MOTOROLA 8-Bit scannable register MC10E241 MC100E241 数据手册(1) MC10E/100E241是8位可移位寄存器。与E141等标准通用移位寄存器不同，E241具有内部数据反馈组织，因此SHIFT控制覆盖了HOLD/LOAD控制。这使得可以使用单个控制线切换正常的HOLD和LOAD操作，而无需外部门控。它还可以通过单个SHIFT控制线切换到扫描模式。8个输入D0-D7接受并行输入数据，而在移位模式下S-IN接受串行输入数据。数据在CLK的正向上升沿之前接受一个设置时间;移位也发生在正时钟边缘。Master Reset引脚(MR)上的高电平异步将所有寄存器重置为零。
ON Semiconductor MJW18020 数据手册 MJW18020是一款平面高压功率晶体管，专为电机控制应用、高功率电源和UPS设计，其直流和开关参数的高可重复性最小化了桥接配置中的死区时间。主要特点包括：高和优异的增益线性度、快速和非常紧密的开关时间参数tsi和tfi、由平面结构引起的非常稳定的漏电流、高可靠性。
ON Semiconductor MJW21193 (PNP) MJW21194 (NPN) 数据手册 MJW21193和MJW21194采用了穿孔发射极技术，专为高功率音频输出、磁盘磁头位置器和线性应用而设计。具有低谐波失真、高直流电流增益、优秀的增益线性和高SOA特性。
ON Semiconductor MJW21195 (PNP) MJW21196 (NPN) 数据手册 MJW21195/D是onsemi的一款优先产品，它采用了穿孔发射器技术，专门设计用于高功率音频输出、磁头定位器和线性应用。MJW21195/D具有以下特点：总谐波失真特性、高直流电流增益-hFE=20 Min@IC=8 Adc、优异的增益线性度、高SOA：2.25 A，80 V，1秒。
FAIRCHILD BC807/BC808 说明书 BC807/BC808是一种PNP外延硅晶体管，适用于AF驱动级和低功率输出级。其特点包括：集电极-发射极耐压为-45V至-25V，发射极-基极耐压为-5V，最大集电极电流为-800mA，最大集电极功耗为310mW等。
DIODES BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 数据手册 BC807-16/-25/-40是一种PNP表面贴装晶体管，适用于自动插入、开关、AF驱动和放大器应用。它具有理想的插入特性和结构，采用外延平面晶片结构。BC807-16/-25/-40有三种型号，分别是BC807-16、BC807-25和BC807-40。
DIODES BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 数据手册(1) BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 是一种理想的用于自动插入的 PNP 表面贴装晶体管，具有平面层叠晶片结构，可用于开关、AF 驱动器和放大器应用。该晶体管具有可补充的 NPN 型号（BC817），符合 RoHS 标准，符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。
PNP BC 807W / BC 808W General Purpose Transistors 数据手册(1) 该文件介绍了BC 807W / BC 808W型号的通用PNP表面贴装晶体管的特点和特性，包括安装方式、电气参数、尺寸、包装形式等。
BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 General Purpose Transistors 数据手册 该数据表提供了BC807-16LT1的最大额定值、热特性、器件标记、电气特性等信息。
philips BC807DS PNP general purpose double transistor 数据手册 该文件介绍了BC807DS产品的特点和特性，包括高电流、总功率耗散、替代两个SOT23封装的晶体管等。
AUK BC807F PNP Silicon Transistor 数据手册 KST-2085-000 1 BC807F是一款PNP硅晶体管，适用于高电流应用和开关应用。特点是适用于AF驱动级和低功率输出级，与BC817F互补配对。
Infineon PNP Silicon Transistor Array BC807U 数据手册 BC807U 是一款 PNP 硅晶体管阵列，用于 AF 输入级和驱动应用，具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压以及良好匹配的两个（隔离）内部晶体管
Infineon PNP Silicon AF Transistors BC807W, BC808W 数据手册 BC807W, BC808W是英飞凌的PNP硅AF晶体管，用于一般AF应用，具有高集电极电流、高电流增益、低集电极-发射极饱和电压。
NPN BC 817 / BC 818 General Purpose Transistors 数据手册 BC 817 / BC 818 是德国西门子公司生产的通用用途三极管，集电极极电流为 800 mA，发射极极电流为 200 mA，其特点是功耗小，功率损耗为 310 mW，封装类型为 SOT-23 塑料外壳。
General Purpose Transistors NPN Silicon BC817-16LT1 BC817-25LT1 BC817-40LT1 数据手册 本文件为BC817-16LT1的数据手册，主要介绍了该产品的最大额定值、热特性、电气特性等信息。
LRC General Purpose Transistors NPN Silicon BC817-16LT1 BC817-25LT1 BC817-40LT1 数据手册 该数据表格提供了BC817-16LT1、BC817-25LT1和BC817-40LT1这三款产品的最大额定值、热特性、电气特性等信息
