ST AN1316 数据手册 MDmesh™ 多沟道金属网状场效应晶体管（MOSFET）是 ST 研发的一种高电压功率 MOSFET，采用了新型的垂直沟道结构和 ST 成熟的 Mesh Overlay™ 金属网状布局。采用这种结构的 MOSFET 电阻更低，导通电压更低，耐压能力更强。
ST AN1256 数据手册 该应用笔记介绍了STMicroelectronics的最新产品SD2933，这是一款单端、50 V、300 W、金（Au）金属化的N通道垂直功率MOSFET，设计用于高达150 MHz，具有极高的增益和增强的热封装，非常适合各种应用，包括等离子体生成、激励和FM广播应用。
ST AN1226 数据手册 介绍了RF功率MOSFET器件的两个基本类型DMOS和LDMOS的结构方面，比较了DMOS和LDMOS结构，揭示了RF MOSFET器件技术的基本原理，以及改善其RF性能和可靠性所面临的挑战
ST AN1224 APPLICATION NOTE 数据手册 本应用笔记介绍了一种使用低成本 900 MHz 蜂窝设备作为商用 FM 驱动器的可行性。该设备使用 STMicroelectronics 的产品 SD57045 LDMOS RF 晶体管。LDMOS 技术允许制造高效率和高增益的 FM 发射机放大器。LDMOS 在更高的增益、效率、线性度和偏置简便性方面具有比双极性器件更明显的优势，这可以降低整体系统成本，使其成为要求低成本 RF 功率晶体管解决方案的高容量业务的理想选择。
ST AN1223 APPLICATION NOTE 数据手册 本文档介绍了LDMOS和双极型技术之间的差异，并比较了它们的参数和性能。LDMOS是场效应晶体管 (FET) 的一种，具有双极结晶体管 (BJT) 所不具备的优点，包括热稳定性、频率稳定性、更高的增益、更高的鲁棒性、更低的噪声、更低的反馈电容、更简单的偏置电路、恒定输入阻抗、更好的 IMD 性能、更低的热阻和更好的 AGC 能力。
ST A COST EFFECTIVE ULTRA FAST Ni-Cd BATTERY CHARGER APPLICATION NOTE 这篇应用笔记介绍了一种高效的100kHz转换器，可以在30分钟内给镍镉电池充电。电池充电由低成本微控制器(ST6210)监控，该微控制器可以识别电池电压、监控温度并控制充电。
ST TOPOLOGIES FOR SWITCHED MODE POWER SUPPLIES APPLICATION NOTE 本文介绍了DC-DC转换器的不同拓扑结构, 包括非隔离型的buck, boost, buck-boost拓扑结构, 以及隔离型的buck, boost, buck-boost拓扑结构.
