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G940/G941是GMT公司生产的一款3.7V 400mA低压差稳压器，其特点是典型压差为0.8V，输出电流超过400mA，输出电压精度为+3%/-2%，静态电流典型值为600µA，内置短路电流限制和过温保护功能。

GF1A THRU GF1M 表面贴装玻璃钝化结整流器是理想的表面贴装汽车应用。该产品采用高温冶金键合结构和玻璃钝化无腔室结，并符合 MIL-S-19500 的环境标准。

GLT44016 256K x 16 是 G-Link 生产的一款高性能 CMOS 动态随机存取存储器，具有快速访问时间和周期时间、双 CAS 输入、低功耗消耗、读/改/写、RAS 仅刷新、CAS 前刷新、隐藏刷新和测试模式能力、512 个刷新周期 / 8 毫秒，可在 40 针 400 毫米 SOJ 和 40/44 针 TSOP(II) 中使用，单 5.0V±10% 电源供应，所有输入和输出均与 TTL 兼容，支持扩展数据输出 (EDO) 页模式操作。

GS88237AB是一种9Mb同步突发SRAM，具有高性能和低功耗的特点。它支持单/双周期取消选择，具有IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描功能。该产品适用于高性能CPU的二级缓存应用以及DSP主存和网络芯片组支持等同步SRAM应用。

GS-DC200系列是一款单板卡驱动器，包含了操作步进电机所需的所有逻辑，包括指令解码、步进定时生成、存储待执行的程序。电机接口可以提供高达2.5A的相电流。板卡可以作为独立的完整运动控制系统使用，也可以由中央主机计算机驱动。GS-DC200系列以GS-C200、GS-C200S、GS-D200、GS-D200S模块为基础构建(请参阅相关数据表)，它保留了这些模块的所有特性。

本文件提供了JEWEL HILL ELECTRONIC CO.,LTD.的GT2030 LCD模块的规格说明。

HA-A1370/A1380系列石英晶体振荡器提供3态CMOS兼容信号，用于总线连接系统。供电电压为3.3伏，频率范围为0.5MHz至20.0MHz，用户可以指定容差。这些晶体振荡器耐高温，可承受253°C的蒸汽相温度，持续时间为4分钟。HA-A1370/A1380系列采用全金属封装，焊接方式为阻焊焊接，并采用了气密密封。产品还包括绝缘的支架，以增强电路板清洁效果。

电流变送器HAZ 4000..20000-SRI用于电子测量直流电流、交流电流、脉冲电流和混合电流，电流变送器具有高功率主电路和次级电路之间的绝缘。

本文件提供了HD14068的规格信息，包括尺寸、重量、技术要求等。

该文件包含了HD14075的相关信息，包括尺寸、重量、兼容性等。

HD74HCT563/HD74HCT573是八位透明锁存器，带有三态输出。当锁存使能（LE）输入为高电平时，HD74HCT563的Q输出将跟随D输入的反相，而HD74HCT573的Q输出将跟随D输入。当锁存使能为低电平时，D输入的数据将保持在输出处，直到锁存使能再次变为高电平。当输出控制输入为高电平时，无论其他输入信号和存储元件的状态如何，所有输出都进入高阻态。

Harris Corporation的HI-5040系列CMOS模拟开关提供低阻抗开关性能，用于模拟电压高达电源轨道和信号电流高达80mA。

HI-8382和HI-8383是硅门CMOS设备，按照ARINC 429总线规范设计的线路驱动器。它们具有时钟和同步输入，可与数据输入进行AND运算，增强系统性能。输入和同步输入都具有内置的最小2,000V ESD输入保护和TTL和CMOS兼容性。HI-8382的差分输出可通过两个外部电容器独立编程为高速或低速ARINC 429输出的上升和下降时间规范。通过将外部电压应用到VREF输入，还可以调整输出电压摆动。HI-8382的每个差分输出都有37.5欧姆的串联电阻，并带有与每个差分输出的保险丝串联的Zener二极管，以保护ARINC总线免受过压故障的影响。HI-8383与HI-8382相同，只是串联电阻为13欧姆，并且去除了过压保护电路。建议在所有需要将逻辑信号转换为ARINC 429电平的新设计中使用更新的HI-318X和HI-8585 ARINC 429线路驱动器，例如用户ASIC、HI-3282或HI-8282A ARINC 429串行发射机/双接收机、HI-6010 ARINC 429发射机/接收机或HI-8783 ARINC接口设备。Holt产品易于获取。

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该文件介绍了HIT667的特点和特性，它是一种低频功率放大器，与HIT647互补配对。

HJ6668是一种用于通用放大器和开关应用的PNP外延平面晶体管。

HM5118165是Hitachi生产的16M EDO DRAM，采用0.5um CMOS技术，提供50ns/60ns/70ns的访问时间，1024个刷新周期，16ms的刷新时间。

HM62256B系列是Hitachi公司的一款CMOS静态RAM，组织方式为32,768-word × 8-bit，采用0.8 µm Hi-CMOS工艺技术，具有高性能和低功耗特点。该系列产品采用8 × 14 mm TSOP、8 × 13.4 mm TSOP、450 mil SOP、600 mil塑料DIP或300 mil塑料DIP封装，适用于高密度安装。该系列产品具有低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统。

该产品为光学固定衰减器，特点是具有用户友好的推拉机构，衰减保证在宽带1310±30nm和1510-1620nm范围内，最大输入功率200mW

REJ03G0185-0100Z 是一款低漏电、低齐纳阻抗、最大功耗 400 mW 的齐纳二极管，非常适合稳定电源等应用。该产品的齐纳电压范围从 1.88 V 到 38.52 V，可灵活应用。