ST M27C4001 4 Mbit (512Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册 M27C4001是4MbitEPROM，供电电压为5V±10%，读取时延为35ns，低功耗，活动电流30mA，待机电流100µA，编程电压为12.75V±0.25V，编程时间为100µs/word。
ST M27C4002 4 Mbit (256Kb x16) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册 M27C4002是4Mbit的EPROM，提供UV和OTP两种擦除方式。它非常适合需要大程序的微处理器系统，并且组织为262,144个16位字。
ST M27C512 512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册 M27C512 512 Kbit (64K x8) UV EPROM 和 OTP EPROM 的特点总结
ST M29F200T M29F200B 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory 数据手册 M29F200T and M29F200B are 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory. It features fast access time, fast programming time and low power consumption.
ST M29W641DH, M29W641DL M29W641DU 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory 数据手册 M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory产品特点包括电源电压、访问时间、编程时间、存储块、编程/擦除控制器、擦除挂起和恢复模式、解锁旁路编程命令、写保护选项、临时块非保护模式、公共闪存接口、扩展存储块、低功耗消耗和电子签名
samsung SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb F-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 May 2004 数据手册 M366S0924FTS is a 64MB SDRAM unbuffered DIMM based on 128Mb F-die. It supports 62/72-bit non ECC and ECC.
Samsung 512MB, 1GB, 2GB Registered DIMMs Data Sheet 该文档为512MB、1GB、2GB注册DIMMs DDR2 SDRAM DDR2注册DIMM模块240pin注册模块基于512Mb C-die 72位ECC的规格书
International IOR Rectifier L-SERIES 说明书 该文档介绍了一种高可靠性、辐射耐受的直流/直流转换器，适用于中等辐射环境，如低地球轨道卫星和发射器。这些转换器具有小尺寸、轻重量、高耐辐射性和抗环境应力等特点。
ST M41T80 SERIAL ACCESS RTC WITH ALARMS 数据手册 M41T80是一款具有闹钟功能的串行访问RTC芯片，工作电压为2.0-5.5V，具有分/百分秒、秒、分、时、日、日期、月份、年份和世纪计数器，支持I2C总线（400KHz），具有可编程闹钟和中断功能，工作电流为200µA，工作温度为-40至85°C。
ST M48T35 M48T35Y 256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER ® SRAM 数据手册 M48T35, M48T35Y是美国微芯科技公司生产的256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER® SRAM，内置超低功耗SRAM、实时时钟、电源故障控制电路和电池，具备字节宽度RAM一样的时钟访问、BCD编码的年、月、日、日期、小时、分钟和秒、实时时钟的频率测试输出、自动电源故障芯片解除选择和写保护功能，写保护电压为4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V，4.2V ≤ VPFD ≤ 4.5V，内置电池和晶振的CAPHAT DIP封装，SOIC封装提供直接连接SNAPHAT外壳，包含电池和晶振的SNAPHAT®外壳是可替换的，与JEDEC标准的32Kb x8 SRAM兼容。
ST M48T58 M48T58Y5.0V, 64Kbit(8Kbx8) TIMEKEEPER SRAM 数据手册 M48T58 M48T58Y 5.0V, 64 Kbit (8 Kb x 8) TIMEKEEPER® SRAM是东芝公司的一款集成超低功耗SRAM,实时时钟，电源故障控制电路和电池的产品。该产品具有BCD编码的YEAR，MONTH，DAY，DATE，HOURS，MINUTES和SECONDS；频率测试输出用于实时时钟；自动电源故障芯片失选和写保护；写保护电压（VPFD=电源故障失选电压）：- M48T58：VCC=4.75至5.5V 4.5V≤VPFD≤4.75V - M48T58Y：VCC=4.5至5.5V 4.2V≤VPFD≤4.5V。产品采用自含电池和晶体SNAPHAT™DIP封装，包括28针SOIC和SNAPHAT®TOP（需单独订购）。SOIC封装提供直接连接到含有电池和晶体的SNAPHAT外壳的连接，并且兼容JEDEC标准8Kb x 8 SRAM的引脚和功能。
Lattice MACH5 CPLD Family 说明书 MACH 5 CPLD Family Fifth Generation MACH Architecture是Microchip Technology Inc.公司推出的一款高密度、高性能、高集成度的CPLD器件，具有高逻辑密度、高I/O、高性能、灵活的逻辑设计架构、先进的系统集成功能和高性能、高性价比等特点，适用于广泛的应用领域。
SGS-THOMSON M54HC423/423A M74HC423/423A 数据手册 M54HC423/423A和M74HC423/423A是采用硅门C2MOS技术制造的高速CMOS单稳态多谐振器。它们在保持CMOS低功耗的同时实现了与等效LSTTL相似的高速操作。具有两个触发输入，A输入（负边沿）和B输入（正边沿）。这些输入对于上升/下降信号（tr - tf - 1秒）有效。触发后，输出维持单稳态状态，持续时间由外部电阻Rx和电容Cx决定。有两个不同的脉冲宽度常数可用：K ≅ 0.46用于HC423，K ≅ 1用于HC423A。将CLR拉低会中断这种单稳态。如果下一个触发脉冲发生在单稳态
ST M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories 数据手册 M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories PE4 产品具有高性能、低功耗等特点，主要应用于便携式设备、网络、汽车、工业、消费电子等领域。
ST M59DR032A M59DR032B 32 Mbit (2Mb x16, Dual Bank, Page) Low Voltage Flash Memory 数据手册 该文件介绍了一款名为M59DR032A和M59DR032B的32 Mbit闪存芯片，具有低电压供应、快速编程和抹除、双存储区、块保护/解锁等特点。
RENESAS M5M29KE131BVP 说明书 M5M29KE131BVP是Renesas LSIs发布的一款134,217,728-BIT(16,777,216-WORD BY 8-BIT / 8,388,608-WORD BY 16-BIT) CMOS FLASH MEMORY Stacked-uMCP (micro Multi Chip Package)
ST M74HC05 HEX INVERTER (OPEN DRAIN) 数据手册 M74HC05是74HC系列的HEX INVERTER (OPEN DRAIN)，工作电压范围是2V到6V，静态电流为1µA，最大工作温度为85°C，最大工作功率为300mW。
