DYTRAN 3030B51H Data Sheet 该文件介绍了一款型号为3030B5H的MINIATURE SIZE振动加速度计的特点和特性，包括灵敏度、频率响应、时间常数、工作温度等。该产品具有卓越的线性度和密封性能，适用于高温环境下的运行。
FAIRCHILD FDN339AN N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 说明书 FDN339AN N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 生产的具有高性能 trench 技术的 N 沟道 MOSFET，其 on-state 电阻和 gate 电荷都非常低，非常适用于 DC/DC 转换器和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDN340P SingleP-Channel, LogicLevel, PowerTrench MOSFET 说明书 这份文件介绍了一款P-Channel逻辑电平MOSFET的特点和特性。该MOSFET采用了先进的Power Trench工艺，具有低导通电阻和低门极电荷，以实现卓越的开关性能。该器件适用于便携式电子设备应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDN340P 说明书 FND340P是Fairchild Semiconductor公司生产的单P通道，逻辑级，PowerTrench MOSFET。该器件具有非常低的RDS(ON)，低栅极电荷，适用于便携式电子设备的开关和电源管理，电池充电电路和DC/DC转换等应用。
FAIRCHILD FDN340P 说明书 FDN340P 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 P 通道逻辑级 MOSFET，它采用了 Fairchild Semiconductor 先进的 Power Trench 工艺，该工艺经过特别定制，可最大限度地降低开态电阻，同时保持低栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用：负载切换和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
FAIRCHILD FDN342P 说明书 (1) FDN342P是鼎好的一种产品，它是一种高压、低漏电流的N沟道MOSFET。该产品的最大漏源电压为-20伏，最大栅源电压为±12伏，最大漏电流为-2安培。该产品的功耗为0.5瓦，工作温度范围为-55到+150摄氏度。
FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1) FDN352AP是Fairchild Semiconductor生产的一种低压低通道MOSFET，具有极低的导通电阻和高功率处理能力，适用于笔记本电脑电源管理等应用。
FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(1) FDN352AP是Fairchild Semiconductor生产的一种低功耗P沟道逻辑级MOSFET器件。该器件采用先进的PowerTrench工艺，具有极低的导通电阻和低的栅极电荷，适用于电池供电应用。
FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(2) 本文件是关于FDN352AP的技术资料，该产品是一款P通道MOSFET，其特点是R DS(ON)非常低，而且封装采用了SOT-23，适用于低电压和电池供电的应用场景
FAIRCHILD FDN357N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书 FDN357N是Fairchild生产的一种N沟道逻辑级增强模式功率场效应晶体管，它采用业界标准的SOT-23封装，具有优异的热电特性和高密度单元设计，可提供极低的RDS(ON)。
FAIRCHILD FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书 该文档介绍了1998年3月发布的FDN358P P-Channel逻辑电平增强型场效应晶体管的特点和特性，包括其最大耐压、最大功耗、工作温度范围等。
