philips PBSS5140V 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS5140V 是飞利浦推出的一款低 VCEsat PNP 晶体管，最大功耗为 300 mW，封装尺寸为 1.6 mm × 1.2 mm × 0.55 mm。该晶体管适用于一般用途开关和静音、LCD 背光、电源线开关电路等应用场景。
philips PBSS5160T 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5160T是一款60V、1A的PNP低VCEsat (BISS)晶体管，具有低饱和电压和高效率等特性，适用于汽车、电信基础设施和工业等领域的功率管理和外围驱动应用。
philips PBSS5230T 30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 该文件介绍了PBSS5230T型号的30V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的特点和特性，包括低饱和压降、高集电流能力、高效率、减少热量生成以及在特定应用中作为MOSFET的经济有效替代品等。
philips PBSS5240T 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5240T 是 Philips Semiconductors 公司的 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 。产品特点是低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、降低热量产生提高了器件的可靠性。可应用于供电线路开关电路、电池管理应用、DC/DC 转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备（电机和灯驱动器）中。
philips PBSS5240V 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS5240V是一款低Vcesat PNP晶体管，具有高电流能力和高效率，可用于电源管理和周边驱动等应用。
philips PBSS5240Y 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS5240Y是PHILIPS生产的一款低Vcesat PNP管，具有低饱和压降、高电流能力、改进的器件可靠性和增强的性能等特点，可应用于电源线开关电路、电池管理应用、DC/DC转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备（电机和灯驱动器）等
philips PBSS5250T 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 该文档介绍了PBSS5250T型号的50V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的特点和特性，包括低饱和压降、高集电流能力、更高的效率、减少热量生成和减少印刷电路板需求等。该晶体管适用于电源管理、外围驱动等应用。
philips PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 该文档是关于PBSS5250X 50V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的数据表。该晶体管具有低饱和压降、高集电流能力、更高的效率、减少热量产生和减少印刷电路板需求等特点。适用于功率管理和外围驱动等应用。
philips PBSS5320T 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5320T是一款20V、3A的PNP低VCEsat(BISS)晶体管，具有低发热率、高效率、高电流等特点。适用于电源管理、低功耗DC/DC转换器、供电线路切换、电池充电器等应用。
philips PBSS5320X 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5320X是飞利浦半导体公司生产的一款PNP低VCEsat（BISS）晶体管，具有SOT89（SC-62）封装，低集电极-发射极饱和电压VCEsat，高集电流能力：IC和ICM，更高效率导致更少的热量产生，降低印刷电路板要求。应用包括电源管理、DC/DC转换器、电源线开关、电池充电器、LCD背光等。
philips PBSS5350D PNP transistor 数据手册 PBSS5350D是飞利浦半导体生产的一种PNP型低Vcesat三极管，具有高电流能力和低Vcesat特性。该产品主要应用于需要高电流和低Vcesat的场合，如汽车、电信和音视频等领域的设备，以及最新的低电压IC应用。
philips PBSS5350S 50 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS5350S是一款50V低Vcesat PNP晶体管，具有高功耗（830mW），超低集电极-发射极饱和电压，3A连续电流，高电流开关，以及由于减小热量产生而提高的器件可靠性。
philips PBSS5350T 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5350T是Philips Semiconductors的一款50V，3A PNP低VCEsat（BISS）晶体管。它具有低发热量，高电流能力，高电流增益和高效率的特点。
philips PBSS5350Z 50 V low VCEsat PNP transistor 数据手册 PBSS5350Z是一款低Vcesat PNP晶体管，具有高集电极电流能力、高集电极电流增益和更高的效率，适用于电源管理、DC/DC转换器、供电线路开关、电池充电器、线性电压调节等应用。
philips PBSS5480X 80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5480X是PHILIPS生产的一款PNP低VCEsat(BISS)晶体管，其特点是高hFE和低VCEsat，高电流集电极电流IC:4A，高效率，发热少。该晶体管可用于中功率外围驱动器(如风扇和电机)、数码相机和手机的闪光灯单元、TFT显示器的逆变应用、LAN和ADSL系统的电源开关、中功率DC-DC转换和电池充电器等。
philips PBSS5520X 20 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5520X 是 Philips Semiconductors 生产的一款 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管，具有高 hFE 和低 VCEsat 的特点。主要应用于中功率外设驱动器 (如风扇和电机)、数码静态相机和手机的闪光灯单元、LAN 和 ADSL 系统的电源开关、中功率 DC-DC 转换、充电器和电源线开关等场景。
philips PBSS5540X 40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 该文档介绍了PBSS5540X型号的40V、5A的PNP低VCEsat (BISS)晶体管的特点和应用领域，以及其在电池管理、DC/DC转换器、闪光灯单元、中功率驱动等方面的应用。
philips PBSS5540Z PNP medium power transistor 数据手册 PBSS5540Z是一款PNP低Vcesat晶体管，封装为SOT223塑料包装。该晶体管具有高电流、低电压和低Vcesat等特性，适用于汽车、电信、音频/视频等领域的电池供电设备，如电机和灯驱动器。
philips PBSS8110D 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS8110D是一种100V、1A的NPN低VCEsat晶体管，具有SOT457（SC-74）塑料封装。
