VISHAY VN0610L, VN10KLS, VN2222L 数据手册 该文件介绍了三种N沟道60V（D-S）MOSFETs，具有Zener门的特点。产品具有低导通电阻、超低阈值、低输入电容、低输入和输出泄漏、额外的ESD保护、低偏移电压、低电压操作、高速、易于驱动、低误差电压等特点。产品适用于继电器、电磁阀、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等驱动器，以及电池供电系统、固态继电器、感应负载驱动器等。
intersil HS-4424RH, HS-4424BRH 数据手册 HS-4424RH和HS-4424BRH是双极性CMOS器件，由Intersil的绝缘隔离的RadHard硅栅(RSG)BiCMOS工艺构建，具有高电流输出、低功耗和高可靠性。
FAIRCHILD SMBJ5.0(C)A - SMBJ170(C)A 数据手册 这份文件是关于SMBJ5.0(C)A - SMBJ170(C)A这款产品的，它是一款600W的瞬态电压抑制器，具有快速响应时间、优异的钳位能力、低增量浪涌电阻等特点
SUMMIT SMB111 数据手册 SMB111是SUMMIT Microelectronics, Inc.推出的一款四通道可编程DC-DC系统电源管理器，具有数字编程、高精度输出电压、用户友好的图形用户界面等特点，适用于数字摄像机、便携式DVD/MP3/GPS、摄像头/智能手机、TFT/LCD显示器/监视器/电视、移动计算/PDA等应用。
SUMMIT SMB112 数据手册 SMB112是一款高度集成和灵活的五通道电源管理器，专为为TFT/LCD显示屏供电和驱动低功率和高功率白色LED而设计。内置的数字可编程性使系统设计师能够定制设备以满足几乎任何多通道电源管理应用的需求。
SUMMIT SMB113 数据手册 该文档介绍了SMB113四通道可编程DC-DC控制器的应用示例。它具有数字编程和非易失性存储器，可通过I2C接口实现对输出电压设定点、输入/电池电压监测、输出上电/下电顺序、数字软启动和输出斜率、输出电压边际、所有输出的低压/过压监测以及独立启用/禁用输出等主要参数的编程。它还具有友好的图形用户界面（GUI），四个同步降压输出通道，+2.7V至+6.0V输入范围，高精度的参考和输出电压，以及低功耗模式等特点。
SUMMIT SMB118 数据手册 SMB118是一款高度集成和灵活的七通道电源管理器，设计用于广泛的应用领域。它具有数字编程的所有主要参数，包括输出电压设定/裕度、序列和数字软启动、独立启用/禁用输出、输入/输出欠压/过压电压阈值、PWM/PFM模式和开关频率等。它还具有六个可编程的稳压器通道，精度为1.5%，以及可编程的线性锂离子电池充电器和其他特性。该产品适用于便携式媒体播放器、数码摄像机/相机、智能PDA/相机手机、手持GPS/PDA、TFT-LCD显示器/监视器/电视等应用。
SUMMIT SMB135 数据手册 SMB135是一个可编程的单节锂离子/锂聚合物电池充电器，适用于各种便携式应用。该设备提供了一种简单有效的方式通过USB端口或交流适配器为高容量Li-Ion电池充电。与传统设备不同，SMB135的高效率操作消除了手持设备内部温度过高和局部热点的问题。
SIEMENS SMBD 2835/SMBD 2836 数据手册 本文介绍了半导体集团1的硅开关二极管阵列SMBD 2835和SMBD 2836的最大额定值，包括反向电压、正向电流、结温度、总功率耗散、储存温度范围、峰值反向电压、瞬态正向电流和热阻等。同时还提供了SMBD 2835和SMBD 2836在25℃下的电气特性，例如击穿电压、反向电流、反向恢复时间和正向电压等。
SIEMENS SMBD 2837/SMBD 2838 数据手册 该文档介绍了SMBD 2837和SMBD 2838硅开关二极管阵列的最大额定值和电气特性。这些二极管适用于高速开关应用，具有共阴极结构。
Infineon SMBD7000/MMBD7000... 数据手册 SMBD7000/MMBD7000是一款用于高速开关应用的硅开关二极管阵列。它具有反向电压为100V，峰值反向电压为100V，正向电流为200mA的特点。
Infineon SMBD914/MMBD914... 数据手册 SMBD914/MMBD914 是安森美半导体旗下的肖特基二极管，它具有高击穿电压和低反向电流，适用于高频开关应用。最大额定反向电压为100伏，最大额定正向电流为250毫安。
