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Infineon BAT 60A 数据手册

BAT 60A是一款硅肖特基二极管，具有极低的VF下降。它适用于电源、低压应用的钳位和保护，以及检测和升压转换。

BAT 62 是一款低势垒二极管，用于高达 GHz 频率的探测器。

BAT 62-02W是一款低功耗二极管，可用于检测高达GHz的频率。

BAT 62-03W是低功耗肖特基二极管，工作电压可达40V，最大电流可达40mA，封装类型为SOD-323。

该文件介绍了BAT 62-07W硅肖特基二极管的特点和特性，包括低阻障二极管适用于高达GHz频率的探测器，最大允许工作温度和最大电压等。

本文档介绍了具有低阻抗的二极管，适用于高达GHz频率的探测器。该产品具有40V的反向电压和2mA的正向电流。此外，文档还提供了器件的引脚配置和封装信息。

BAT 63-07W 是一款硅肖特基二极管，其最大反向电压为 3 V，最大正向电流为 100 mA。该二极管适用于高频检测应用和高速度开关应用。

BAT 64系列是一系列硅肖特基二极管，用于低损耗、快速恢复、电表保护、偏置隔离和钳位应用。这些二极管具有集成的扩散保护环和低正向电压。

BAT 64-07是BAT公司的一款肖特基二极管，它具有低损耗、快速恢复、电表保护、偏置隔离和钳位应用等特点，其反向电压为40V，平均正向电流为120mA，浪涌正向电流为800mA，总功耗为250mW，结温为150°C，存储温度为-55~150°C。

BAT 66-05 是 BAT 公司的一款肖特基二极管，它的最大反向电压为 40 V，最大正向电流为 2 A，最大功率耗散为 1.2 W。BAT 66-05 的封装类型为 SOT-223，可以应用于低损耗、快速恢复整流、电表保护、偏置隔离和钳位等场合。

本文介绍了BAT 68系列硅肖特基二极管的特点和特性，主要应用于VHF / UHF范围的混频器和高速开关应用。

BAT 68-08S是一种硅肖特基二极管阵列，适用于VHF / UHF范围内的混频器应用和高速开关应用。它具有8V的击穿电压，最大130mA的正向电流，最大150℃的结温，以及10Ω的正向电阻。

该文档介绍了BAT 68W硅肖特基二极管的特点和特性，主要用于VHF / UHF范围的混频器应用和高速开关应用。

BAT1000是1A的表面贴装肖特基二极管，其特点是低压降和高导电性，适用于DC-DC转换器、PCMCIA和移动通信应用中。

本文介绍了一种半导体器件——双Schottky二极管BAT 114-099。该器件具有高障碍二极管特性，适用于平衡混频器、相位检测器和调制器等应用。

BAT 114-099R 是半导体公司生产的一种硅肖特基二极管，其最大额定值为 IF = 90 mA，工作温度范围为 -55 至 +150 °C，存储温度范围为 -55 至 +150 °C，功耗为 100 mW。该二极管具有高阻断电压，适用于双平衡混频器、相位检测器和调制器。

BAT120系列肖特基二极管具有低开关损耗、吸收很高的浪涌电流、快速恢复时间、带有保护环的塑料SMD封装等特点，可应用于低功率开关电源、整流、极性保护等场合。

BAT14-03W 是DBS混合器应用的低噪声和低门限型硅肖特基二极管,最大反向电压为4V,最大工作温度为150°C。

本文件为BAT140系列肖特基二极管的产品手册，介绍了该系列产品的特点特性，包括低切换损耗、能够吸收极高浪涌电流、快速恢复时间、塑料SMD封装等。适用于低功率开关电源、整流、极性保护等应用。

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