ADJUSTABLE PRECISION SHUNT REGULATORS AZ431-A AZ431-A系列IC是三端可调电压基准器，具有全操作范围内的热稳定性保证。这些IC具有尖锐的开启特性、低温度系数和低输出阻抗，可在开关电源、充电器和其他可调电压基准器等应用中作为Zener二极管的理想替代品。AZ431-A系列IC是40V电压型号。其输出电压可在VREF（2.5V）和36V之间任意设定。AZ431-A精密基准器提供两种带隙公差：0.4%和0.8%。
Integrated Device Technology, Inc IDT74fst163213 Data Sheet IDT公司的产品特点包括：提供零延迟路径的总线开关，扩展商业温度范围为-40°C至+85°C，低开关导通电阻，TTL兼容的输入和输出电平，ESD保护等。
FAIRCHILD ILC5061 数据手册 ILC5061是一款由Fairchild制造的3引脚SOT-23或SC70封装的开漏复位输出器件，具有±1%精确的复位检测，1µA的Iq和2mA的吸收电流能力。
nichicon ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS(1) 该文件介绍了CAT.8100V铝电解电容器RS系列的特点和特性。该系列比VS系列更紧凑、低调。符合RoHS指令。具有较低的漏电流、稳定的低温性能和耐久性。
IMP IMP5121 DATA SHEET IMP5121 是高性能的 SCSI 终端器，它采用低电压 BiCMOS 架构，能够提供比传统无源和有源技术更高的性能。IMP5121 具有 35MHz 的通道带宽，并且每个通道都采用高性能的适应性元件，从而提供最快的响应时间。IMP5121 还消除了早期终端器设计中需要的输出补偿电容。
lnternational IOR Rectifier IRF640S/L 数据手册 IRF640S/L HEXFET® Power MOSFET 是一种低阻抗、快速开关、高耐压、高温的第三代 HEXFET® 器件，可在 150°C 的操作温度下进行动态 dv/dt 评级。该器件采用 D2Pak 封装，具有最大功率能力和最低可能的导通电阻。D2Pak 是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大 HEX-4 尺寸的裸片。
lnfineon BAW56 数据手册 该数据表格主要提供BAW56S的最大额定值，电气特性等信息。BAW56S是安森美半导体生产的一种硅开关二极管，具有高转换速度和双共阳极配置。最大额定值包括反向电压、峰值反向电压、正向电流、冲击正向电流、总功耗、结温和储存温度。电气特性包括击穿电压、反向电流、正向电压等。
SANYO Electronic 2SB1508/2SD2281 数据手册 2SB1508/2SD2281是SANYO制造的一款PNP/NPN晶体管，主要用于中低压大电流开关应用。主要特性包括低发射极-集电极电容、高电流增益、低饱和压降和高功率密度。
Panasonic 2SB942, 2SB942A 说明书 2SB942, 2SB942A是硅PNP结型晶体管，适用于低频功率放大，与2SD1267和2SD1267A互补。具有高前向电流传输比hFE和低集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。带有全封装，可通过一个螺钉安装到散热器上。
intersil FSL9130D, FSL9130R 5A, -100V, 0.680 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs 数据手册 该文件介绍了一系列辐射硬化MOSFET器件，特别适用于商业和军事空间应用。这些器件具有增强的功率MOSFET对单事件效应（SEE）的抗干扰能力，特别是对单事件门极破裂（SEGR）具有较高的免疫力。同时，它们还具有100K RADS的总剂量硬化性能，适用于恶劣的太空环境。这些器件还具有军事应用所需的剂量率和中子容忍度。
