ANALOG DEVICES SSM2211* 数据手册 SSM2211是一款高性能音频放大器，能够提供1 W RMS的低失真音频功率，连接到桥接连接的8 Ω扬声器负载，（或1.5 W RMS连接到4 Ω负载），它工作在宽温度范围内，并针对单电源电压2.7 V至5.5 V进行指定。 当从电池供电时，它将继续工作至1.75 V，这使得SSM2211成为不受监管的便携式计算机、个人无线通信器、免提电话、扬声器电话、对讲机、音乐玩具和会说话的游戏的最佳选择。
ANALOG DEVICES SSM2250 数据手册 SSM2250是Analog Devices公司生产的低功耗单声道或立体声功放器件，具有1.5W的输出功率和0.2%的失真率，适用于桌面计算机、声卡、耳机、手持游戏机等设备
Altera Corporation EPXA1 I/O Pins version 1.6 I/O 数据手册 EPXA1 I/O Pins version 1.6 是Altera公司发布的一款产品，其特点是具有672-Pin FineLine BGA和484-Pin Fineline BGA两种封装形式，支持DDR_VS0、DDR_VS1等功能。
ANALOG DEVICES SSM2250 数据手册(2) 该文件介绍了Analog Devices的Mono 1.5 W/Stereo 250 mW Power Amplifier SSM2250 Rev. A的特点和特性。该功放适用于台式电脑、声卡、通信耳机等应用，具有单声道1.5 W差分输出或立体声250 mW输出、单电源运行、低功耗等特点。
ANALOG DEVICES SSM2275/SSM2475* 数据手册 SSM2275和SSM2475是双路和四路铁轨到铁轨输出音频放大器，具有比行业标准OP275（Analog Devices推出的第一款Butler Amplifier）更低的生产成本。此低成本放大器还提供单5V电源操作，以及传统的±15V电源。ac性能满足最苛刻的音频应用需求，带宽为8MHz，12V/µs的slew rate和极低的失真。SSM2275和SSM2475是应用于高性能音频放大器以及高级模拟/数字转换器和模拟/混合信号应用的理想选择。
ANALOG DEVICES SSM2301 数据手册 该文件介绍了一种无滤波器高效率单声道1.4W类D音频放大器，具有内置输出级。该放大器在5.0V供电下对8Ω扬声器提供1.4W输出，失真率小于1%，效率达到85%。具有超过98dB的信噪比，可在2.5V至5.0V的单电源操作。具有超低的20nA关机电流和短路和过热保护功能。适用于移动电话、MP3播放器、便携游戏机和教育玩具等应用。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J02F 数据手册 SSM3J02F是TOSHIBA生产的一款高性能场效应晶体管，具有小型封装、低开关阻抗、低门槛电压等特点
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J02T 数据手册 该文档介绍了SSM3J02T型号的场效应晶体管的特点和特性，包括适用于高密度安装的组件封装、低开通电阻、低电压操作等。同时给出了该型号的最大额定值，如漏极-源极电压、栅极-源极电压、漏极电流等。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J09FU 数据手册 该文档介绍了SSM3J09FU型号的特点和特性，包括小封装、低导通电阻和高速开关应用等。
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM3J117TU 数据手册 SSM3J117TU是一款高性能的4V驱动P通道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J13T 数据手册 SSM3J13T是TOSHIBA公司生产的一款P沟道MOS类型的场效应晶体管，具有小封装、低导通电阻、低栅极阈值电压等特点，适用于高频开关应用
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J14T 数据手册 SSM3J14T 是东芝公司生产的一款P沟道MOS型场效应晶体管，适用于功率管理开关DC-DC转换器，具有体积小、开关速度快、低阻抗等特点。
