FAIRCHILD A New PSPICE Electro-Thermal Subcircuit For Power MOSFETs 数据手册(1) 本文件介绍了一种精确描绘垂直DMOS功率MOSFET的热和电气特性的经验自加热SPICE MOSFET模型。
FAIRCHILD Guidelines for Using Fairchilds Power56 数据手册 该手册介绍了Power56 MOSFET的使用方法，包括安装技术和电路设计，该MOSFET具有小型化、高性能、低功耗的特点
FAIRCHILD GreenBridge to Replace Conventional Diode Bridge in Power Over Ethernet Applications 数据手册 Fairchild 的 GreenBridge 解决方案可在 PoE 系统中降低桥接电路的功耗，从而获得高效且经济的 PoE 系统。
FAIRCHILD Assembly Guidelines for MicroFET 1.6x1.6mm Packaging 数据手册 该应用笔记介绍了MicroFET 1.6x1.6的封装技术，包括MLP技术、封装设计、安装工艺等
FAIRCHILD Assembly Guidelines for Asymmetric Dual Power33 Packaging 数据手册 该文件介绍了Fairchild Dual Power33封装的装配指南，该封装采用Molded Leadless Packaging（MLP）技术，具有低封装高度和出色的热性能，带有大型热垫，可直接焊接到印刷电路板（PWB）上。
FAIRCHILD Using Fairchild Semiconductor Dual Cool MOSFETs 数据手册 介绍了Fairchild Semiconductor Dual CoolTM MOSFETs的包装结构，热管理特性，以及使用散热器的应用实例。
FAIRCHILD Single Channel MicroFET 3x2 Power MOSFET Recommended Land Pattern and Thermal Performance 数据手册 这份应用说明介绍了Fairchild MicroFET™ 3x2封装的引脚排列、安装布局和热性能。
FAIRCHILD BSV52 NPN Switching Transistor 数据手册 该文件介绍了NPN开关晶体管BSV52的绝对最大额定值和热特性。该器件设计用于在集电极电流为10mA至100mA时进行高速饱和开关。具有12V的集电极-发射极电压，20V的集电极-基极电压和5.0V的发射极-基极电压。最大集电极电流为200mA。工作温度范围为-55到+150°C。
FAIRCHILD BSS64 NPN General Purpose Amplifier 数据手册 BSS64是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款NPN通用放大器，其特点是最大集电极-发射极电压为80V，最大集电极-基极电压为120V，最大发射极-基极电压为5.0V，最大集电流为200mA，工作温度范围为-55到+150度C。
FAIRCHILD BSS63 PNP General Purpose Amplifier 数据手册 这是关于Fairchild BSS63 PNP General Purpose Amplifier的数据手册，它具有高电压的放大和开关应用。
FAIRCHILD BSR18A PNP General Purpose Amplifier 数据手册 BSR18A是FAIRCHILD公司生产的PNP型通用放大器，最大集电极-发射极电压40V，集电极-发射极击穿电压40V，集电极-基极击穿电压40V，发射极-基极电压5.0V，最大集电流200mA，最大功耗350mW。
FAIRCHILD BSR17A NPN General Purpose Amplifier 数据手册 该文件介绍了BSR17A型号的NPN通用放大器和开关的特点。作为开关时，其动态范围可达到100mA；作为放大器时，其动态范围可达到100MHz。
FAIRCHILD BSR16 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 BSR16是一种PNP外延硅晶体管，具有负载电流高达500mA的通用放大器和开关功能。它适用于各种应用，提供稳定的性能和可靠性。
FAIRCHILD BSR15 PNP General Purpose Amplifier 数据手册 BSR15是一款PNP型的通用放大器，适用于需要最大集电极电流为500mA的放大器和开关。它的主要特点是集电极-发射极电压为-40V，集电极-基极电压为-60V，发射极-基极电压为-5.0V。该产品适用于工作温度范围为-55℃至+150℃。
FAIRCHILD BCX71K PNP General Purpose Amplifier 数据手册 BCX71K 是 Fairchild Semiconductor Corporation 的 PNP 通用放大器。
FAIRCHILD BCX70K NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 BCX70K是一款NPN外延硅晶体管，具有45V的集电极-基极电压，5V的发射极-基极电压，200mA的集电流和350mW的集电功率耗散。该晶体管具有高的IC和hFE值，低的饱和电压和开启电压，以及较低的噪声系数和输出电容。
FAIRCHILD BCX70H NPN Epitaxial Silicon Transistor 数据手册(1) BCX70J是Fairchild Semiconductor生产的一款NPN型硅晶体管，其最大绝对额定值为VCBO=45V、VCEO=45V、VEBO=5V、IC=200mA、PC=350mW、TSTG=-55~150°C。
