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LINEAR LTC1517-5 数据手册

LTC1517-5是一款微功率充电泵DC/DC转换器，可产生稳定的5V输出。它具有极低的工作电流、低外部元件数量，非常适用于小型、轻负荷的电池供电应用。

national semiconductor MN54ABT646-X REV 0B0 MICROCIRCUIT DATA SHEET OCTAL TRANSCEIVERS AND REGISTERS WITH 3-STATE OUTPUTS 数据手册

ABT646是一种8位数据总线转换芯片，它具有3态输出，可以同时实现寄存器和转换器功能，并可以进行多路复用传输。

MtronPTI M2032, M2033, and M2034 Series 3.2 x 5.0 x 1.3 mm Data sheet

MtronPTI保留在不通知的情况下对所描述的产品和服务进行更改的权利。不承担因使用或应用而产生的任何责任。请访问www.mtronpti.com了解我们的完整产品和详细数据表。联系我们以获得您的应用特定要求：MtronPTI 1-800-762-8800。M2032，M2033和M2034系列3.2 x 5.0 x 1.3 mm HCMOS兼容表面贴装振荡器修订D：1-3-06 ±20 ppm稳定性三态或待机功能适用于WLAN和IEEE802.11应用低功耗应用

ST M27W201 2 Mbit (256Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27W201 2 Mbit (256Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM是飞利浦公司推出的一款低电压EPROM，适用于需要大数据或程序存储的微处理器系统。它以262,144 x 8位组织，工作电压为2.7V，工作温度范围为-40至85°C。

ST M35102 Contactless Memory Chip with 64-bit Unique Serial ID 13.56 MHz, 2048-bit High Endurance EEPROM 数据手册

M35102是一款13.56MHz，2048位高耐久性EEPROM的无线记忆芯片，符合ISO 14443-2 Type-B标准。它具有1792位EEPROM、256位ROM、64位唯一序列号，支持BYTE和PAGE读写，并具有自定时编程周期、自动擦除功能，可实现100,000次擦除/写入，数据可保留40年。

三菱 M2V64S20BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) M2V64S30BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) M2V64S40BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 1048576

该文件介绍了MITSUBISHI ELECTRIC SDRAM的特点和特性，包括各型号的组织结构、工作电压、时钟频率、存取时间等信息。这些产品适用于计算机系统的主存储器或图形存储器。

ST M29F032D 32 Mbit (4Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory 数据手册

M29F032D 32 Mbit 5V Supply Flash Memory 的特点包括供电电压为 VCC = 5V ±10%，读写时间为 70 ns，编程时间为 10µs 每字节，有 64 个 64Kbyte 的存储块，支持擦除暂停和恢复模式、解锁绕过编程命令、临时块解保护模式、通用闪存接口、64 位安全码、低功耗、自动待机以及 100,000 次编程/擦除周期

ST M29F040B 4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory 数据手册

M29F040B是一款4Mbit(512Kb x 8, Uniform Block)单供电闪存芯片，它的特点是单一5V±10%电源电压，读写操作时间快，有8个统一的64 Kbytes存储块，支持编程/擦除控制器，支持擦除暂停/恢复模式，并具有低功耗和100,000次擦写/擦除周期。

ST M28W320ECT M28W320ECB 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 数据手册

M28W320ECT、M28W320ECB为3V供电的32Mbit（2Mb x16、Boot块）Flash存储器。主要特点包括：供应电压为VDD = 2.7V至3.6V核心电源、VDDQ= 1.65V至3.6V的输入/输出、VPP = 12V用于快速编程（可选）、访问时间为70、85、90、100ns、编程时间为10µs（典型值）、双字编程选项、四字编程选项、公共Flash接口、参数块（顶部或底部位置）、主块、所有块在开机时都锁定、可以锁定任意组合的块、WP用于块锁定、128位用户可编程OTP单元、64位唯一设备标识符、自动待机模式、编程和擦除暂停、100,000次编程/擦除周期/块、电子签名（制造商代码：20h、顶部设备代码，M28W320ECT：88BAh、底部设备代码，M28W320ECB：88BBh）等。

RNESAS 3823 GROUP Datasheet

3823组是基于740系列核心技术的8位微控制器，具有LCD驱动控制电路、8通道A/D转换器、串行接口、看门狗定时器、ROM校正功能等附加功能。3823组中各微控制器的内部存储器容量和封装形式有差异。详见“零件编号”部分。

MITSUBISHI 3874 GROUP Datasheet

The 3874 group is the 8-bit microcomputer based on the 740 fam- ily core technology. The 3874 group includes data link layer communication control cir- cuit, A-D converters, D-A converter, automatic data transfer serial I/O, UART, and watchdog timer etc.

MtronPTI M3A & MAH Series Data sheet

MtronPTI保留在不通知的情况下对所描述的产品和服务进行更改的权利。对于使用或应用这些产品或服务所造成的任何责任概不承担。请访问www.mtronpti.com了解我们的完整产品和详细数据表。联系我们以获取您的应用特定需求：MtronPTI 1-800-762-8800。修订：11-21-06 M3A和MAH系列8引脚DIP，5.0或3.3伏特，ACMOS / TTL，时钟振荡器引脚连接。

FUJITSU AMD SPANSION Am41DL32x4G 数据手册

该文件是关于AMD和Fujitsu共同提供的Spansion内存产品的规格说明书，说明书中包含产品的详细信息，包括型号、规格、性能等

ST M5 4/7 4HCT 3 7 3 M5 4/7 4HC T5 33 October 1993 HCT373 NON INVERTING - HCT533 INVERTING OCTAL D-TYPE LATCH WITH 3 STATE OUTPUT 数据手册

M54/74HCT373 和 M54/74HCT533 是高速度 CMOS OCTAL LATCH WITH 3-STATE OUTPUTS，采用硅门 C2MOS 技术制造。这些 IC 在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效 LSTTL 相似的高速度操作。这些 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 LE 输入保持高电平时，Q 输出将精确或反向跟随数据输入。当 LE 被拉低时，Q 输出将精确或反向地锁定在 D 输入数据的逻辑电平。当 OE 输入处于低电平时，八个输出将处于正常逻辑状态 (高或低逻辑电平)，并且当高电平时，输出将处于高阻态。应用设计人员可以选择组合非反相和反相。

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