FAIRCHILD FJX1182 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 FJX1182是Fairchild Semiconductor Corporation生产的低频功率放大器，其最大集电极-基极电压为-35V，最大集电极-发射极电压为-30V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电流为-500mA，最大集电极功耗为150mW，最大结温为150°C，存储温度范围为-55~150°C。
FAIRCHILD FJX2222A NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 FJX2222A — NPN Epitaxial Silicon Transistor 是 Fairchild Semiconductor 生产的 600 mA NPN Epitaxial Silicon Transistor，最大集电极-发射极电压为 40V，最大集电极功耗为 325 mW。
FAIRCHILD FJX2907A PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 FJX2907A是Fairchild Semiconductor生产的PNP型三极管，其最大集电极-发射极电压为-60V，最大集电极-基极电压为-60V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电极电流为-600mA，最大集电极功耗为325mW，最大存储温度为150°C。
FAIRCHILD FJX3904 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 FJX3904是一款NPN外延硅晶体管，用于通用目的。它具有60V的集电极-基极电压，40V的集电极-发射极电压和6V的发射极-基极电压。它还具有200mA的集电极电流和350mW的集电极功耗。
FAIRCHILD FJX3906 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 本文档介绍了FJX3906 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。它提供了集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电流、集电功耗和存储温度的最大额定值。此外，还提供了集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、直流电流增益、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、电流增益带宽积、输出电容、噪声系数、开启时间和关闭时间的电气特性。
FAIRCHILD FJX733 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 该文件介绍了FJX733 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性，包括电压、电流、功率等参数。该晶体管适用于低频放大器应用。
FAIRCHILD FJX945 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 FJX945是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体管，具有高集电极-基极电压VCBO=60V和高电流增益带宽积fT=300MHz（典型）的特点。
FAIRCHILD FMBA06 NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier 数据手册 FMBA06是Fairchild Semiconductor生产的一款NPN多芯片通用放大器。其绝对最大额定值为：集电极-发射极电压为80V、集电极-基极电压为80V、发射极-基极电压为4.0V、集电极电流为500mA、工作温度范围为-55到+150°C。
FAIRCHILD FMBA14 NPN Multi-Chip Darlington Transistor 数据手册 FMBA14是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN多芯片达林顿晶体管，其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极-基极电压为30V，最大发射极-基极电压为10V，最大集电极电流为1.2A，工作温度范围为-55至+150°C。
FAIRCHILD FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier 数据手册 FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier是Fairchild Semiconductor Corporation的一款产品，最大集电极-发射极电压为-150 V，最大集电极-基极电压为-160 V，最大发射极-基极电压为-5.0 V，最大集电流为-600 mA，工作温度范围为-55 ~ 150 °C。
FAIRCHILD FMBM5551 数据手册 FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款双管NPN晶体管，其最大功耗为350mW，最大集电极-发射极电压为160V，最大集电极-基极电压为180V，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极电流为600mA。
FAIRCHILD FMBS2383 NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 FMBS2383是一种NPN型硅晶体管，具有功率放大器特性。其最大集电极-发射极电压为160V，最大频率增益带宽积为120MHz。
