的先进PWM协议专门设计用于与Intersil VR11.1控制器配合使用，结合N通道MOSFET，构成用于先进微处理器的完整核心电压调节器解决方案。当ISL6622A检测到由Intersil VR11.1控制器发送的PSI协议时，它会激活二极管仿真（DE）操作；否则，它会在正常连续导通模式（CCM）PWM模式下运行。在8 Ld SOIC封装中，ISL6622A驱动上门极到12V，而下门极可以从5V到12V驱动。10 Ld DFN部分允许更多灵活性。上门可以使用UVCC引脚从5V到12V驱动，下门也可以使用LVCC引脚从5V到12V驱动。这提供了必要的灵活性，以优化涉及门电荷和导通损耗之间的权衡的应用。ISL6622A还提供了一个用于减小EMI的额外启动电流控制功能。

ISL6622B是ISL为VR11.1控制器设计的一款高频MOSFET驱动器，用于驱动上、下功率N通道MOSFET，在同步整流buck转换器拓扑中工作。当ISL6622B检测到由VR11.1控制器发送的PSI PWM协议时，它会激活二极管模拟（DE）操作；否则，它将以正常连续导通模式（CCM）PWM模式运行。ISL6622B在8 Ld SOIC封装中将上门驱动到12V，而下门驱动电压固定为5.75V。10 Ld DFN器件具有更大的灵活性：上门可以通过UVCC引脚从5V到12V驱动，而下门具有可选电阻选择的驱动电压5.75V、6.75V和7.75V（典型值）。这为优化涉及门电荷和导通损耗折衷的应用提供了必要的灵活性。ISL6622B采用高频、高效率的同步整流buck转换器拓扑，可提供优异的轻负载效率。

PX3511A和PX3511B是高频MOSFET驱动器，专门设计用于驱动同步整流降压转换器拓扑结构中的上下功率N沟道MOSFET。这些驱动器与ISL6595数字多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET结合使用，形成了先进微处理器的完整核心电压调节器解决方案。PX3511A将上层门极驱动到12V，而下层门极可以独立地在5V至12V的范围内驱动。PX3511B可以在5V至12V的范围内驱动上下层门极。这种驱动电压提供了在栅电荷和导通损耗之间优化应用的灵活性。集成了自适应零击穿保护，可防止上下MOSFET同时导通，并最小化死区时间。这些产品在VCC超过开启阈值之前就具有过压保护功能，此时PHASE节点连接到低侧MOSFET（LGATE）的门极。然后，转换器的输出电压受到低侧MOSFET阈值的限制，如果在初始启动期间上层MOSFET（S）短路，这为微处理器提供了一定的保护。

PX3511D 是高频 MOSFET 驱动器，专门设计用于驱动同步整流降压转换器拓扑中的上侧和下侧功率 N 通道 MOSFET。

ZL1505是Intersil公司出品的同步降压MOSFET驱动器，内置5A、0.5W低侧驱动器和3A、0.8W高侧驱动器，能够支持高阶降压应用。

EL7202, EL7212, EL7222是匹配的双通道功率MOSFET驱动器，可提高行业标准DS0026时钟驱动器的运行效果。这些EL7202、EL7212、EL7222芯片是非常高速的驱动器，能够将峰值电流传输到高电容负载中。通过专有的“Turbo-Driver”电路，利用输出的更宽电压摆幅加速了输入级的速度，实现了高速性能。匹配的上升和下降延迟时间提高了速度和驱动能力。这些匹配延迟时间可保持输入到输出脉冲宽度的完整性，减少定时错误和时钟偏移问题。与双极驱动器相比，供电电流减少了10倍，但不会出现常见的CMOS器件延迟问题。采用非重叠驱动技术，最小化了动态开关损耗。