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IXYS IXGH 38N60U1 数据手册

IXGH 38N60U1是IXYS公司生产的一款高压IGBT器件，额定电压为600V，额定电流为76A。该器件采用第二代HDMOSTM工艺，具有低VCE(sat)、MOS Gate turn-on、Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)等特点。适用于AC motor speed control、DC servo and robot drives、DC choppers、Uninterruptible power supplies (UPS)、Switch-mode and resonant-mode power supply等场合。

IXYS IXGH39N60B IXGH39N60BD1 IXGT39N60B IXGT39N60BD1 数据手册

该文件介绍了IXYS的HiPerFASTTM IGBT产品，包括其特点、特性和应用领域。

IXYS IXGH 40N30/S IXGH 40N30A/S IXGH 40N30B/S 数据手册

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IXYS IXGH40N30A 数据手册

IXGH40N30A是一款高性能功率晶体管，其特点是采用了新一代HDMOSTM工艺，具有高电流处理能力、MOS门极开启驱动简单、高功率密度等优势

IXYS IXGH40N30BD1 数据手册

IXGH40N30BD1是一款功率密度高、开关速度快、易于安装的IGBT和FRED器件，适用于AC电机速度控制、DC伺服和机器人驱动、DC斩波器、不间断电源(UPS)以及开关模式和谐振模式电源等应用。

ON Semiconductor MPS5179 数据手册

MPS5179 是 ON Semiconductor 的优选产品，是一款 NPN 硅高频晶体管。本文件详细列出了该产品的特点和特性，包括最大额定值、功能操作条件、封装和运输信息等。

IXYS IXGH 50N60B IXGK 50N60B IXGT 50N60B IXGJ 50N60B 数据手册

IXGH 50N60B IXGK 50N60B IXGT 50N60B IXGJ 50N60B 是 IXYS 生产的 IGBT 器件，具有高频、高电流、高开关速度等特点，适用于交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器、不间断电源 (UPS)、开关模式和谐振模式电源等应用场合

IXYS IXGH 50N60B2 IXGT 50N60B2 数据手册

IXGH 50N60B2 IXGT 50N60B2是IXYs生产的一款高频IGBT，具有高电流处理能力和MOS门极开关驱动简单的特点，广泛应用于PFC电路、不间断电源（UPS）、开关模式和谐振模式电源、交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器等

IXYS IXGH 60N60 IXGK 60N60 IXGT 60N60 数据手册

IXGH 是 IXYS 公司生产的一款功率 MOSFET，最大电压为 600 V，最大电流为 75 A，其特点是采用了国际标准 JEDEC TO-247 AD、TO-264、TO-268 封装，具有低 VCE(sat)、高电流处理能力、MOS 门极开启驱动简单等特点。

IXYS IXGK 120N60B 数据手册

该文件介绍了IXYS公司生产的HiPerFASTTM IGBT产品的特点和特性，包括国际标准封装、高电流、快速开关、低导通损耗、MOS门极化等。该产品适用于交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器、不间断电源和开关模式电源等应用领域。

IXYS IXGK 50N50BU1 IXGK 50N60BU1 数据手册

IXGK 50N50BU1/50N60BU1是IXYS公司生产的一款IGBT产品，它具有高频特性，采用国际标准的TO-264 AA封装，并且具有低Vce(sat)，MOS Gate turn-on等特点。

IXYS IXGK 50N60AU1 数据手册

IXGK 50N60AU1是IXYS公司生产的一款IGBT产品，其最大电压为600V，额定电流为75A，具有低压降、高频率、软恢复等特点，适用于交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器等应用场合。

ON Semiconductor MPS650, MPS651, NPN MPS750, MPS751, PNP 数据手册

MPS650/D是NPN和PNP型号的集成电路，最大集电极-发射极电压为40/60 Vdc，最大集电极-基极电压为60/80 Vdc，最大发射极-基极电压为5.0 Vdc，最大集电极电流为2.0 Adc，最大功耗为625/5.0 mW，最大工作温度为-55至+150°C。

IXYS IXGK80N60A 数据手册

该数据表为IXYS公司的一款开关型功率器件的数据表，器件封装为TO-264 AA，该器件具有低Vce(sat)、易于安装、高功率密度等特点。

IXYS XIGN200N60A 数据手册

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IXYS IXGN 200N60B 数据手册

该文件介绍了一种名为SOT-227B的国际标准封装miniBLOC的产品特点和特性，包括铝氮化物隔离、高功率散热、隔离电压3000V~、高电流、快速开关IGBT、低VCE(sat)、MOS门极开启、低集电极-箱体电容、低封装电感等。该产品适用于交流电机调速、直流伺服和机器人驱动、直流斩波、不间断电源、开关模式和谐振模式电源等应用领域，具有安装方便、节省空间和高功率密度等优点。

IXYS IXGN 50N60B 数据手册

IXGN 50N60B是一款高性能IGBT，其最大集电极-发射极反向电压为600V，额定电流为75A，饱和压降为2.5V。

IXYS IXGN 50N60BD2 IXGN 50N60BD3 数据手册

本文件为XYS公司生产的一款IGBT模块的详细参数手册，该模块采用国际标准的miniBLOC封装，具有高功率耗散、高绝缘电压、高电流、低导通压降等特点，适用于交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器、降压转换器等场合

IXYS IXGN 60N60 数据手册

IXGN 60N60是IXYS公司生产的一款超低Vce(sat)IGBT，其最大电压可达600V，最大电流可达100A，Vce(sat)仅为1.7V。

IXYS IXGP12N60U1 数据手册

该产品是一款IGBT器件，采用国际标准JEDEC TO-220 AB封装，具有低导通损耗、MOS门驱动简单、快速恢复二极管软恢复等特点，可应用于AC电机速度控制、DC伺服和机器人驱动、DC斩波器、不间断电源（UPS）、开关模式和谐振模式电源等领域。