MOTOROLA Semiconductor MBRD1035CTL 数据手册 B1035CL是施耐德电气公司生产的一种二极管，采用金属与硅的肖特基势垒原理制造，具有非常稳定的氧化钝化结、高dv/dt能力和非常低的正向压降。
TEXAS INSTRUMENTS SN54HC664, SN54HC665, SN74HC664, SN74HC665 OCTAL BUS TRANSCEIVERS WITH PARITY 数据手册 SN54HC664, SN54HC665, SN74HC664, SN74HC665是德州仪器公司生产的8位总线收发器，具有奇偶校验功能
TEXAS INSTRUMENTS SN74LVC16646 16-BIT BUS TRANSCEIVER AND REGISTER WITH 3-STATE OUTPUTS 数据手册 该文件是SN74LVC16646 16位总线收发器和寄存器的使用手册
TEXAS INSTRUMENTS SN74LVCU04A HEX INVERTER 数据手册 SN74LVCU04A是一款六路非门，工作电压范围为1.65V至3.6V，可接受高达5.5V的电压。该器件具有3.8ns的最大传播延迟，输出电压低于0.8V，输出电压高于2V。SN74LVCU04A采用SOIC-D、SSOP-DB、TVSOP-DGV、SOP-NS和TSSOP-PW封装，可在-40°C至85°C的温度范围内工作。
SAMSUNG ELECTRONICS OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6), OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6), OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6) FLASH MEMORY 数据手册 该文档介绍了三款三星OneNAND闪存产品（1GB、2GB和4GB）的规格信息
FAIRCHILD KSR2005 数据手册 KSR2005是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款PNP型号的晶体管，其特点是具有较高的导通电流和较低的电压，同时还具有较低的功耗和较高的频率，因此广泛应用于开关电路、逆变器、接口电路和驱动电路等领域。
AUK Semiconductor SRC1202K NPN Silicon Transistor 数据手册 SRC1202K is a NPN Silicon Transistor with built-in bias resistors. It is suitable for switching application, interface circuit and driver circuit application.
CATALYST CAT5251 数据手册 CAT5251是四个集成控制逻辑和16字节NVRAM内存的数字可编程电位计（DPPs™）。每个DPP由连接在两个可外部访问的端点之间的一系列电阻元件组成。每个电阻元件之间的接点用CMOS开关连接到拭子输出端。一个单独的8位控制寄存器（WCR）独立控制每个DPP的拭子开关。每个拭子控制寄存器都与四个8位非易失性存储器数据寄存器（DR）相关联，这些数据寄存器用于存储多达四个拭子设置。向拭子控制寄存器或任何非易失性数据寄存器中写入数据时，都会将其内容写入NVRAM内存。
lnternational IOR Rectifier HFA04SD60S 数据手册 该文档介绍了HFA04SD60S超快速软恢复二极管的特点和应用。该二极管具有超快速恢复时间、超柔软恢复、极低IRRm、极低Qrr和保证的雪崩特性。适用于高频功率调节系统中降低损耗和EMI/RFI。适用于自由滑行、飞回、功率转换器、电机驱动和其他需要高速和较低开关损耗的应用。
CALIFORNIA MICRO DEVICES PRC201/211/221 数据手册 该文件介绍了加利福尼亚微器件公司的PRC201/211/221 Tapped Filter产品的特点和特性，包括8个EMI/RFI保护线/包、稳定的电阻-电容网络、无信号延迟、节省板空间和组件成本等。
MCC LLSD101A THRU LLSD101C 数据手册 这是一份关于 LLSD101A THRU LLSD101C Schottky Barrier Switching Diode 产品的特性信息表，包括最大额定值、机械数据、电气特性等
National Semiconductor LM158/LM258/LM358/LM2904 Low Power Dual Operational Amplifiers 数据手册 LM158/LM258/LM358/LM2904是低功耗双运放器件，设计用于单电源供电系统。其特点包括：可在单电源供电系统下工作；输入共模电压范围包括地线；输出电压可以摆动到地线；具有温度补偿的单元增益交叉频率；具有温度补偿的输入偏置电流。
ST STP20NK50Z - STW20NK50Z STB20NK50Z - STB20NK50Z-S N-CHANNEL 500V -0.23Ω- 17A TO-220/D2 PAK/I 2 SPAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET 数据手册 STB20NK50Z/STW20NK50Z是一款500V/17A的N通道MOSFET，具有极低的开关损耗和非常好的dv/dt能力，适用于各种高频开关电源应用。
ST STP6NC80Z - STP6NC80ZFP STB6NC80Z - STB6NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.5Ω - 5.4A TO-220/FP/D²PAK/I²PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET 数据手册 STP6NC80Z/FP是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道MOSFET。它具有800V的最大漏源电压、1.5Ω的典型漏源电阻和5.4A的最大连续漏源电流。该器件采用TO-220/FP/D²PAK/I²PAK封装。
