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ST STTH3006DPI 数据手册

STTH3006DPI 是一款 600V 超快恢复二极管，适用于连续模式功率因数校正器和硬开关条件中的升压二极管。该器件具有超高性能，在高 dIF/dt 条件下运行时，可大大降低与之配套的 MOSFET 的损耗。

TURBOSWITCH “H”是一种超高性能二极管，由两个300V的晶片串联组成。TURBOSWITCH “H”系列在高dIF/dt运行时能大幅降低相关MOSFET的损耗。它特别适用于连续模式功率因数校正器和硬开关条件下的升压二极管，设计用于高DI/DT操作，具有与SIC器件竞争的超快恢复电流，可缩小MOSFET和散热器尺寸，内部陶瓷绝缘器件具有相同的热条件，绝缘（2500VRMS）允许与MOSFET放在同一散热器上，也可以在公共或分开的散热器上进行灵活散热，静态和动态平衡的内部二极管设计保证，封装电容：C=16pF

Panasonic AN8000/AN8000M Series 数据手册

AN8000系列是一款3针低压差固定正输出单片式稳压器。由于其功耗可以最小化，因此它们适用于电池稳压电源和参考电压。有十三种输出电压可供选择; 2V、2.5V、3V、3.5V（TO-92仅限）、4V、4.5V、5V、6V、7V、8V、8.5V、9V和10V。

ST STTH806DTI 数据手册

STTH806DTI 是ST公司的一款600V双管直插式功率二极管，它具有极高的开关速度，比SiC器件还要快，可以应用于PFC电路中。

ST STTH506DTI 数据手册

TURBOSWITCH “H”是一种超高性能二极管，由两个300V的晶片串联而成。TURBOSWITCH “H”系列在高dIF/dt运行时显著降低了相关MOSFET的损耗。特别适用于连续模式功率因数校正器和硬开关条件下的增压二极管。设计用于高dIF/dt操作。具有与SiC器件相竞争的超快恢复电流。允许MOSFET和散热器尺寸减小。内部陶瓷绝缘装置具有相同的热条件，适用于两个300V二极管。绝缘（2500VRMS）允许与MOSFET放置在同一散热器上。可以在公共或独立散热器上进行灵活散热。内部二极管的静态和动态平衡由设计保证。封装电容：C=7pF