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FAIRCHILD KSC1845 Data Sheet

KSC1845是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型三极管，其最大集电极-发射极电压为120V，最大集电极-发射极电流为50mA，最大集电极-基极电流为10mA，最大集电极功耗为500mW，最大结温为150°C，存储温度范围为-55°C~150°C。

ERICSSON ERIPOWER DC-DC Converters 15-18w

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FAIRCHILD KSR1009 Data Sheet

该文件介绍了KSR1009 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值、电气特性和应用。

MOTOROLA MC78LC00 Series Micropower Voltage Regulator Advance Information

MC78LC00系列电压稳压器是专为视频仪器、手持通信设备和电池供电设备等使用而设计的。MC78LC00系列具有超低静态电流（1.1μA）和高精度输出电压的特点。每个器件都包含一个电压参考、一个误差放大器、一个驱动晶体管和用于设置输出电压的电阻。这些器件有SOT-89（3引脚）或SOT-23（5引脚）表面贴装封装。

MITSUBISHI PM300DVA120 Data Sheet

Mitsubishi Intelligent Power Mod- ules 是用于电力切换应用的隔离基座模块，其工作频率可达 20kHz。内置控制电路可提供最佳栅极驱动和保护 IGBT 和自由轮子二极管功率器件。

lnternational IOR Rectifier HFA80FA120 Data Sheet

HFA80FA120是IRF公司生产的一种超快软恢复二极管，其特点是具有快速的恢复时间、电隔离的基板以及大的电气间隙。该二极管可用于高压电源、电子焊机、电机控制和逆变器等应用中。

VISHAY photoransistor industry standard single channel 6 pin DIP Optocoupler

本数据表介绍了Vishay五种行业标准单通道光电耦合器。这些系列包括4N25/26/27/28型号、4N35/36/37/38耦合器、H11A1/A2/A3/A4/A5、MCT2/2E和MCT270/271/272/273/274/275/276/277器件。每个光电耦合器由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成。这些耦合器符合UL标准，可承受5300 V RMS绝缘测试电压。这种绝缘性能是通过Vishay双模塑绝缘制造工艺实现的。通过订购选项1，可以为这些系列产品提供符合VDE 0884部分放电绝缘规范。在存在高绝缘电压的情况下，通过在光电晶体管基板上采用透明离子屏蔽(TRIOS)来确保光电晶体管增益的稳定性。这些绝缘工艺和Vishay ISO9001质量程序提供了目前市面上光电晶体管光电耦合器的最高绝缘性能。这些器件以适合表面贴装的带引线形式提供，可在卷带和卷盘上提供，也可以在标准的管状运输容器中提供。

intersil HGTP3N60C3D, HGT1S3N60C3DS Data Sheet

HGTP3N60C3D和HGT1S3N60C3DS是MOS门控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。更低的导通电压损耗仅在25oC和150oC之间略有变化。所使用的IGBT是开发类型TA49113。与IGBT一起反向并联使用的二极管是开发类型TA49055。IGBT非常适合在适度频率下运行的许多高压开关应用，在这些应用中，低导通损耗至关重要。

MICREL MIC2211 Data Sheet

MIC2211是Micrel的一款低压差双通道LDO，具有150mA、300mA两路输出，输出电压可选，工作电压范围为2.25V至5.5V，采用低功耗陶瓷输出电容，静态电流仅48µA。

National Semiconductor CD4009M/CD4009C Hex Buffers (Inverting) CD4010M/CD4010C Hex Buffers (Non-Inverting) Data Sheet

TL�F�5945 CD4009M�CD4009C Hex Buffers (Inverting) CD4010M�CD4010C Hex Buffers (Non-Inverting) 是美国TI公司生产的具有高噪声免疫和低功耗的CMOS集成电路，可用作hex buffers、CMOS到DTL或TTL接口或CMOS电流驱动器。

Panasonic XN04390 Data Sheet

XN04390 is a composite transistor with two elements incorporated into one package. It consists of a silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1) and a silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr2). It is designed for digital circuit and switching.

National Semiconductor LM3420-4.2, -8.2, -8.4, -12.6, -16.8 Lithium-Ion Battery Charge Controller Data Sheet

LM3420系列控制器是专为锂离子可充电电池充电和充电结束控制而设计的单片集成电路。

GENERAL SEMICONDUCTOR ZMM5225 THRU ZMM5267 Data Sheet

ZMM5225-ZMM5267是可在DO-35、SOT-23和SOD-123封装中使用的硅平面功率齐纳二极管。其标准齐纳电压公差为±5%（带有“B”后缀）。其他公差可应要求提供。

central CJD122 NPN CJD127 PNP COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR

该数据表格主要提供中央半导体CJD122、CJD127型号的特性参数，包括最大额定值、标称值、测试条件、测试结果等。

National Semiconductor CLC111 Ultra High Slew Rate, Closed Loop Buffer Data Sheet

CLC111是National Semiconductor公司出品的一款高性能、闭环、单片缓冲器，专为需要非常高频信号的应用而设计。该器件的高性能包括极快的800MHz小信号带宽（0.5pp）和超高（3500V/µs）的斜率，同时只需要10.5mA的静态电流。信号保真度保持在低谐波失真（20MHz时第2次和第3次谐波为-62dBc）。这些性能特征是为要求苛刻的100Ω负载而设计的。采用专利的闭环设计，CLC111提供几乎理想的单位增益（0.996）和非常低的（1.4Ω）输出阻抗。CLC111非常适合缓冲视频信号，其在4.43MHz时具有0.15%/0.04˚的差分增益和相位性能。对电源敏感的应用将受益于CLC111在降低或单一电源电压下的出色性能。CLC111采用先进的互补双极工艺和National Semiconductor公司经过验证的高性能架构制造，可提供多种版本以满足各种要求。增强型解决方案（军事/航空）SMD编号：联系工厂太空级版本也可用。有关更多信息，请访问http://www.national.com/mil。

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