FAIRCHILD FQP45N15V2 / FQPF45N15V2 150V N-Channel MOSFET 说明书 该文件介绍了FQP45N15V2/FQPF45N15V2型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性，包括最低导通电阻、优异的开关性能以及在雪崩和换向模式下能够承受高能脉冲的能力。该产品适用于直流到直流转换器、同步整流等需要最低导通电阻的应用。
FAIRCHILD FQP44N10 100V N-Channel MOSFET 说明书 FQP44N10 是一款 43.5A、100V 的 N 通道 MOSFET，它采用 Fairchild 专有的平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的承受能力。该器件非常适用于音频放大器、高效率开关 DC/DC 转换器和 DC 电机控制等低电压应用。
FAIRCHILD FQP3P50 500V P-Channel MOSFET 说明书 该文档介绍了Fairchild公司生产的FQP3P50 500V P-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关、高能量脉冲承受能力等。
FAIRCHILD FQP3P20 200V P-Channel MOSFET 说明书 该文档介绍了FQP3P20 200V P-Channel MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关、高能量脉冲抗击和高效率开关DC/DC转换器等应用。
FAIRCHILD FQP3N80C/FQPF3N80C 800V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP3N80C/FQPF3N80C是Fairchild生产的800V N通道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度、耐高能脉冲和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQP3N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了FQP3N60C型号的600V N沟道MOSFET的特点和特性，包括3A的电流、低门电荷、快速开关、100%的雪崩测试等。
FAIRCHILD FQP3N30 300V N-Channel MOSFET 数据手册 本文件介绍了QFET (Qualified Field Engineering Technicians) 培训计划. QFET 培训计划旨在帮助工程师提高他们的技术技能和知识. 该计划为工程师提供了一个学习环境，在该环境中，他们可以获得必要的知识和技能，以在他们的职业生涯中取得成功.
FAIRCHILD FQP32N20C/FQPF32N20C 200V N-Channel MOSFET 数据手册 本文介绍了FQP32N20C/FQPF32N20C型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性。该产品采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术生产，具有低导通电阻、优异的开关性能和能够承受高能量脉冲的特点。适用于高效率开关式DC/DC转换器、开关电源、无间断电源和电机控制等应用。
FAIRCHILD FQP30N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQP30N06L是Fairchild生产的一款60V逻辑N沟道MOSFET。该产品具有32A、60V、RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V、低门极电荷（典型值为15 nC）、低Crss（典型值为50 pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值。
FAIRCHILD FQP2N60C/FQPF2N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQP2N60C/FQPF2N60C是Fairchild生产的2.0A,600V N-Channel MOSFET。具有低RDS(on)、低门控电荷和低Crss等特点，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
