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lnternational IOR Rectifier IR2117 数据手册

IR2117是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术可实现坚固的单片式构造。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲器阶段，设计用于最小交叉导通。浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，在高侧或低侧配置中，工作电压可达600伏。

lnternational IOR Rectifier IR2117(S)/IR2118(S) & (PbF) 数据手册

IR2117/IR2118(S)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有浮动通道、宽电压范围的门极驱动电源、欠压锁定等特点。

International Rectifier IR2118 数据手册

IR2118是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术可实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，以实现最小的交叉导通。浮动通道可用于在高侧或低侧配置中驱动N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏。

International Rectifier IR2117/IR2118 (S) 数据手册

IR2117/IR2118(S)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。它具有浮动通道设计，适用于引导操作，工作电压可达到+600V，抗负压瞬变，具有10到20V的门极驱动电源范围，具有欠压锁定、CMOS斯密特触发输入和输出与输入同相或反相等特点。

International Rectifier IR2121 数据手册

IR2121是一款高性能的功率MOSFET和IGBT驱动器，具有过电流限制保护电路。

International Rectifier IR2125 数据手册

IR2125是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有过流限制保护电路。它具有浮动通道，适用于引导电路操作，并且完全适用于+500V电压。它还具有负向瞬变电压容忍和dV/dt免疫特性。该驱动器具有12至18V的门极驱动电源范围，欠压锁定功能，以及用于限制驱动功率晶体管电流的电流检测和限制回路。故障情况下的错误引导指示故障条件并编程关机时间。输出与输入同相。

International Rectifier IR2125(S) 数据手册

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International Rectifier IR2125Z 数据手册

IR2125Z是IR公司生产的一款高压高频功率MOSFET和IGBT驱动器，具有过电流限制保护电路。该产品具有以下特点：浮动通道设计，可实现引导操作；完全可操作至+400V；耐负瞬态电压；dV/dt免疫；门驱动电源范围为12至18V；欠压锁定；电流检测和限制环路可限制驱动功率晶体管的电流；故障指示引脚指示故障条件并编程关断时间；输出与输入同相。

International Rectifier IR2127 数据手册

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International Rectifier IR2127(S) / IR2128(S) / IR21271(S) 数据手册

该文件介绍了IR2127/IR2128/IR21271(S)高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的特点和特性。该驱动器具有浮动通道，适用于引导操作，完全适用于+600V，对负传输电压具有抗扰动能力。具有应用特定的门极驱动范围，适用于电机驱动和汽车应用。支持欠压锁存功能，兼容3.3V、5V和15V输入逻辑，故障引线指示发生了关机。输出与输入同相（IR2127/IR21271），输出与输入反相（IR2128）。具有电流感应和单通道驱动特性。

International Rectifier IR2128 数据手册

IR2128是一款高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器。其具有浮动通道、耐负向瞬态电压、10至20V的门源电压范围、欠压锁定和5V施密特触发输入逻辑等特点。IR2128适用于驱动高侧或低侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。

International Rectifier IR2130/IR2132(J)(S) & (PbF) 数据手册

IR2130/IR2132(J)(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC技术实现了坚固的单片式构造。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，可降低至2.5V逻辑。通过外部电流检测电阻，地参考运算放大器提供桥电流的模拟反馈。从此电阻中还派生出一个终止所有六个输出的电流跳闸功能。开漏故障信号指示是否发生了过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲阶段，专为最小化驱动器交叉导通而设计。传播延迟匹配，简化在高频率下使用。浮动通道设计用于自举操作，完全可操作到+600V，耐受负瞬态电压，dv/dt免疫。门驱动电源范围为10至20V。所有通道均具有欠压锁定功能。过流关断可关闭所有六个驱动器。独立的半桥驱动器。所有通道都具有匹配的传播延迟。与输入相位相反的输出。交叉导通防止逻辑。可提供无铅版本。

International Rectifier IR2130D 数据手册

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International Rectifier IR2130/IR2132 (J)(S) 数据手册

IR2130/IR2132(J)(S) 是一款高压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术可实现坚固的单片式结构。逻辑输入兼容 CMOS 或 LSTTL 输出，可降至 2.5V 逻辑。一个接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥接电流的模拟反馈。电流跳闸功能也来自该电阻，可终止所有六个输出。打开的漏极故障信号指示是否发生了过流或欠压关断。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉导通。

International Rectifier IR2130/IR2132 (J)(S) 数据手册(1)

IR2130/IR2132(J)(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的HVIC技术可实现坚固的单片式构造。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，可降至2.5V逻辑。通过外部电流检测电阻，一个接地参考运算放大器提供桥电流的模拟反馈。该电阻还衍生出一个终止所有六个输出的电流跳闸功能。一个开漏故障信号指示是否发生了过电流或欠压关断。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，以最小化驱动器交叉导通。

International Rectifier IR2131 数据手册

该数据手册提供了IR2131的详细信息，它是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。该器件采用专有的HVIC技术，具有坚固的单片集成结构。逻辑输入与5V CMOS或LSTTL输出兼容。外部电流检测电阻可以产生一个终止所有六个输出的电流跳闸功能。还提供了一个自定义关断功能的关断输入。还提供了一个开漏故障信号，以指示发生了任何关断。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉导通。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，这些MOSFET或IGBT的操作电压可达600伏。

International Rectifier IR2131(J)(S) 数据手册

IR2131(J)(S)是IR公司推出的一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC技术使其具有坚固的单片集成电路结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，可支持2.5V逻辑。外部电流检测电阻可以产生一个终止所有六个输出的过流跳闸功能。为定制关断功能提供了关断输入。提供一个开漏故障信号，以指示任何关断已发生。输出驱动器具有专门设计的用于最小化驱动器交叉导通的高脉冲电流缓冲级。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏。

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