FAIRCHILD FQP9N90C/FQPF9N90C 900V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQP9N90C/FQPF9N90C 900V N-Channel MOSFET的特点和特性。这些功率场效应晶体管采用了Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能以及在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲的能力。这些器件非常适用于高效率的开关模式电源。
FAIRCHILD FQP9P25 250V P-Channel MOSFET 数据手册 这份文档介绍了FQP9P25型号的P-Channel MOSFET产品。该产品采用Fairchild的专利技术，具有低开态电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于高效率开关DC/DC转换器。
FAIRCHILD FQP10N50CF/FQPF10N50CF 500V N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括10A的电流、500V的电压、低电荷和低电容、快速开关和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQP11N50CF/FQPF11N50CF 500V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP11N50CF/FQPF11N50CF是一款500V N沟道MOSFET，具有11A的最大电流和0.55欧姆的导通电阻。该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、低门极电荷、低跨阻、快速开关、快速恢复体二极管和100%的雪崩测试等特性，适用于高效率的开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD BC307/308/309 Switching and Amplifier Applications 数据手册 BC307/308/309是Fairchild Semiconductor Corporation制造的PNP型硅晶体管。该晶体管具有-50至-30伏的集电极-发射极电压、-45至-25伏的集电极-发射极击穿电压、-5伏的发射极-基极电压、-100毫安的集电极电流和500毫瓦的集电极功率耗散。该晶体管的典型应用包括开关和放大器。
FAIRCHILD FQD20N06L/FQU20N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 该文档介绍了2009年3月发布的QFET TM FQD20N06L / FQU20N06L产品的特点和特性。这些N-通道增强型功率场效应晶体管采用了Fairchild的专有平面条纹DMOS技术生产。该技术经过特殊设计，以减小导通电阻、提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。该产品非常适用于低电压应用，如汽车、DC/ DC转换器以及便携和电池操作产品的高效开关功率管理。
FAIRCHILD FQT7N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQT7N10L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的100V LOGIC N-Channel MOSFET，具有1.7A、100V、RDS(on) = 0.35Ω @VGS = 10 V、低门控充电（典型值为4.6 nC）、低Crss（典型值为12 pF）等特点。
FAIRCHILD FQT7N10 100V N-Channel MOSFET 数据手册 FQT7N10 100V N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种增强型功率场效应晶体管，它具有低门极电荷、低漏极-源极电容、快速开关和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQT5P10 100V P-Channel MOSFET 数据手册 FQT5P10 100V P-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种功率场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力。该器件适用于音频放大器、高效率切换DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用。
FAIRCHILD FQT4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQT4N20L是Fairchild生产的一款200V N沟道MOSFET，其特点是低导通电阻、快速开关、高dv/dt、100%雪崩测试、低压驱动。
FAIRCHILD FQT3P20 200V P-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FQT3P20 QFET TM FQT3P20 200V P-Channel MOSFET。这是一种P-Channel增强型功率场效应晶体管，采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术。该技术可以最大程度地减小导通电阻，提供卓越的开关性能，并能够在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。该器件非常适用于高效率的开关DC/DC变换器。
FAIRCHILD FQT1N80 N-Channel MOSFET 数据手册 FQT1N80TF_WS是N沟道增强型功率场效应晶体管，由Fairchild公司生产。该产品采用平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力以及改进的dv/dt能力，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FQT1N60C N-Channel MOSFET 数据手册 该数据表提供了 FQT1N60C N-Channel MOSFET 的特性和参数。该产品由 Fairchild 生产，是 600V、0.2A 的 N 通道增强型功率场效应晶体管。该产品具有 9.3 欧姆的低 on 状态电阻、4.8n 的低栅极电荷和 3.5pF 的低 Crss。它还具有快速开关、100% 的放电测试和改进的 dv/dt 能力。该产品符合 RoHS 标准，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FQT13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQT13N06L是Fairchild生产的60V逻辑N通道MOSFET，具有低门控电荷、低反向电容、高开关速度、增强的dv/dt能力等特点。
FAIRCHILD FQT13N06 60V N-Channel MOSFET 数据手册 FQT13N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道增强型功率场效晶体管。这款设备采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，非常适用于低电压应用，如DC/DC转换器和便携式和电池供电产品中的高效电源管理开关。
