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FAIRCHILD RFG70N06, RF1S70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM 说明书

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06, RF1S70N06SM是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N-通道功率MOSFET，具有70A，60V，0.014 Ohm的特点。它们是为在开关稳压器，开关变换器，电机驱动器和继电器驱动器等应用中使用而设计的。这些晶体管可以直接由集成电路操作。

FAIRCHILD RFG50N06, RFP50N06, RF1S50N06SM 说明书

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的RFG50N06、RFP50N06和RF1S50N06SM三种型号的N-Channel功率MOSFET的特点和特性，包括使用MegaFET工艺制造、优异性能、适用于开关稳压器、开关转换器、马达驱动器和继电器驱动器等应用等。

FAIRCHILD RFP12N10L 说明书

RFP12N10L 12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors，专为使用logic level (5V) driving sources的应用而设计，如programmable controllers、automotive switching和solenoid drivers。

FAIRCHILD RFD3055LE, RFD3055LESM, RFP3055LE 说明书

这是一款11A，60V，0.107 Ohm，Logic Level，N-Channel Power MOSFETs，它由Fairchild Semiconductor Corporation公司生产。

FAIRCHILD RFD16N06LESM 说明书

RFD16N06LESM是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel power MOSFETs，具有16A，60V，0.047 Ohm，Logic Level的特点。

FAIRCHILD RFD16N05, RFD16N05SM 说明书

RFD16N05, RFD16N05SM 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 是Fairchild Semiconductor Corporation制造的一种功率MOSFET，具有16A、50V、rDS（ON）= 0.047 Ω、Temperature Compensating PSPICE® Model、Peak Current vs Pulse Width Curve、UIS Rating Curve、175oC Operating Temperature等特性。

FAIRCHILD RFD16N05L, RFD16N05LSM 说明书

这份文档介绍了RFD16N05L和RFD16N05LSM两款N沟道逻辑电平功率MOSFET器件的特点和特性，包括其功率控制、导电能力、门极偏置范围、特殊门氧化设计、开关速度等。

FAIRCHILD RFD14N05, RFD14N05SM 说明书

该数据表提供了RFD14N05和RFD14N05SM的规格，包括额定电压、封装类型、功率耗散等信息。

FAIRCHILD RFD14N05L, RFD14N05LSM, RFP14N05L 说明书

RFD14N05L, RFD14N05LSM, RFP14N05L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的14A，50V，0.100 Ohm，逻辑级，N通道功率MOSFET。它们经过设计用于应用于开关稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器驱动器等应用中。这项性能是通过特殊的栅极氧化物设计实现的，该设计在3V-5V范围内的栅极偏置下提供全额额定导通电流，从而便于从逻辑级（5V）集成电路直接进行真正的开关电源控制。

FAIRCHILD RFD12N06RLE, RFD12N06RLESM, RFP12N06RLE 说明书

RFD12N06RLE, RFD12N06RLESM, RFP12N06RLE 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET。该产品具有超低导通电阻、温度补偿的PSPICE®和SABER©电气模型、Spice和SABER©热阻模型等特点。

FAIRCHILD NDT456P 说明书

该文件介绍了1998年12月制造的NDT456P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor的特点和特性。该晶体管具有-30V的漏源电压、±20V的栅极源电压和最大-7.5A的漏电流。它采用高密度单元设计，具有极低的导通电阻和高功率、电流处理能力。适用于低电压应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。

FAIRCHILD NDT454P 说明书

这份文件介绍了1996年6月发布的NDT454P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor的特点和特性。该产品是一种功率型场效应晶体管，采用了高密度DMOS技术，具有低开通电阻和优异的开关性能。适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路等，需要快速开关、低功耗和抗过去电的特点。

FAIRCHILD NDT452AP 说明书

NDT452AP P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor是一款功率场效应晶体管，使用Fairchild's独家高密度DMOS技术，具有极低的RDS(ON)和出色的开关性能。

FAIRCHILD NDT451AN 说明书

NDT451AN N型增强型MOSFET器件，具有高密度单元设计，超低RDS(ON)。适用于需要快速切换、低线路功耗和瞬态抑制能力的低压应用，如直流电机控制和DC/DC转换。

FAIRCHILD NDT3055L 说明书

这份文档是关于ND3055L产品的介绍。ND3055L是一款N通道逻辑电平增强型场效应晶体管，具有4A的最大电流和60V的最大电压。该产品采用Fairchild专有的高密度DMOS技术，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它非常适合低压应用，如直流电机控制和电源转换。

FAIRCHILD NDT3055 说明书

NDT3055是一款N通道增强型场效应晶体管，具有4 A的最大电流和60 V的最大电压。它具有极低的RDS（ON）和高功率和电流处理能力。该设备非常适合需要快速开关、低串联功耗和瞬态抗性的低压应用，如直流电机控制和直流/直流转换。

FAIRCHILD NDT2955 说明书

该文件介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的60V P-Channel增强模式场效应晶体管的特点和特性，主要用于电源管理应用。

FAIRCHILD NDT014L 说明书

NDT014L 是N沟道逻辑级增强型功率场效应晶体管，具有非常低的RDS(ON)，高功率和电流处理能力，广泛应用于表面贴装封装。

FAIRCHILD NDT014 说明书(1)

NDT014 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor是一款功率场效应晶体管，使用Fairchild专有的高密度DMOS技术生产，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。该器件特别适用于需要快速开关、低线损和抗瞬变的低压应用，如DC马达控制和DC/DC转换。

FAIRCHILD NDS9952A 说明书

该文件介绍了1996年2月发布的NDS9952A双N&P通道增强模式场效应晶体管的绝对最大额定值和热特性。该产品采用高密度DMOS技术生产，具有低开通电阻、优异的开关性能和抗高能脉冲的特点。适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。