ST AN4016 Application note 数据手册 本应用笔记介绍了一种2 kW-100 V、123 MHz类AB峰值功率放大器（PPA）的设计，该放大器用于3 Tesla MRI应用。它几乎是以前使用标准陶瓷封装的MOSFET晶体管的放大器的输出功率的两倍。设计技术和构造实践进行了详细描述，以允许放大器的复制。
ST AN3994 Application note 数据手册 本文介绍了STMicroelectronics的MDmesh™ V系列超结技术，该技术在给定封装中提供了极低的RDS(on)值，无法在标准HV MOSFET中获得。此外，超结MOSFET在瞬态方面非常快速，当更高性能的技术替换旧版本时，可能会出现一些问题。本文对ST超结MOSFET系列的两个主要组成部分（MDmesh™ II和MDmesh™ V）进行了分析和比较，包括能量损耗、电压和电流率。同时还专门讨论了布局寄生效应及其对MOSFET行为的影响。最后得出结论，布局在管理非常快速的瞬态时至关重要，必须仔细规划，以帮助MOSFET发挥其最佳潜力。
ST AN3973 Application note 数据手册 该文档介绍了使用STD3N62K3功率MOSFET和STD845DN40 BJT器件的电子镇流器的应用。该电子镇流器具有主动功率因数校正（PFC），谐波失真（THD）和电效率方面的优化。
ST AN3267 Application note 数据手册 本应用笔记介绍了功率MOSFET栅极驱动电压对单相同步降压转换器电源管理和开关行为的影响，并通过OrCAD®仿真和台架测试结果对不同功率MOSFET栅极-源极电压对转换器效率和主电路节点波形的影响进行了详细分析。
ST AN3232 Application note 数据手册 本应用笔记主要介绍了STAC® boltdown封装的STAC244B和STAC265B（带法兰）封装和STAC244F和STAC265F（无法兰）封装的封装技术，以及这些封装在放大器或应用电路板（PCB）中的安装方法。
AMIC A132000 数据手册 A132000 is an 8-bit RISC processor integrated circuit with program/data ROM, 80-byte working SRAM, timer/counter, I/O, built-in oscillator and audio current mode D/A.
