FAIRCHILD AN-4153 Designing Asymmetric PWM Half-Bridge Converters with a Current Doubler and Synchronous Rectifier using FSFA-Series Fairchild Power Switches (FPS ) 数据手册 本设计手册介绍了使用Fairchild FSFA系列功率开关(FPSTM)构建不对称PWM半桥转换器的设计方法，该转换器使用电流倍增器和同步整流器。
FAIRCHILD AN1026 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT -6 Power MOSFETs 数据手册 本文介绍了如何通过优化设计铜贴，以改善SuperSOTTM-6 Power MOSFET的功率性能。通过使用文中建议的热解决方案，用户可以充分利用Fairchild Semiconductor最新一代Power MOSFET的卓越性能特点，包括极低的导通电阻和改进的结-壳（RθJC）热阻。最终用户可以实现改善器件性能和提高电路板的集成密度。
FAIRCHILD AN-9045 WLCSP Assembly Guidelines 数据手册 该文档介绍了Wafer level chip scale packaging (WLCSP)技术的特点和优势，以及Fairchild Semiconductor WLCSP组件的制造过程优化建议。
FAIRCHILD AN1028 Maximum Power Enhancement Techniques for SOT-223 Power MOSFETs 数据手册 该文件介绍了如何最大化 SOT-223 功率 MOSFET 的功率处理能力。该文件提供了铜安装垫的最佳设计方法，以提高组件性能和电路板封装密度。
FAIRCHILD AN1031 Considerations in Designing the Printed Circuit Boards of Embedded Switching Power Supplies 数据手册 此文档介绍了如何设计印刷电路板(PCB)，以便在开关电源中实现良好的性能。文中介绍了设计的关键规则和要点，以及如何在设计过程中避免常见的错误。
FAIRCHILD AN7004 Power Converter Topology and MOSFET Selection for 48-V Telecom Applications 数据手册 这份应用笔记提供了有关如何在48V电源转换器中选择主回路MOSFET的信息。介绍了不同类型的48V电源转换器的基本拓扑结构，并提供了选择FET的详细指南。
FAIRCHILD AN-9034 Power MOSFET Avalanche Guideline 数据手册 本文介绍了功率MOSFET作为开关器件在开关电源和DC-DC转换器中的应用。它们的操作频率不断增加，以减小尺寸，增加功率密度。这导致高di/dt，并加剧寄生电感的负面影响，在器件关断期间导致功率MOSFET漏极和源极之间的高电压尖峰。幸运的是，功率MOSFET配备了一定程度的耐压能力，不需要昂贵的保护电路。
FAIRCHILD A New PSPICE Electro-Thermal Subcircuit For Power MOSFETs 数据手册(1) 本文档描述了一种自加热 SPICE MOSFET 模型，该模型能够准确地描述垂直 DMOS 功率 MOSFET 的电气和热响应。该宏模型实现是 MOSFET 建模多年发展的成果。这种新的版本汇集了 VDMOS MOSFET 的热模型和电气模型。现有的电气模型 [2,3] 具有高度的准确性，并得到了业界的认可。本文描述了使用参数数据进行模型校准过程的顺序。新的自加热 MOSFET 模型的模拟响应跟踪动态热响应，并且独立于 SPICE 的全球温度定义。
FAIRCHILD A New PSPICE Electro-Thermal Subcircuit For Power MOSFETs 数据手册(1) 本文件介绍了一种精确描绘垂直DMOS功率MOSFET的热和电气特性的经验自加热SPICE MOSFET模型。
FAIRCHILD Guidelines for Using Fairchilds Power56 数据手册 该手册介绍了Power56 MOSFET的使用方法，包括安装技术和电路设计，该MOSFET具有小型化、高性能、低功耗的特点
FAIRCHILD GreenBridge to Replace Conventional Diode Bridge in Power Over Ethernet Applications 数据手册 Fairchild 的 GreenBridge 解决方案可在 PoE 系统中降低桥接电路的功耗，从而获得高效且经济的 PoE 系统。
FAIRCHILD Assembly Guidelines for MicroFET 1.6x1.6mm Packaging 数据手册 该应用笔记介绍了MicroFET 1.6x1.6的封装技术，包括MLP技术、封装设计、安装工艺等
FAIRCHILD Assembly Guidelines for Asymmetric Dual Power33 Packaging 数据手册 该文件介绍了Fairchild Dual Power33封装的装配指南，该封装采用Molded Leadless Packaging（MLP）技术，具有低封装高度和出色的热性能，带有大型热垫，可直接焊接到印刷电路板（PWB）上。
FAIRCHILD Using Fairchild Semiconductor Dual Cool MOSFETs 数据手册 介绍了Fairchild Semiconductor Dual CoolTM MOSFETs的包装结构，热管理特性，以及使用散热器的应用实例。
FAIRCHILD Single Channel MicroFET 3x2 Power MOSFET Recommended Land Pattern and Thermal Performance 数据手册 这份应用说明介绍了Fairchild MicroFET™ 3x2封装的引脚排列、安装布局和热性能。
FAIRCHILD BSV52 NPN Switching Transistor 数据手册 该文件介绍了NPN开关晶体管BSV52的绝对最大额定值和热特性。该器件设计用于在集电极电流为10mA至100mA时进行高速饱和开关。具有12V的集电极-发射极电压，20V的集电极-基极电压和5.0V的发射极-基极电压。最大集电极电流为200mA。工作温度范围为-55到+150°C。
FAIRCHILD BSS64 NPN General Purpose Amplifier 数据手册 BSS64是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款NPN通用放大器，其特点是最大集电极-发射极电压为80V，最大集电极-基极电压为120V，最大发射极-基极电压为5.0V，最大集电流为200mA，工作温度范围为-55到+150度C。
FAIRCHILD BSS63 PNP General Purpose Amplifier 数据手册 这是关于Fairchild BSS63 PNP General Purpose Amplifier的数据手册，它具有高电压的放大和开关应用。
FAIRCHILD BSR18A PNP General Purpose Amplifier 数据手册 BSR18A是FAIRCHILD公司生产的PNP型通用放大器，最大集电极-发射极电压40V，集电极-发射极击穿电压40V，集电极-基极击穿电压40V，发射极-基极电压5.0V，最大集电流200mA，最大功耗350mW。
