ADVANCED 说明书 - 第6页

ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10090BLL APT10090SLL 1000V 12A 0.900W 数据手册

该文件介绍了一款产品的特点和特性，包括漏源击穿电压、开启状态漏源电流、漏源开通电阻、零门压漏源电流、门源漏电流等。

该文件介绍了一个产品的特性和测试条件，包括漏极-源极击穿电压、导通状态漏极电流、漏极-源极导通电阻、零栅极电流等。

APT10088HVR 是一款 N 通道增强型功率 MOSFET，具有 1000V 的击穿电压和 11A 的最大连续电流。该产品采用 Power MOS V 技术，可最大限度地减少 JFET 效应、提高封装密度并降低导通电阻。

Power MOS V®是一种新一代的高压N-沟道增强型功率MOSFET。这种新技术最大限度地减小了JFET效应，增加了封装密度，并降低了导通电阻。Power MOS V®还通过优化的栅极布局实现了更快的开关速度。

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APT10086BVFR是安森美生产的一款高压N通道增强型功率MOSFET，具有低压降、快速恢复体二极管、100%雪崩测试等特点。

本文件为APT10086数据手册，介绍了该产品的静态电气特性、最大额定值、可重复非重复浪涌电流、重复浪涌能量和单脉冲浪涌能量等信息。

该文件介绍了G D S产品的特点和特性，包括漏-源击穿电压、漏-源开态电阻、零栅压漏电流等。

APT10050JVFR 是 ISOTOP® 公司的一款肖特基二极管，额定电压 1000V，最大电流 19A，最大功率 0.500 W，封装类型 SOT-227。

APT10050JVR 是ISOTOP 公司生产的一种功率器件，其额定电压为1000V，持续电流为19A，导通电阻为0.500欧姆。

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APT10050JN 是 ISOTOP 公司的一款功率 MOSFET，其特点是最大电压 1000V，最大电流 50A，最大功率 500W。

该文件介绍了特定产品的特性和测试条件，包括漏极-源极击穿电压、开态漏极电流、漏极-源极开态电阻、零栅极电压漏极电流、栅极-源极泄漏电流、栅极阈值电压等。

APT10050B2VR是德州仪器公司生产的一款功率晶体管，其特点是额定电压为1000V，额定电流为21A，漏源电阻为0.500Ω，额定功率为21W，温度范围为-55℃到150℃。

APT10050B2VFR和APT10050LVFR是APT公司推出的一款新型功率MOSFET器件，其最大电压为1000V，最大电流为21A，典型阻抗为0.500欧姆。