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FAIRCHILD FDB2552 / FDP2552 数据手册

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FAIRCHILD FDP2570/FDB2570 数据手册

这是一份关于Fairchild Semiconductor Corporation FDP2570/FDB2570型号的150V N-Channel PowerTrench MOSFET的说明书。该MOSFET设计用于隔离式DC/DC变换器应用中的主边开关。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于需要150V MOSFET且要求低开关电阻和快速开关的应用。该MOSFET具有较快的开关速度和较低的栅极电荷，使其易于驱动（即使在很高的频率下），并且能够提高整体效率的DC/DC电源设计。

FAIRCHILD FDB2572 / FDP2572 数据手册

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FAIRCHILD FDP2670/FDB2670 数据手册

该文档介绍了FDP2670/FDB2670型号的200V N-Channel PowerTrench MOSFET。该产品适用于隔离的DC/DC转换器应用中的主边开关。具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要200V MOSFET的任何应用。采用高性能沟道技术，具有较低的导通电阻和较快的开关速度。支持高功率和电流处理能力。

FAIRCHILD FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 数据手册

该文件介绍了FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 N沟道PowerTrench® MOSFET的特点特性，包括低电阻、低Miller电荷、低QRR Body二极管等。它适用于DC/DC转换器、离线UPS、分布式电源架构和VRM、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直接喷射/柴油喷射系统、42V汽车负载控制和电子气门控制系统。

FAIRCHILD FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 数据手册

该文档是关于Fairchild Semiconductor Corporation 于2002年发布的FDB3652/FDP3652/FDI3652 N-Channel PowerTrench® MOSFET的产品信息手册

FAIRCHILD FDP3672 数据手册

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FAIRCHILD FDB3682 / FDP3682 数据手册

FDB3682 / FDP3682 是一款 N 通道 PowerTrench® MOSFET，具有 100V、32A、36mΩ 的特点。

FAIRCHILD FDP39N20 数据手册

FDP39N20是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，该器件采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速切换、100%雪崩测试等特点，适用于高效开关电源和有源功率因数校正等应用。

FAIRCHILD FDP4020P/FDB4020P 数据手册

FDP4020P/FDB4020P 是飞利浦半导体公司推出的一款 P 通道低阈值 MOSFET，该器件具有 -16A、-20V 的额定电流和电压，RDS(on) 可低至 0.08 欧姆。该器件可以用作低压输出线性开关，也可以用作 DC-DC 转换器的 P 通道开关。

ST AN3365 Application note

本应用笔记介绍了一种基于开源SSL/TLS库PolarSSL的演示包，该演示包可在STM32F217xx微控制器上实现安全套接字层(SSL)和传输层安全(TLS)。

ST AN3362 Application note

该应用笔记介绍了用于STM32F2xx微控制器系列的时钟系统配置工具。该工具的目的是帮助用户配置微控制器的时钟，考虑到产品参数，如电源和Flash访问模式。该工具支持对STM32F2xx的以下功能进行配置：系统时钟、HCLK源和输出频率的配置；Flash延迟（根据HCLK频率的等待状态数）的配置；PCLK1、PCLK2、TIMCLK（定时器时钟）、USBCLK和I2SCLK频率的设置；生成一个包含所有上述设置的可用的system_stm32F2xx.c文件（STM32F2xx CMSIS Cortex-M3设备外围访问层系统源文件）。在使用时钟工具之前，必须阅读STM32F2xx微控制器参考手册（RM0033）。该工具仅支持STM32F2xx的B版和Y版。

FAIRCHILD FDP55N06/FDPF55N06 数据手册

FDP55N06/FDPF55N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低门极电荷、低Crss、快速开关的功率场效应晶体管。

ST AN3359 Application note

本文档是关于STMicroelectronics的STM32W108产品系列的应用说明书。主要介绍了使用PCB天线的优点以及设计和实施PCB印刷天线的方法。PCB印刷天线与SMD陶瓷天线的性能相当，但PCB印刷天线的尺寸较大，因此PCB的成本增加了。然而，与SMD陶瓷天线相比，PCB的成本增加较小且更经济。本文档还介绍了基于STM32W108xx RF微控制器的STM32-RFCKIT RF控制套件，该套件采用了PCB印刷天线进行RF通信。

FAIRCHILD FDP51N25 数据手册

FDP51N25 250V N-Channel MOSFET，是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的51A、250V、RDS（on）= 0.060 Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为55 nC）、低Crss（典型值为63 pF）、快速开关、100％雪崩测试、改进的dv/dt能力的N-Channel增强型功率场效应晶体管。

FAIRCHILD FDP46N30 数据手册

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDP46N30 300V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括46A的电流输出、低的门电荷、快速开关速度等。

FAIRCHILD FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 数据手册

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FAIRCHILD FDP4030L / FDB4030L 数据手册

FDP4030L/FDB4030L是Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，其采用Fairchild专有的高电池密度DMOS技术，具有极低的RDS(ON)和优异的开关性能。该器件适用于低压应用，如DC/DC转换器、电机驱动器和电池充电器。

FAIRCHILD FDP5645/FDB5645 数据手册

FDP5645/FDB5645是一款60V N通道功率MOSFET，具有更快的开关速度和更低的门极电荷，可用于DC/DC转换器，其特点是RDS(ON)=0.0095 Ω @ VGS = 10 V和RDS(ON)=0.011 Ω @ VGS = 6 V。

FAIRCHILD FDP5690/FDB5690 数据手册

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