ASI ULBM2T NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 说明书 该文件是关于ASI ULBM2T的技术数据表，介绍了该产品的特点特性，包括最大额定电流、最大额定电压、最大额定功率等
ASI ULBM2 数据手册 这是一份关于ASI ULBM2的英文数据表，介绍了该产品的特点特性，包括BVCEO、BVCES、BVCBO、VEBO、ICBO、hFE、Cob、PG、ηηC、IC、VCBO、VCEO、VCES、VEBO、PDISS、TJ、TSTG、θθJC等。
ASI UML1SL 数据手册 ASI UML1SL 是 Advanced Semiconductor Inc. 生产的一款 NPN 硅 RF 功率晶体管。其最大电流为 2.0 A，最大集电极-发射极反向电压为 45 V，最大发射极-集电极反向电压为 25 V，最大发射极-基极反向电压为 3.5 V。
ASI VFT45-28 数据手册 VFT80-28是N通道增强模式VHF功率MOSFET，设计用于175 MHz以下的通用B类功率放大应用。该器件具有PG = 10 dB典型值和30:1负载VSWR能力。
ASI VFT150-28 数据手册 VFT150-28是一款N通道增强型VHF功率MOSFET，额定电流为16A，额定电压为65V，额定功率为300W。该器件采用Omnigold™金属化系统，具有10:1负载VSWR能力和10dB典型增益。
ASI UML25F 数据手册 这是一款由A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.生产的UML25F功率晶体管的数据表。该晶体管具有65 V的BVCBO、65 V的BVCES、35 V的BVCEO、4.0 V的BVEBO、1.0 mA的ICBO、5.0的hFE、30 pF的Cob、10的PG和60 dB的ηηD。
ASI UML5 数据手册 ASI UML5是设计用于高频电源应用的NPN硅功率晶体管。它具有Omnigold™金属化系统，最大电流为10 A，最大电压为60 V和35 V，最大功率损耗为140 W，结温范围为-65°C至+200°C。
