GENERAL SEMICONDUCTOR AZ23-C2V7 THRU AZ23-C51 数据手册 该文件介绍了AZ23-C2V7 THRU AZ23-C51双向稳压二极管的特点和特性。该二极管采用双硅平面结构，共阳极设计。它符合国际E24标准，具有分级的稳压电压。该二极管的参数适用于一个封装内的两个二极管，两个二极管的∆VZ和∆rzj小于5%。此外，该二极管还可以在其他封装和配置中获得，包括型号为DZ23的双向稳压二极管共阴极配置，型号为BZX84C的单向稳压二极管SOT-23封装，以及型号为BZT52C的单向稳压二极管SOD-123封装。
general semiconductor GFB75N03 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 说明书 GFB75N03 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET是意法半导体公司生产的一款低压DC/DC转换器，具有高密度电池设计、超低关断电阻、快速开关和高效率等特点。
GENERAL SEMICONDUCTOR DF005S THRU DF10S MINIATURE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER 数据手册 这份文件介绍了DF005S至DF10S系列的迷你玻璃钝化单相表面贴装整流器。其特点包括塑料封装具有UL94V-0防火等级、玻璃钝化芯片结构、高浪涌过载能力、适用于印刷电路板、高温焊接性能以及各项最大额定值和电气特性。
GENERAL SEMICONDUCTOR BAT42W/BAT43W 数据手册 Schottky二极管是一种具有低通态电压和快速开关特性的二极管。该文件介绍了BAT42W和BAT43W型号的特点和机械数据，包括尺寸、重量和最大额定值。这些二极管具有反向击穿电压、正向连续电流和重复峰值正向电流等电气特性。此外，它们还具有保护性二极管，可防止过高电压引起的损害。这些二极管可用于一般用途应用。
GENERAL SEMICONDUCTOR GBPC12, 15, 25 AND 35 SERIES 数据手册 GBPC12, 15, 25和35系列玻璃钝化单相桥式整流器，反向电压为50至1000伏，电流电压为12.0至35.0安培
GENERAL SEMICONDUCTOR BYV28-50 THRU BYV28-200 GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER Reverse Voltage - 50 to 200 Volts Forward Current - 3.5 Amperes 数据手册 BYV28-50 THRU BYV28-200是玻璃钝化快速高效整流器，反向电压为50至200伏，正向电流为3.5安培。该产品具有高温冶金键合结构、玻璃钝化无腔结、超快恢复时间、低正向电压和高电流能力，可以满足MIL-S-19500的环境标准，并且具有低泄漏电流、高浪涌能力和高温焊接保证。
GENERAL SMAJ5.0 THRU SMAJ170CA SURFACE MOUNT TRANSZORB™ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 数据手册 SMAJ5.0至SMAJ170CA是表面贴装式TransZorb™瞬态电压抑制器，其特点是具有优化的局域网保护应用、符合IEC 1000-4-2（IEC801-2）标准的数据线ESD保护、符合IEC1000-4-4（IEC801-4）标准的数据线EFT保护、具有UL 94V-0防燃塑料包装、玻璃钝化结构、优异的夹持能力、低增量浪涌电阻、快速响应时间等特性。
GENERAL SEMICONDUCTOR UG4A THRU UG4D 说明书 UG4A到UG4D超快高效塑料整流器，反向电压为50至200伏特，正向电流为4.0安培。具有94V-0的防火等级，非常适用于高频开关电源、逆变器和自由轮二极管。超快恢复时间，高效率。软恢复特性，优异的高温开关性能。玻璃钝化结构。高温焊接可靠性：250°C/10秒，引线长度0.375英寸（9.5毫米），受力5磅（2.3千克）。
GENERAL SEMICONDUCTOR MMBZ4681 THRU MMBZ4717 说明书 MMBZ4681 THRU MMBZ4717 ZENER DIODES MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS，该数据表提供了MMBZ4681 THRU MMBZ4717 ZENER DIODES 的最大额定值和电气特性。
GENERAL SEMICONDUCTOR BAV19W THRU BAV21W 数据手册 BAV19W THRU BAV21W是德州仪器生产的一款小信号二极管产品，主要特性为反向电压为120V-250V，最大正向电流为250mA，最高工作温度为150℃。
GENERAL Semiconductor BZV55 SERIES 数据手册 BZV55系列齐纳二极管是硅平面功率齐纳二极管，用于作为低压稳压器或电压参考。齐纳电压按国际E 24标准分级。可根据要求提供更高的齐纳电压和1%的公差。
