Agilent The measurement of moisture content in mineral ore samples 说明书 本文介绍了用近红外漫反射光谱法测量矿石样品中含水量的方法。研究发现，样品吸收的水量与1900 nm处的非键合-OH基团呈线性关系，而1400 nm和2200 nm处的-OH基团没有明显的趋势。这项研究对于开发提取、分析和加工油页岩的可行方法具有重要意义。
Agilent Obtaining optimum performance when using the SIPS accessory 说明书 该文件介绍了SIPS附件的特点和性能，以及使用该附件时需要注意的事项。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR FMB075 数据手册 该文件是关于Advanced Semiconductor Inc.（高级半导体公司）的产品规格。文档中介绍了NPN硅射频功率晶体管FMB075的特点和特性。
Agilent Determination of mercury in blood and urine by Cold Vapor AAS using the VGA-77 说明书 该文件介绍了使用VGA 77进行血液和尿液中汞的冷蒸汽原子吸收光谱（AAS）测定的方法。数据展示了VGA 77在这些溶液中测定汞的性能。根据接触到的汞类物质，可能会出现各种临床表现的汞中毒。吸入元素汞会导致肺部、中枢神经系统和肾脏损伤。中枢神经系统损伤会产生一系列行为和神经功能缺陷。摄入无机汞可能会由于其腐蚀性质而产生严重的胃肠道损伤，这比汞暴露更具有临床意义。一旦吸收，无机汞会在肾脏中积聚并可能导致近曲小管坏死。接触甲基汞等有机汞类物质主要产生中枢神经系统效应，通常严重，包括昏迷和死亡。有机汞类物质可以穿过胎盘影响未出生的儿童，导致产后脑瘫。有机汞类物质通常通过无机汞盐的甲基化在食物链中出现。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR FMB175 数据手册 该文件是关于Advanced Semiconductor公司的FMB175 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR的规格说明。该产品具有65V的BVCO、36V的VCEO、4.0V的VEBO和20A的IC等特点。
Agilent Performance of slide-on Attenuated Total Reflectance accessories - FT-IR Microscopy 说明书 该文件介绍了全反射微弱光谱分析技术(ATR)的原理和应用。ATR技术通过将样品直接与具有比样品折射率高得多的晶体接触，实现光的全内反射，从而简化了样品制备过程。本文通过对涂覆阿司匹林样品进行多次光谱收集，证明了ATR技术的可重复性和晶体对样品的无破坏性。
Agilent Flame AAS Sensitivity Enhancement Using an Atom Concentrator Tube Application Note 说明书 论文介绍了一种使用带槽管的火焰原子吸收光谱法检测有机溶液中元素的方法，该方法可以增强灵敏度和检测极限。
Agilent Sensitivity enhancement for flame atomic absorption spectrometry using an atom concentrator tube, the ACT-80 说明书 本文介绍了一种简单的附件，用于增强火焰原子吸收光谱法（FAAS）的灵敏度，并附有一些性能结果和实际应用。同时还对历史回顾进行了介绍。
Agilent Determination of low levels of arsenic using flame AAS and UltrAA lamps 说明书 该产品可以快速检测矿石中的砷含量，该技术通过使用Agilent UltrAA 灯实现，使砷可以与高含量的其他基础金属一起通过火焰进行检测，无需单独提取砷或使用不同的检测技术。
Winbond WMS7120 / 7121 PRELIMINARY DATASHEET 该文件是关于WMS7120 / 7121非易失性数字电位器的数据手册，该电位器具有Up / Down (3-wire)接口，10KOhm，50KOhm，100KOhm阻抗和64个触点，带/不带输出缓冲器。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF5-12S 数据手册 HF5-12S是ASI公司生产的一款NPN硅RF功率晶体管，具有PG = 20 dB min. at 5 W/30 MHz和IMD3 = -30 dBc max. at 5 W(PEP)等特点
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF10-12F 数据手册 ASI HF10-12F是NPN硅RF功率晶体管，最大电流为4.5 A，最大电压为36 V和18 V，最大功率为80 W。它具有20 dB min. at 10 W/30 MHz的PG和-30 dBc max. at 10 W(PEP)的IMD3。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF8-28F 数据手册 ASI HF8-28F 是一款 NPN 硅射频功率晶体管，其特点是： PG 为 21 dB 最小，在 8 W/30 MHz，IMD3 为 -30 dBc 最大，在 8 W(PEP) 时。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF100-12 数据手册 ASI HF100-12是一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是： * PG=12 dB min. at 100 W/30 MHz。 * IMD3=-30 dBc max. at 100 W(PEP)。 * Omnigold™ Metalization System。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF50-12S 数据手册 该文档介绍了ASI HF50-12S型号的NPN硅射频功率晶体管的特点和特性，包括最大额定电流、最大额定电压、最大额定功耗等。
XPiQ 7.5 Watts WR Series DC/DC Converters 该文件介绍了WR系列DC/DC转换器的特点和特性，包括2:1输入范围、1500 VDC隔离、83%的效率、输入π滤波器、完全调节的输出等。
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF50-12F 数据手册 HF50-12F是ASI公司设计的一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是PG = 16 dB min. at 50 W/30 MHz，IMD3 = -30 dBc max. at 30 W(PEP)，并采用了Omnigold™金属化系统
