HNM1288J是韩比特电子生产的一种无挥发性静态随机存储器，采用了1,048,576-bit的静态RAM组织方式，为131,072字节乘以8位。该产品还具有自包含的锂能量源，可提供可靠的非挥发性，并与标准SRAM的无限写入周期和集成控制电路相结合，该电路会不断监视单个5V电源，以检测超出容差的条件。当发生这种情况时，锂能量源会自动切换到维持内存状态，直到Vcc返回有效状态，并且会无条件启用写保护以防止数据错误。此外，该SRAM还会无条件地进行写保护，以防止意外的写入操作。此时，集成能量源会切换到维持内存状态，直到VCC返回有效状态。HMN1288J采用了极低的待机电流CMOS SRAM，并与小型锂电池相结合，可提供无挥发性，而不需要长时间的写入周期和与EEPROM相关的写入周期限制。
