FAIRCHILD J309/J310/MMBFJ309/MMBFJ310 N-Channel RF Amplifier 说明书 J309 / J310 / MMBFJ309 / MMBFJ310 N-Channel RF Amplifier 是一款用于 VHF/UHF 放大器、振荡器和混频器应用的器件。
FAIRCHILD PF5102 N-Channel Switch 说明书 该产品是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的PF5102 N-Channel Switch，是一种低电平模拟开关，可以应用于采样保持电路和 chopper 稳定放大器中。
FAIRCHILD BC516 PNP Darlington Transistor 说明书 BC516是Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP型达林顿晶体管，额定电压为30V，额定电流为1A，最大工作温度为150°C。
FAIRCHILD BCV26 PNP Darlington Transistor 说明书 BCV26是Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP达林顿晶体管。该器件具有非常高的电流增益，可用于电流高达800 mA的应用。
FAIRCHILD BCV27 NPN Darlington Transistor 说明书 该文件介绍了BCV27型号NPN达林顿晶体管的特点特性，适用于需要极高电流增益的应用，最大集电极电流为1.0A。
FAIRCHILD BSP50 NPN Darlington Transistor 说明书 BSP50是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型三极管，其最大集电极-发射极电压为45V，最大集电极-基极电压为60V，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极电流为800mA，最大工作温度为150°C。
FAIRCHILD BSP52 NPN Darlington Transistor 说明书 BSP52 NPN 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双极型晶体管，其最大集电极-发射极电压为80V，最大集电极-基极电压为90V，最大发射极-基极电压为5V，最大集电流为800mA，工作和存储温度范围为-55~+150°C。
FAIRCHILD KSH122 NPN Silicon Darlington Transistor 说明书 该文档介绍了KSH122 NPN硅达林顿晶体管的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管具有高DC电流增益，适用于表面贴装应用，并且内置了E-C的阻尼二极管。
FAIRCHILD KSP13/14 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的KSP13/14 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor的绝对最大额定值和电气特性。
FAIRCHILD KST13/14 NPN Epitaxial Silicon Transistor 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的KST13/14 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。其中包括了该晶体管的最大额定值和特性参数，如集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电极电流等。此外，还提供了该晶体管的封装信息和一些典型特性曲线。
FAIRCHILD MPSA63/MMBTA63/PZTA63 PNP Darlington Transistor 说明书 MPSA63 / MMBTA63 / PZTA63是Fairchild Semiconductor Corporation生产的PNP达林顿晶体管，该晶体管具有非常高的电流增益，可以应用于800mA电流的应用中。
FAIRCHILD MPSA29 NPN Darlington Transistor 说明书 MPSA29是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN达林顿晶体管，该晶体管具有极高的电流增益，可用于电流达到500 mA的应用。
