STANFORO MICRODECIVES SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 说明书 SPA-1218是斯坦福微设备公司生产的一款1960MHz 1瓦功率放大器。该器件采用高可靠性GaAs HBT技术，具有高线性度性能，最高可达到+48dBm OIP3。SPA-1218采用低成本的表面贴装塑料封装，适用于PCS系统和多载波应用。
SIRENZA SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书 该文档介绍了Sirenza Microdevices公司的SPA-1218功率放大器，该产品具有高线性性能和可靠性，适用于PCS系统和多载波应用。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 说明书(1) SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 是 Stanford Microdevices 公司推出的一款高效率 GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 放大器，采用低成本的表面安装塑料封装。
Type SPA Solid Polymer Aluminum SMT Capacitors 说明书 CDE SPA系列固态聚合物铝电解电容器具有超低ESR，高纹波电流，长寿命，稳定的电阻率和ESR随温度的变化，广泛应用于电脑主板旁路，开关电源输入/输出滤波，电源去耦，高频噪声消除，笔记本电脑LCD显示器，汽车数字设备，便携式电子设备等
Type SPA Solid Polymer Aluminum SMT Capacitor 说明书 该文件介绍了鼎好（CDE）公司的SPA固体聚合物铝贴片电容器的规格和特性。这些电容器具有超低等效串联电阻（ESR）、高纹波电流、长寿命、稳定的阻抗和ESR与温度特性等特点，适用于主板旁路开关、电源输入/输出滤波、电源消耗、高频噪声抑制、笔记本电脑液晶显示屏、汽车数字设备和便携式电子设备等应用。
infineon SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1)(1) SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 是一款新型高压MOS功率晶体管，具有极低的门控电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、极低的有效电容和改进的传导率。
infineon SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1) 该文件介绍了SPP12N50C3、SPB12N50C3、SPI12N50C3和SPA12N50C3四种型号的Cool MOS™功率晶体管的特点，包括新的高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩耐受能力、极端的dv/dt耐受能力、超低有效电容、改进的跨导以及不同封装类型和标记。还列出了各种型号的最大额定值，如连续漏极电流、脉冲漏极电流、雪崩能量等。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书(1)(1) SPA-1318是Stanford Microdevices生产的一款功率放大器，具有高效率、高可靠性和高线性度等特点。
SIRENZA SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书 该文档介绍了Sirenza Microdevices的SPA-1318产品，该产品是一种高效率GaAs HBT放大器，具有高线性性能和可降低功耗的特点。适用于W-CDMA系统和多载波应用。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书(1) SPA-1318 2150 MHz 1 Watt 功率放大器带有有源偏置
RFMD SPA-1426Z 0.7GHz to 2.2GHz 1W InGaP HBT AMPLIFIER 说明书 SPA-1426Z是RFMD公司推出的0.7GHz至2.2GHz 1W InGaP HBT功率放大器,采用InGaP-on-GaAs器件技术和MOCVD工艺制造,具有高线性度、低成本、高可靠性等特点,适合用作宏微基站设备的驱动级或蜂窝小基站设备的最终输出级
infineon SPP15N60C3, SPI15N60C3 Final data SPA15N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 这是一份关于SPP15N60C3, SPI15N60C3 SPA15N60C3的PDF文件，介绍了该产品的特点特性，包括最大电压、导通电阻、额定电流、脉冲电流、冲击能量、冲击电流、门源电压、功耗、工作温度等。
infineon SPP16N50C3, SPB16N50C3 SPI16N50C3, SPA16N50C3 说明书 SPP16N50C3, SPB16N50C3, SPI16N50C3, SPA16N50C3是Cool MOS™功率晶体管，其特点是新革命性的高电压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极端dv/dt额定值、超低有效电容和改进的传导率。
infineon SPP20N60C2, SPB20N60C2 Final data SPA20N60C2 Cool MOS Power Transistor 说明书 本文介绍了鼎好公司生产的SPP20N60C2, SPB20N60C2和SPA20N60C2三种Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新颖的高压技术、全球最佳RDS(on)、超低门电荷、周期雪崩额定、极限dv/dt额定和超低有效电容。
infineon SPP20N60C3, SPB20N60C3 Final data SPI20N60C3, SPA20N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1) 该数据表提供了SPP20N60C3, SPB20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3的规格信息，包括最大电压、电流、频率等参数。
infineon SPP20N60C3, SPB20N60C3 Final data SPI20N60C3, SPA20N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPP20N60C3, SPB20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3是鼎好电子提供的一款高性能功率晶体管产品，该款产品采用了全新的革命性高压技术，具有全球最佳RDS(on)、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰值电流能力、改进的传输特性等特性，适用于各种高压应用场景。
