INFINEON Wireless Components ASK/FSK Single Conversion Receiver TDA 5211 Version 2.0 说明书 该文件是关于TDA 5211的规格说明
INFINEON BSM 10 GD 120 DN2 说明书 BSM 10 GD 120 DN2是英飞凌的一款功率模块，包括快恢复二极管，封装方式为ECONOPACK 2K，最大电压为1200V，最大电流为15A。
INFINEON IPB60R165CP 说明书 IPB60R165CP CoolMOS® Power Transistor 是一款低RONxQg、低门极电荷、高dv/dt额定值、高峰值电流能力、符合JEDEC1）目标应用的铅免铅镀层、RoHS兼容的产品。
INFINEON IPI90R800C3 说明书 IPI90R800C3 CoolMOS™ Power Transistor是用于Quasi Resonant Flyback / Forward topologies，PC Silverbox和 consumer applications 以及 Industrial SMPS应用的低RONxQg，极端dv/dt额定，高峰电流能力，符合JEDEC1）的目标应用，铅免铅镀层；RoHS兼容，超低门控电荷产品。
INFINEON SPP07N60S5 SPI07N60S5 说明书 SPP07N60S5和SPI07N60S5是Cool MOS™大功率晶体管，其特点是新颖的革命性高压技术，全球最小的RDS(on)在TO-220封装中，超低栅极电荷，周期性雪崩额定，极限dv/dt额定，超低有效电容，改进的传导率。
INFINEON IPI60R250CP 说明书 IPI60R250CP 是 CoolMOSTM 功率晶体管，具有最低的 RONxQg 比值、超低的栅极电荷、极端的 dv/dt 额定值、高峰值电流能力，符合 JEDEC1) 的目标应用要求，并且采用无铅铅镀层，符合 RoHS 标准。
INFINEON SPW11N60CFD 说明书 SPW11N60CFD是一款高压功率晶体管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰值电流能力、固有快速恢复体二极管和极低的反向恢复电荷。
INFINEON IDT05S60C 使用手册 IDT05S60C是第二代thinQ!TM SiC Schottky二极管，采用硅碳化物半导体材料，具有革命性的特点和特性，如开关行为基准、无反向恢复/正向恢复、开关行为不受温度影响、高浪涌电流能力等。适用于快速开关应用，如CCM PFC和电机驱动等。
INFINEON IPA90R800C3 使用手册 IPA90R800C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的RON x Qg 和极端的dv/dt 额定值，以及高峰电流能力。它符合 JEDEC1) 对目标应用的资格，并且不含铅，符合 RoHS 标准。
INFINEON SKW20N60 说明书 SKW20N60是英飞凌的一种600V、20A的IGBT产品，采用NPT技术，具有软、快速恢复的反并联EmCon二极管。与上一代产品相比，其Eoff降低了75%，同时导通损耗也较低。该产品适用于电机控制和逆变器等应用。
INFINEON SPB11N60S5 说明书 SPB11N60S5是一款功率晶体管，其最大电压为600伏，电阻为0.38欧姆，电流为11安培。该产品具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极端dv/dt额定值、超低有效电容和改进的传导率等特点。
MAXIM MAX9921 说明书 MAX9921是TI公司生产的霍尔传感器供电和接口芯片，该芯片可以提供电流、监控电流、滤波电流、输出逻辑电平。此外，该芯片还具有故障诊断和保护功能，能够检测到开路输入、输入短路到电池、输入短路到地等故障条件。
INFINEON IPI90R500C3 说明书 IPI90R500C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的RON x Qg，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，根据JEDEC1)目标应用认证，无铅引线镀锡，RoHS兼容，超低门极电荷。
INFINEON BAW56... 说明书 该文件介绍了2006年1月13日发布的BAW56硅开关二极管的特点和特性。该二极管适用于高速开关应用，具有常用阳极配置。具体型号包括BAW56S、BAW56U、BAW56T和BAW56W。
