VISHAY BF966S N–Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 数据手册 这是一份关于BF966S的数据手册，介绍了该产品的特点特性，包括应用场景、绝对最大额定值、最大热阻、电气直流特性等
VISHAY BF970 Silicon PNP Planar RF Transistor 数据手册 BF970是一款硅PNP平面射频晶体管，具有高增益和低噪声特性，适用于UHF振荡器和混频器级。最大电压、电流和功耗等参数已给出。
VISHAY BF979 Silicon PNP Planar RF Transistor 数据手册 BF979 是 Vishay Telefunken 生产的一款硅 PNP 平面 RF 晶体管，具有高交叉调制性能、高功率增益、低噪声和高反向衰减等特点。
National Semiconductor ADC08131/ADC08134/ADC08138 8-Bit High-Speed Serial I/O A/D Converters with Multiplexer Options, Voltage Reference, and Track/Hold Function 数据手册 ADC08131/ADC08134/ADC08138 8位高精度模数转换器，具有串行I/O和配置输入多路复用器，带电压参考和跟踪/保持功能。
SIEMENS Silicon N Channel MOSFET Triode BF 987 数据手册 该文件介绍了BF 987 G型号的硅N沟道MOSFET三极管，适用于高频级别高达300 MHz的应用，特别适用于FM应用。它具有高过载能力。
VISHAY BF988 N–Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 数据手册 BF988是Vishay Telefunken生产的N通道双门MOS场效应四极管，属于耗尽模式。该器件具有高交叉调制性能、低噪声、高增益、高AGC范围、低反馈电容和低输入电容等特性。
philips BF989 N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册 BF989 是 Philips 生产的 N 沟道双栅 MOS-FET，具有过度输入电压浪涌保护功能，应用于 UHF 电视调谐器和专业通信设备中。
philips BF990A N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册 BF990A是一种N通道双栅MOS-FET，具有集成的反向二极管来保护免受过高输入电压的冲击。适用于RF应用，如12V供电的电视调谐器和专业通信设备。
VISHAY BF994S N–Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 数据手册 BF994S Vishay Telefunken是德国vishay telefunken公司生产的一款N-通道双门MOS场效应四极管，属于耗尽模式，该产品具有集成门保护二极管、高交叉调制性能、低噪声系数、高AGC范围、低反馈电容、低输入电容等特点，应用于输入和混合器阶段，尤其是vhf电视调谐器。
National Semiconductor ADC081500 High Performance, Low Power, 8-Bit, 1.5 GSPS A/D Converter 数据手册 ADC081500是低功耗、高性能的CMOS模拟-数字转换器，可将信号以8位分辨率采样率高达1.7GSPS。
philips BF992 Silicon N-channel dual gate MOS-FET 数据手册 BF992是Philips生产的一种N沟道双栅MOS-FET，适用于12V供电的VHF电视调谐器和FM调谐器等应用
philips BF991 N-channel dual-gate MOS-FET 数据手册 BF991是飞利浦公司生产的一款N沟道双栅极MOS-FET，其特点是具有过压保护功能，应用于VHF电视调谐器和FM调谐器等设备。
National Semiconductor ADC0816/ADC0817 8-Bit µP Compatible A/D Converters with 16-Channel Multiplexer 数据手册 ADC0816/ADC0817是8位µP兼容的A/D转换器，带有16通道多路复用器
National Semiconductor ADC08161 500 ns A/D Converter with S/H Function and 2.5V Bandgap Reference 数据手册 ADC08161是一款500ns的A/D转换器，具有内部采样保持（S/H）和2.5V基准电压，功耗仅100mW。
National Semiconductor ADC0819 8-Bit Serial I/O A/D Converter with 19-Channel Multiplexer 数据手册 ADC0819 8位串行I/O A/D转换器具有19通道多路复用器
VISHAY BF995 N–Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 数据手册 BF995是一种N通道双栅MOS场效应四极管，具有集成的栅极保护二极管、高交调性能、低噪声系数、高自动增益控制范围和低反馈电容。
SIEMENS Silicon N Channel MOSFET Tetrode BF 996 S 数据手册 这是一款BF996S型号的N通道MOSFET管，具有高导通率和低噪声特征，适用于UHF电视机的输入级
National Semiconductor ADC081S051 Single Channel, 500 kSPS, 8-Bit A/D Converter 数据手册 ADC081S051是一款低功耗、单通道CMOS 8位模数转换器，具有高速串行接口。它在样本速率范围内完全指定为200 kSPS至500 kSPS。该转换器采用逐次逼近寄存器架构，具有内部跟踪和保持电路。输出串行数据为直接二进制，并与多种标准兼容，如SPI™，QSPI™，MICROWIRE和许多常见的DSP串行接口。ADC081S051采用单电源供电，电压范围为+2.7V至+5.25V。使用+3V或+5V供电时，正常功耗分别为2.9 mW和10.5 mW。功耗降低功能可将功耗降低至2.6 µW，使用+5V供电。ADC081S051采用6引脚LLP封装。可在工业温度范围内（-40˚C至+85˚C）保证正常运行。
national semiconductor ADC081S021 Single Channel, 50 to 200 ksps, 8-Bit A/D Converter 说明书 ADC081S021是ADI公司的一款低功耗、单通道CMOS 8位模数转换器，具有高达200ksps的采样率。它采用逐次逼近寄存器架构，内部集成跟踪保持电路，并提供SPI™、QSPI™、MICROWIRE和DSP等标准接口。该器件工作电压范围为+2.7V至+5.25V，典型功耗为1.3 mW（+3.6V）和7.7 mW（+5.25V）。
VISHAY BF996S N–Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 数据手册 该文件介绍了BF996S型号的Vishay Telefunken N-Channel双栅MOS场效应四极管，主要用于UHF调谐器的输入和混频阶段。该产品具有集成的门保护二极管、低噪声系数、低反馈电容、高交叉调制性能、低输入电容和高AGC范围等特点。
