panasonic 2SK0065 (2SK65) Silicon N-Channel Junction FET 说明书 2SK0065 (2SK65) 是三洋电机生产的一款低噪声硅N沟道结型场效应晶体管，用于低频阻抗转换和电容麦克风。
ST BTA/BTB08 and T8 Series 数据手册 BTA/BTB08和T8系列是一种适用于通用交流开关的三极晶体管，可用于静态继电器、加热调节、感应电机起动电路等应用中的开关功能。通过使用内部陶瓷垫，BTA系列提供额定电压隔离引脚，适用于电感负载。
philips BTA208 series C 这份文档介绍了飞利浦半导体的三象限三极晶闸管系列BTA208，适用于静态和动态dV/dt和dI/dt较高的电路。它具有玻璃钝化、高通断能力、重复峰值电压和最大额定RMS电流等特点。
PERFORMANCE P4C150 ULTRA HIGH SPEED 1K X 4 RESETTABLE STATIC CMOS RAM P4C150是一种4096位超高速静态RAM，适用于高速缓存应用。具有清零功能、无需时钟或刷新、等访问和周期时间等特点。可通过单个5V±10%的电源供应工作。具有非常快的存取时间，可大大提高系统运行速度。
panasonic 2SK0198 (2SK198) Silicon N-Channel Junction FET 说明书 2SK0198是松下生产的一款N沟道结型场效应晶体管，具有高互导率和低噪声特性。它采用迷你型封装，可实现小型化和自动插入。
panasonic 2SK0301 (2SK301) Silicon N-Channel Junction FET 说明书 2SK0301 (2SK301) 是松下生产的一款硅N通道结型场效应晶体管，具有低噪声、高增益、高门极至漏极电压 VGDO 等特点。该晶体管主要应用于低频放大和开关电路。
MAXIM MAX4754/MAX4755/MAX4756 说明书 MAX4754/MAX4755/MAX4756是低导通电阻模拟开关，可用于切换音频或数据信号。它们采用+1.8V至+5.5V单电源供电，具有低RON（0.5Ω）音频开关，可处理满摆幅信号。
panasonic 2SK601 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 该文件介绍了2SK601硅N沟道MOS FET的特点和特性，包括低导通电阻、高速开关和可直接由CMOS和TTL驱动等。该产品适用于开关应用，具有小型封装和自动插入功能。
MAXIM MAX481/MAX483/MAX485/MAX487–MAX491/MAX1487 说明书 该文档介绍了MAX481, MAX483, MAX485, MAX487–MAX491, 和MAX1487的特性，包括工作电压、供电电流、数据传输速率等
HP Pavilion Notebook PC User's Guide 本文档是HP Pavilion Notebook PC用户指南，介绍了HP Pavilion Notebook PC的使用方法和注意事项。
SIEMENS HITFET BTS 941 Smart Lowside Power Switch HITFETBTS 941 Smart Lowside Power Switch 是一款逻辑电平输入、具有ESD保护、过温保护、过载保护、短路保护、过压保护、电流限制功能的产品，最大电流可通过外部电阻进行调节。
panasonic 2SK0614 (2SK614) Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK0614是低压小功率N沟道MOSFET，具有低RDS(on)、高开关速度和可以直接由CMOS和TTL驱动的特点。
DIODES SMAJ5.0(C)A - SMAJ170(C)A 数据手册 该文件介绍了SMAJ5.0(C)A - SMAJ170(C)A系列表面贴装瞬态电压抑制器的特点和特性，包括最大耐受电压、峰值脉冲功率耗散、峰值前向浪涌电流等。
Microsemi 1N821UR thru 1N829AUR-1 Data Sheet 1N821UR至1N829AUR-1系列的表面贴装零温度系数参考二极管提供了6.2伏和6.55伏的标称电压和温度系数，最低可达0.0005%/摄氏度，当工作电流为7.5毫安时，电压随温度的变化极小。这些玻璃表面贴装DO-213AA（MELF）参考二极管也可选择性地带有内部冶金键合，通过添加“-1”后缀。这种键合稳定的Zener封装结构也可在JAN、JANTX和JANTXV军规认证中获得。Microsemi还提供多种其他电压高达200伏的Zener参考二极管产品。
