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CYPRESS CY2SSTU32864 说明书

该文件介绍了CY2SSTU32864数据寄存器的特点特性，包括工作频率、支持的DDRII SDRAM、两种操作模式、工作电压、兼容性等。

CYPRESS FastEdge Series CY2DP3120 数据手册

该数据手册介绍了1:20差分时钟/数据扇出缓冲器FastEdge™系列CY2DP3120的功能特点。

CYPRESS CY7C374i 数据手册

Cypress UltraLogic™ 128-Macrocell Flash CPLD，型号为CY7C374i，是一款可在系统中重新编程的复杂可编程逻辑器件（CPLD），它具有128个宏单元，64个I/O引脚，5个专用输入，包括4个时钟引脚，In-System Reprogrammable（ISR™）Flash技术，JTAG接口，Bus Hold功能，无隐藏延迟，高速度。它完全符合PCI标准，并且可在3.3V或5.0V I/O操作下工作。它有84-pin PLCC、84-pin CLCC和100-pin TQFP三种封装，并且与CY7C373i兼容。

CYPRESS CY7C1021BV33 说明书

CY7C1021BV33是Cypress Semiconductor Corporation生产的一款高速CMOS静态RAM，具有3.3V工作电压、tAA=10/12/15ns、低功耗等特点，封装形式为44-pin TSOP II和400-mil SOJ以及48-Ball Mini BGA

CYPRESS CY7C024/0241, CY7C025/0251 数据手册

该数据手册介绍了CY7C024/0241和CY7C025/0251低功耗CMOS 4K x 16/18和8K x 16/18双端口静态RAM的功能

CYPRESS CY62256 说明书

CY62256V是Cypress Semiconductor Corporation推出的一款256K (32K x 8) Static RAM，具有低工作电压、低功耗、易于扩展等特点。

CYPRESS Delta39K ISR CPLD Family 说明书

Delta39K系列CPLD具有高密度、高速度、低功耗、简单的定时模型、灵活的定时、多种I/O标准、兼容性好等特点。

CYPRESS SEMICONDUCTOR CY7C109B CY7C1009B 说明书

128K x 8静态RAM CY7C109B和CY7C1009B是一款高性能CMOS静态RAM，组织成131,072个字8位，具有高速度、低功耗、低CMOS待机功耗、2.0V数据保持、自动掉电和TTL兼容输入输出等特点。

CYPRESS CY62128 Data Sheet

该文档介绍了CY62128 128K x 8静态RAM的特性，包括工作电压、功耗、自动掉电功能等。

CYPRESS CY7C027V/028V, CY7C037V/038V 3.3V 32K/64K x 16/18 Dual-Port Static RAM

3.3V 32K/64K x 16/18 Dual-Port Static RAM CY7C027V/028V CY7C037V/038V 是一款由 Cypress Semiconductor Corporation 公司推出的低功耗、高性能、可扩展的双端口静态随机存储器，可同时访问相同的存储位置。

CYPRESS Delta39K ISR CPLD Family CPLDs at FPGA Densities

该文档介绍了Cypress Semiconductor Corporation的CPLD系列产品Delta39K ISR的特点和特性。该系列产品具有高密度、嵌入式内存、高速操作、多种输入输出标准支持等特点。

CYPRESS CY8C29x66, CY8C27x43, CY8C24x94, CY8C24x23A, CY8C21x34, CY8C21x23 说明书

该文件提供了Cypress PSoC开发工具的选择指南，包括了Cypress PSoC的各个开发工具，如PSoC Designer、PSoC Express和PSoC Programmer等

CYPRESS SEMICONDUCTOR AN15733 Power Management - RGB Color Mixing Hardware For EZ-Color LED Controllers 数据手册

该应用笔记描述了使用EZ-Color™驱动多个高功率LED的方法，并包括使用CY8CLED16 EZ-Color设备的示例项目，以演示使用CY3261A-RGB演示板进行LED调光和颜色混合。

CYPRESS CY9C62256 说明书

CY9C62256是32K x 8磁性非易失性CMOS RAM，采用先进的磁RAM（MRAM）工艺，具有高性能和低功耗。它可以替代32K x 8电池备份（BB）SRAM、SRAM、EEPROM、FeRAM或Flash存储器，并具有自动写入保护功能。数据保留超过10年，温度范围为商业0°C至70°C，工业– 40°C至85°C。

CYPRESS CY62137CV25/30/33 MoBL、CY62137CV MoBL 数据手册

CY62137CV25/30/33 MoBL®是Cypress Semiconductor Corporation生产的高性能CMOS静态RAM，组织方式为128K个字节，16位。该产品具有超低的活动电流，非常适合于手机等便携式应用中提供更长的电池续航时间™（MoBL®）