64Mb: x32 DDR SDRAM,是Micron Technology, Inc. 的产品,具有双向数据存储缓冲器(DQS)、内部管道双倍数据率(DDR)架构、两个数据访问周期、减少输出驱动选项、差分时钟输入(CK和CK#)、命令在每个正向CK边缘输入、DQS边缘对齐与读取数据、中心对齐与写入数据、动态时钟锁定(DLL)以对齐DQ和DQS过渡与CK、四个内部存储器行可同时工作、数据掩码(DM)用于屏蔽写入数据、可编程突发长度:2、4、8或全页、32毫秒、4096个周期的自动刷新(7.8µs/周期)、自动预充电选项、自动刷新和自我刷新模式、可编程输入/输出(SSTL_2兼容)等特点