MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5UM-14A 数据手册 该文档介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5UM-14A的特点和特性,主要用于高速开关应用,如开关电源、DC-DC转换器、电池充电器、打印机电源、复印机、硬盘、软盘、电视、录像机、个人电脑等。
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5SM-18A 数据手册 该文件介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5SM-18A的特点和特性,适用于高速开关用途,如SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、硬盘驱动器、软盘驱动器、电视、录像机、个人电脑等。
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5SM-14A 数据手册 fs5sm-14a是三菱生产的一款nch功率mosfet,具有高开关速度和低导通电阻的特点,应用于smps、dc-dc转换器、电池充电器、打印机、复印机、hdd、fdd、电视、录像机、个人计算机等领域。
MITSUBISHI FS5VS-18A 数据手册 FS5VS-18A是三菱电机生产的一款高压功率MOSFET,其最大电压为900V,最大电流为5A,额定电流为1.5A。该器件采用TO-220封装,适用于SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、HDD、FDD、TV、VCR、个人电脑等应用。
MITSUBISHI FS5VS-14A 数据手册 FS5VS-14A是三菱电机生产的一款Nch功率MOSFET,其最大导通电阻为2.6欧姆,最大电压为700V,最大电流为5A。该器件适用于SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、HDD、FDD、电视、录像机、个人计算机等应用。
三菱电机 FS5UM-18A 说明书 该文档介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5UM-18A高速开关的特点和特性。该产品适用于SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、硬盘驱动器、软盘驱动器、电视、录像机、个人电脑等电源供应。
IXYS IXTQ 75N10P IXTA 75N10P IXTP 75N10P 数据手册 该文件介绍了PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode的特点特性,包括国际标准包装、未钳位感应开关(UIS)额定、低包装电感等
IXYS IXTA 5N50P/IXTP 5N50P/IXTY 5N50P 说明书 5N50P是IXYS公司生产的一款N沟道增强型MOSFET,其特点是国际标准封装,无钳位电感开关(UIS)额定,低封装电感易于驱动和保护,具有易于安装、节省空间和高功率密度等优点。
IXYS IXTA/IXTP 3N120,IXTA/IXTP 3N110 数据手册 IXTA/IXTP 3N120和3N110是IXYS公司的高压功率MOSFET。它们具有国际标准的封装、低RDS(on)、unclamped Inductive load Switching(UIS)额定值和UL 94 V-0 阻燃性等优点。
IXYS IXTA 1N100 IXTP 1N100 说明书 该文件介绍了 IXYS 公司生产的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 产品的特点和特性,包括高电压、低 RDS(on)、坚固的多晶硅栅结构、快速开关时间等。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、飞回式逆变器、直流斩波器、高频匹配等应用。
IXYS IXTQ 180N055T/IXTA 180N055T/IXTP 180N055T 数据手册 该文件介绍了IXYS公司2005年生产的一款N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET产品的特点和特性,包括国际标准封装、无钳位感应开关、低封装电感等。该产品易于安装,节省空间,具有高功率密度。
IXYS IXTQ 110N055P/IXTA 110N055P/IXTP 110N055P 数据手册 本文件为IXTQ 110N055P的datasheet,主要介绍了该产品的最大电压、额定电流、漏极电流、栅极-源极电压、漏极-源极电压、栅极-源极电流、漏极-源极电阻等参数。
IXYS IXTH / IXTM 5N100,IXTH / IXTM 5N100A 数据手册 5N100 和 5N100A 是 IXYS 生产的 N 沟道增强型标准功率 MOSFET,具有国际标准封装、低 RON、高可靠性等特点。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源 (UPS) 和 DC 斩波器等应用。
IXYS IXTH/IXTM 6 N80A 数据手册 ixth/ixtm 6 n80/6 n80a 是 ixys 生产的一款功率 mosfet,具有低 rds(on)、hdmostm 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、低封装电感(<5 nH)等特点