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International IOR Rectifier L-SERIES 说明书

该文档介绍了一种高可靠性、辐射耐受的直流/直流转换器，适用于中等辐射环境，如低地球轨道卫星和发射器。这些转换器具有小尺寸、轻重量、高耐辐射性和抗环境应力等特点。

ST M41T80 SERIAL ACCESS RTC WITH ALARMS 数据手册

M41T80是一款具有闹钟功能的串行访问RTC芯片，工作电压为2.0-5.5V，具有分/百分秒、秒、分、时、日、日期、月份、年份和世纪计数器，支持I2C总线（400KHz），具有可编程闹钟和中断功能，工作电流为200µA，工作温度为-40至85°C。

Lattice MACH 4 CPLD Family 说明书

该文件介绍了MACH 4 CPLD系列高性能E2CMOS®可编程逻辑的特点和特性，包括灵活的架构、高速性能、可编程性等。

ST M48T35 M48T35Y 256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER ® SRAM 数据手册

M48T35, M48T35Y是美国微芯科技公司生产的256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER® SRAM，内置超低功耗SRAM、实时时钟、电源故障控制电路和电池，具备字节宽度RAM一样的时钟访问、BCD编码的年、月、日、日期、小时、分钟和秒、实时时钟的频率测试输出、自动电源故障芯片解除选择和写保护功能，写保护电压为4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V，4.2V ≤ VPFD ≤ 4.5V，内置电池和晶振的CAPHAT DIP封装，SOIC封装提供直接连接SNAPHAT外壳，包含电池和晶振的SNAPHAT®外壳是可替换的，与JEDEC标准的32Kb x8 SRAM兼容。

ST M48T58 M48T58Y5.0V, 64Kbit(8Kbx8) TIMEKEEPER SRAM 数据手册

M48T58 M48T58Y 5.0V, 64 Kbit (8 Kb x 8) TIMEKEEPER® SRAM是东芝公司的一款集成超低功耗SRAM,实时时钟，电源故障控制电路和电池的产品。该产品具有BCD编码的YEAR，MONTH，DAY，DATE，HOURS，MINUTES和SECONDS；频率测试输出用于实时时钟；自动电源故障芯片失选和写保护；写保护电压（VPFD=电源故障失选电压）：- M48T58：VCC=4.75至5.5V 4.5V≤VPFD≤4.75V - M48T58Y：VCC=4.5至5.5V 4.2V≤VPFD≤4.5V。产品采用自含电池和晶体SNAPHAT™DIP封装，包括28针SOIC和SNAPHAT®TOP（需单独订购）。SOIC封装提供直接连接到含有电池和晶体的SNAPHAT外壳的连接，并且兼容JEDEC标准8Kb x 8 SRAM的引脚和功能。

Lattice MACH5 CPLD Family 说明书

MACH 5 CPLD Family Fifth Generation MACH Architecture是Microchip Technology Inc.公司推出的一款高密度、高性能、高集成度的CPLD器件，具有高逻辑密度、高I/O、高性能、灵活的逻辑设计架构、先进的系统集成功能和高性能、高性价比等特点，适用于广泛的应用领域。

SGS-THOMSON M54HC251 M74HC251 8BIT SIPO SHIFT REGISTER 数据手册

M54HC251M74HC251是8位SIPO移位寄存器，工作电压范围为2V-6V，具有高速度性能和低功耗特性。

ST M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories 数据手册

M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories PE4 产品具有高性能、低功耗等特点，主要应用于便携式设备、网络、汽车、工业、消费电子等领域。

ST M59DR032A M59DR032B 32 Mbit (2Mb x16, Dual Bank, Page) Low Voltage Flash Memory 数据手册

该文件介绍了一款名为M59DR032A和M59DR032B的32 Mbit闪存芯片，具有低电压供应、快速编程和抹除、双存储区、块保护/解锁等特点。

MITSUBISHI ELECTRIC M5M51008DFP,VP,RV,KV,KR -55H, -70H 说明书

M5M51008DFP,VP,RV,KV,KR -55H, -70H 1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM是三菱电机生产的一款低功耗静态随机存储器，采用高性能四重多晶硅和双金属CMOS技术制造，具有高密度和低功耗的特点。该器件封装在32针细小外形封装中，是高可靠性和高密度表面贴装器件（SMD）。

MITSUBISHI ELECTRIC M5M5256CP,FP,KP,VP,RV-55LL,-55XL,-70LL,-70XL 说明书

ST M74HC05 HEX INVERTER (OPEN DRAIN) 数据手册

M74HC05是74HC系列的HEX INVERTER (OPEN DRAIN)，工作电压范围是2V到6V，静态电流为1µA，最大工作温度为85°C，最大工作功率为300mW。

SGS-THOMSON M54HCT00 M74HCT00 QUAD 2-INPUT NAND GATE 数据手册

M54HCT00是高速度CMOS四入NAND门，采用硅栅C2MOS技术制造，具有LSTTL的高速度性能和true CMOS的低功耗，内部电路由3级缓冲输出组成，具有高抗干扰性和稳定输出，所有输入端均配有静电放电和瞬态过压保护电路，该集成电路的输入和输出特性完全兼容54/74 LSTTL逻辑系列，M54/74HC器件设计用于直接接口HSC2MOS系统与TTL和NMOS元件。

Melexis MLX10402 说明书

MLX10402是一款小型DC电感电机驱动器，具有电流限制、低功耗、热过载保护和微控制器兼容等特点。

Melexis MLX10407 说明书

MLX10407 5-Channel Gauge Driver with Serial Link是MLX902xx系列传感器的驱动器，能驱动两组360度和三组90度指针表同时工作，并具有自检功能。

TEXAS INSTRUMENTS 7BT2 Series 说明书

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TEXAS INSTRUMENTS SN54HC573A/SN74HC573A 说明书

该数据表提供了SN54HC573A/SN74HC573A 透明D型锁存器的特性参数。该器件具有3-状态输出，专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适合用于实现缓冲寄存器、I/O端口、双向总线驱动器和工作寄存器。

9000 Series/Spartan SIP Reed Relays

该文件介绍了Coto Technology的9007、9081、9081C、9081C1系列SIP Reed继电器的特点特性，包括密封接触、高介电强度、高速度切换、一体式塑料外壳、Form C和可选的线圈抑制二极管等。

C&K 9000 Series 说明书

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PARA LIGHT C/A-1801X 说明书

C/A-1801X是单个数字显示器，有红色、绿色、黄色等颜色可供选择。