Agilent Technologies HCNR200 HCNR201 数据手册 该文件介绍了HCNR200/201高线性模拟光耦合器的特点和特性，包括低非线性度、低增益温度系数、宽带宽等。该光耦合器具有世界范围内的安全认证，适用于低成本模拟隔离、电信和工业过程控制等应用。
Agilent Technologies HCNR200 HCNR 201 数据手册 HCNR200/201 高リニアリティ・アナログ・フォトカプラ是高度线性，低漂移，宽带，高可靠，低成本的高性能的光电隔离器，广泛应用于各种需要隔离的模拟信号应用中。
ISSI IS41LV16100A 数据手册 IS41LV16100A是由ISSI公司推出的一款高性能CMOS动态随机存取存储器(DRAM)，它采用EDO页模式，具有1,024个随机访问和20ns的访问周期时间，适用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。
SI S41C6105 S41LV16105 数据手册 本白皮书介绍了英特尔® 数据科学套件 4.0，这是该套件的最新版本，为数据科学家的生产环境提供了更强大、更灵活的功能。该套件包括一系列工具和库，可帮助数据科学家在整个数据科学生命周期中提高生产力。这些工具包括用于数据准备、机器学习建模、模型部署和模型管理的工具。英特尔® 数据科学套件 4.0 还包括新的功能，如自动机器学习、增强型模型解释和可视化、数据管理和治理功能以及对容器和 Kubernetes 的支持。
ISSI IS41LV8200A 数据手册 ISSI IS41LV8200A是一种2,097,152 x 8位高性能CMOS动态随机存取存储器，具有扩展数据输出（EDO）页模式访问周期。该产品具有TTL兼容的输入和输出，刷新间隔为2,048个周期/32毫秒，刷新模式为仅RAS、CAS之前RAS（CBR）和隐藏模式。单电源供应：3.3V ± 10%。通过两个CAS进行字节写入和字节读取操作。该产品适用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围设备应用。
intersil 80C286 数据手册 该文档介绍了一款名为80C286的高性能微处理器，具有内存管理和保护功能。它兼容NMOS 80286，具有广泛的时钟频率范围和低功耗设计。该处理器具有大地址空间、集成内存管理和四级内存保护，并支持虚拟内存和操作系统。它还具有两种操作模式，与80287数值数据协处理器兼容，并具有高带宽总线接口。
intersil 80C86 CMOS 16-Bit Microprocessor 数据手册 该文档介绍了Intersil 80C86 CMOS 16位微处理器的特点和特性，包括与NMOS 8086兼容、完全静态CMOS设计、低功耗运行、1MB的直接内存寻址能力、多种操作模式和运算操作等。
intersil 80C88 CMOS 8/16-Bit Microprocessor 数据手册 80C88是一款高性能的8/16位CMOS CPU，采用自对准硅栅CMOS工艺(Scaled SAJI IV)制造。两种操作模式，MINimum用于小型系统，MAXimum用于更大应用，如多处理器，允许用户配置以达到最高性能水平。
FUJITSU SEMICONDUCTOR CS81 Series 数据手册 CS81系列是一款高度集成的CMOS ASIC芯片，具有高速和低功耗的特点。该系列采用了0.18微米的CMOS工艺，最多集成了4000万个门，门延迟时间为11ps，集成度和速度约为传统产品的三倍。此外，该系列可在最高1.1V的电源电压下工作，大大降低功耗。
cherry semiconductor CS8101 数据手册 CS8101是一种精密的5V微功耗电压调节器，具有非常低的静态电流（负载为100µA时，典型值为70µA）。5V输出精度为±2％，负载电流为100mA，典型压降仅为400mV。微处理器控制逻辑包括输入和激活电路。低静态电流、出色的稳压性能和控制逻辑的组合使得CS8101非常适用于任何电池供电的微处理器控制设备。激活电路包括滞回特性，并且在输出电压低至1V时能正常工作。如果输出电压超出规定范围超过200mV（典型值），该功能将在上电序列期间或正常运行期间被激活。逻辑电平兼容的输入允许用户将调节器置于关断模式，此时仅消耗20µA的静态电流。该调节器受到反向电池、短路、过电压和热过载条件的保护。该器件能够承受负载冲击瞬变，非常适用于汽车环境中的使用。CS8101在功能上等同于国家半导体LP2951系列低电流调节器。
cherry semiconductor CS8120 数据手册 CS8120是一款5V，300mA的精密线性稳压器，具有两个微处理器兼容的控制功能和保护电路。它具有超过电压关断、复位比较器、错误放大器、使能比较器、基准电压、热关断、电流限制、负载转储等特性。
cherry semiconductor CS8121 数据手册 CS8121是5V、1A的精密线性稳压器，具有两个微处理器兼容的控制功能和芯片上包含的保护电路。复合NPN-PNP输出通道晶体管保证较低的掉电电压（1.2V @ 1A）而不要求过多的供电电流（4mA）。CS8121的两个逻辑控制功能使该稳压器非常适合需要在板级或模块级进行微处理器控制的应用。控制输出级。在引线上施加高压（>2.9V）会关闭稳压器的通道晶体管，并将IC置于睡眠模式，在此模式下仅消耗250µA。发出信号，当IC正在供电或输出电压跌出调节范围时。该信号有效，直至VOUT=1V。CS8121设计通过将内部基准电压从供电输入切换到稳压器输出以优化电源抑制，一旦达到标称输出电压，CS8121就处于睡眠模式，仅消耗250µA。额外的芯片内滤波器增强了对所有外部引线的高频瞬变的抑制。CS8121保护电路免受短路、过电压和热失控条件的伤害。
cherry semiconductor CS8122 数据手册 CS8122是一款精密的5V线性稳压器，能够输出超过750mA的电流。该产品的延时时间可以通过分立的RC网络进行外部编程。在电源启动时，或者当输出超出正常范围时，该引脚将保持低电平状态，直到延时时间结束。该功能不受输入电压的影响，只要输出电压保持在1V或更高的范围内，该功能就能够正常工作。为了提高抗干扰能力，延时电路和比较器中都包含了滞回特性。当由短暂故障条件触发时，一个锁存放电电路将用于放电延时电容。该稳压器可以防止各种故障条件：即反向电池、过压、短路和热失控条件。该稳压器可以防止电压瞬变范围从-50V到+40V。短路电流限制为1.2A（典型值）。CS8122是CS8126的改进型，具有更严格的输出电压公差（2%对比4%）。CS8122采用5引脚TOÐ220封装，并带有铜制触片。必要时，铜制触片可以连接到散热器。
cherry semiconductor CS8126,-1,-2 数据手册 CS8126, -1, -2是5V、750mA的低压降线性稳压器，具有延迟复位功能。该稳压器是CS8156的改进替代品，改进包括更高的精度、更紧的饱和控制、更好的电源抑制和增强的电路。
Cherry Semiconductor CS8128 数据手册 CS8128是一款5V的线性稳压器，外部采用PNP型三极管，具有高于传统单片式稳压器的性能，典型电流在500mA时压降为100mV，在3A时为350mV。
cherry semiconductor CS8129 数据手册 CS8129是一款5V，750mA的低压差线性稳压器，具有较低的复位阈值，可与4V微处理器一起使用。它具有低的压降电压和高输出电流能力，并提供了故障保护功能。
ON Semiconductor CS8129 数据手册 CS8129是一款5.0V的精密线性稳压器，能够提供750mA的电流。该稳压器的复位阈值电压降低到4.2V，因此可以与4.0V的微处理器一起使用。较低的复位阈值还允许在低电池条件下运行（5.5V加上二极管）。RESET的延迟时间可通过离散RC网络进行外部编程。在开机时，或当输出电压超出范围时，RESET保持低电平状态，直到延迟时间结束。此功能与输入电压无关，只要输出电压保持在1.0V或以上，此功能就能正常工作。在延迟和复位比较器中加入了滞回，以提高抗干扰能力。当短暂故障条件触发时，会使用自锁放电电路来放电延迟电容器。该稳压器可以防止各种故障条件，例如反向电池、过电压、短路和热失控条件。该稳压器可防止电压瞬变从-50V到+40V。短路电流限制为1.2A（典型值）。CS8129采用5引脚TO-220和16引脚表面贴装封装。
SAMSUNG ELECTRONICS 128MB, 256MB SODIMM Pb-Free DDR SDRAM 数据手册 本文档介绍了DDR SDRAM 128MB, 256MB SODIMM Pb-Free的特点和特性，包括基于256Mb F-die的非缓冲SODIMM，200针，64 / 72位（非ECC / ECC），RoHS兼容。
