lnternational IOR Rectifier IR2108(4) (S) 数据手册 IR2108(4)(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术可实现坚固的单片构造。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可降至3.3V逻辑。输出驱动器具有低驱动器电流，可实现快速翻转和低电压关断。
lnternational IOR Rectifier IR2109(4) (S)HALF-BRIDGE DRIVER 数据手册 该文件介绍了一种典型的半桥驱动器，具有浮动通道、正负偏移电源、低电流上升速率、防止交叉导通等特点。
lnternational IOR Rectifier IR2106(4)(S)HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册 IR21093是IR公司推出的一款高压高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有浮动通道设计，可用于开关电源、逆变器和其他应用中。
lnternational IOR Rectifier IR2301(S) & (PbF) HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册 IR2301(S)是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高压和低压参考输出通道。专有的HVIC和latch immune CMOS技术使坚固的单片构造成为可能。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可降至3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，可实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT，该配置可运行至600伏。
lnternational IOR Rectifier IR210SG12HCB 数据手册(1) IR210SG12HCB 是国际整流器公司生产的210 平方毫米的晶闸管，该晶闸管额定反向击穿电压为1200V，最大导通电压为1.5V，最大触发电流为60 mA，最大触发电压为1.9V，最大保持电流范围为10至125 mA，最大锁存电流为200 mA。
lnternational IOR Rectifier IR210SG12HCB 数据手册(1) 该文件介绍了IR210SG12HCB型号的主要特点和特性，包括最大导通电压、反向击穿电压、触发所需的最大DC门电流和最大DC门电压等。还包括了产品的机械特性和尺寸等信息。
lnternational IOR Rectifier IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册 IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧输出通道。该产品具有浮动通道，可以用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，工作电压可达500或600伏特。具有多种特性，例如浮动通道设计用于引导操作、逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容、具有匹配的传播延迟等。
lnternational IOR Rectifier IR2110L4 HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册(1) IR2110E4是IR公司生产的一款高低侧驱动器，工作电压范围为10-20V，输出电压范围为10-20V，输出电流为+/-2A/2A，延迟匹配为10ns。
lnternational IOR Rectifier IR2110L4 HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册(1) IR2110L4是IR公司生产的一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低侧参考输出通道。
lnternational IOR Rectifier IR2110L4 HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册(2) IR2110L4 是一款高电压、高速度功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，专为最小化驱动器交叉导通而设计。传播延迟匹配以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于在高侧配置中驱动 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT，该配置可运行至 400 伏。
international IOR rectifier IR2110E6 HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册 该数据表描述了IR2110E6高低侧驱动器的特性。该驱动器支持+600V的浮动通道设计，能够在负瞬态电压下正常工作，并且具有dV/dt免疫功能。其门极驱动电源范围为10至20V，具有欠压锁定功能。逻辑电源范围为5至20V，逻辑和电源地之间的电压偏差为±5V。该驱动器具有CMOS Schmitt触发输入和下拉电阻，具有逐周期边沿触发关断逻辑，并且两个通道之间的传播延迟相匹配，输出与输入同步。
international IOR rectifier IR2110L6 HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册 IR2110L6是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。它采用专有的HVIC和抗锁存CMOS技术，具有坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉导通。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏特。
international IOR rectifier IR2111 HALF-BRIDGE DRIVER 数据手册 IR2111是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，带有依赖于高侧和低侧参考输出通道的半桥应用设计。
international IOR rectifier IR2111(S) & (PbF) 数据手册 IR2111(S)是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖高、低侧参考输出通道，专为半桥应用而设计。
international IOR rectifier IR2112(S) & (PbF) 数据手册 IR2112是IR公司出品的一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低侧参考输出通道。
international IOR rectifier IR2112(S) 数据手册 IR2112(S)是高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和自锁电容MOS技术能够实现坚固的单片构造。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，电压可降至3.3V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计，可降低驱动器交叉导通。
international IOR rectifier IR2112(S) 数据手册 IR2112(S)是一款高压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术可实现坚固的单片构造。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲阶段，设计用于最小化驱动器交叉导通。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N通道功率MOSFET或IGBT，该配置可工作至600伏。
international IOR rectifier IR2112 HIGH AND LOW SIDE DRIVER 数据手册 IR2112是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧输出通道。其特点包括浮动通道设计、全面工作电压至+600V、负向瞬态电压耐受、门极驱动电压范围为10至20V、低电压锁定以及匹配的传播延迟等。
