Kodak Matchprint Inkjet Proofer With Epson Stylus Pro Version 5.1.0 Installation Guide 本文件是Kodak Matchprint Inkjet Proofer With Epson Stylus Pro 5.1.0的使用手册
International IOR Rectifier IRFBC30AS/L 数据手册 IRFBC30AS/L是irf公司生产的一款mosfet，额定电压600v，额定电流3.6a，具有低栅极电荷、高速度开关等特点。
RENESAS SH7040, SH7041, SH7042, SH7043, SH7044, SH7055 Group 32 Hardware Manual 本手册详细介绍了SH7040系列芯片(CPU核为SH-2)的硬件特性及使用方法。
International IOR Rectifier IRFR9N20D/IRFU9N20D 数据手册 这份文件介绍了IRFR9N20D和IRFU9N20D两款SMPS MOSFET HEXFET®功率MOSFET产品的特点和特性。它们具有200V的最大漏极-源极电压、0.38Ω的最大漏电阻和9.4A的最大连续漏极电流。此外，该文件还提供了其他参数和绝对最大额定值。
lnternational IOR Rectifier I R H 7 2 5 0 S E 2 0 0 V , N-CHANNE L 数据手册 该文件介绍了一款辐射硬化功率MOSFET产品的特点和特性，包括单事件效应硬化、超低RDS(on)、低总门电荷、质子耐受性、简单驱动要求、容易并联和密封性好等特点。
lnternational IOR Rectifier IRHE9130 100V, P-CHANNEL 数据手册 该文档介绍了国际整流器(IR)的RAD-HardTM HEXFET® MOSFET技术，该技术提供了用于空间应用的高性能功率MOSFET。这些器件具有低Rdson和低门电荷，可减小开关应用中的功率损耗。此外，它们还保留了MOSFET的所有优点，如电压控制、快速切换、易于并联和电气参数的温度稳定性。
lnternational IOR Rectifier IRHMS57Z60 数据手册 IRF的R5TM技术提供了适用于太空应用的高性能功率MOSFET。这些器件已经经过单事件效应（SEE）的特性化，其有效性能可达到80（MeV/（mg/cm2））的LET。低RDS（on）和低栅电荷的组合减少了在DC到DC转换器和电机控制等开关应用中的功率损耗。这些器件保留了MOSFET的全部优点，如电压控制、快速开关、易于并联和温度稳定性。
lnternational IOR Rectifier IRK. SERIES 数据手册 这份文件介绍了一系列高压功率模块的特点和特性，包括高压电气隔离基板、工业标准封装、简化机械设计、高浪涌能力等。这些模块可以用于电池充电器、焊接设备、电镀设备、电机驱动、UPS等需求高电压和高电流的通用应用。
MITSUBISHI FS16KM-9 Data Sheet 该文件介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS16KM-9高速开关使用的特点。它具有450V的漏源电压、0.45Ω的漏源电阻和16A的漏极电流。该产品适用于SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、硬盘驱动器、软盘驱动器、电视、录像机、个人电脑等电源。
lnternational IOR Rectifier IRK.F112.. SERIES 数据手册 IRK.F112..系列INT-A-pak功率模块具有快速关断晶闸管、快速恢复二极管、高浪涌能力、电隔离基板、3000 VRMS隔离电压、工业标准封装和UL E78996认证等特点，适用于自换向逆变器、DC斩波器、电子焊机、感应加热等需要快速开关特性的应用。
Nikon Scan 4 Reference Manual Nikon Scan 4 Reference Manual, 介绍了Nikon Scan的使用方法, 包括扫描的基本操作、扫描窗口、工具箱、首选项、图像窗口以及扫描索引等
