TEXAS 说明书 - 说明书库

TEXAS INSTRUMENTS SN54ABT16657, SN74ABT16657 16-BIT TRANSCEIVERS WITH PARITY GENERATORS/CHECKERS AND 3-STATE OUTPUTS 数据手册

SN54ABT16657和SN74ABT16657是16位传输器，具有奇偶校验生成器/检查器和三态输出。它们采用先进的EPIC-ΙΙB BiCMOS设计，显著降低功耗，具有超过JEDEC标准JESD-17的抗锁定性能。该产品具有分布式VCC和GND引脚配置，最小化高速切换噪声。它采用流水线架构，优化PCB布局。输出驱动能力强，可选的封装包括塑料300毫米收缩小外形(DL)和薄收缩小外形(DGG)封装，以及采用25毫米中心到中心间距的380毫米精密陶瓷平面(WD)封装。

TEXAS INSTRUMENTS SN54ABT16646, SN74ABT16646 16-BIT BUS TRANSCEIVERS AND REGISTERS WITH 3-STATE OUTPUTS 数据手册

16位总线收发器和3态输出寄存器

TEXAS INSTRUMENTS SN54ABT16543, SN74ABT16543 16-BIT REGISTERED TRANSCEIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 数据手册

该数据表提供了有关SN54ABT16543，SN74ABT16543 16位注册收发器的详细信息。

TEXAS INSTRUMENTS SN54ABT16541, SN74ABT16541A 16-BIT BUFFERS/DRIVERS WITH 3-STATE OUTPUTS 数据手册

SN54ABT16541, SN74ABT16541A是具有3态输出的16位缓冲器/驱动器，两者均为非反相型，由两个8位缓冲器组成，每个缓冲器有两个独立的输出使能信号。

TEXAS INSTRUMENTS SN54ABT16374A, SN74ABT16374A 数据手册

SN54ABT16374A, SN74ABT16374A是16位边沿触发D型双向翻转器，具有3状态输出，专为驱动高电容或相对低电阻负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器、I/O端口、双向总线驱动器和工作寄存器。这些器件可以用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时，触发器的Q输出将采用在数据(D)输入处设置的逻辑电平。

TEXAS INSTRUMENTS SN54ABT16373A, SN74ABT16373A 数据手册

SN54ABT16373A, SN74ABT16373A是16位透明D型锁存器，具有三态输出。采用先进的EPIC-ΙΙB BiCMOS设计，显著降低功耗。抗电流突变性能超过JEDEC标准JESD-17的500 mA。在VCC = 5V，TA = 25°C条件下，典型的VOLP（输出地弹跳）小于0.8V。在上电和下电期间处于高阻态。分布式VCC和GND引脚配置可以最小化高速切换噪声。流通架构优化PCB布局。高驱动输出（-32mA IOH，64mA IOL）。包装选项包括塑料300毫米收缩小外形（DL）和薄收缩小外形（DGG）封装以及使用25毫米中心间距的380毫米细节陶瓷平面（WD）封装。

TEXAS INSTRUMENTS SN54ABT162827A, SN74ABT162827A 数据手册

ABT162827A是TI的20位非反相缓冲器, 具有独立的输出使能信号, 输出端口具有等效25欧姆串联电阻, 无需外部电阻, 在电源上电和关断期间处于高阻状态, 典型VOLP(输出地弹跳)<1V在VCC = 5V, TA = 25°C, 分布式VCC和GND引脚可最小化高速度切换噪声, Ioff和电源启动3状态支持热插拔, 流穿式架构优化PCB布局, 释放-上性能超过JEDEC标准JESD-17, ESD保护超过JESD 22 - 2000-V人体模型(A114-A) - 200-V机器模型(A115-A)