3 VHB Tapes Technical Data 3M™ VHB™ Tapes是3M公司生产的一款具有优越的粘合性能的泡沫胶带，主要应用于内外饰粘接，可代替铆钉、点焊、液态胶水等固定方式。该产品具有吸能、缓冲、抗应力松弛、耐溶剂和耐湿性等特点。
WBH-818A 微机变压器保护装置 技术说明书 WBH-818A 微机变压器保护装置是一款适用于110kV及其以下电压等级各种接线方式的变压器的后备保护装置。其特点包括逻辑开发可视化、事故分析透明化、工程应用柔性化和人机界面人性化等。
DISCRETE SEMICONDUCTORS BZV90 series DATA SHEET BZV90系列是NXP半导体推出的一款中功率电压调节二极管，该系列产品工作电压范围为2.4至75V，额定功耗为1500mW，可在-400mA至40A的范围内进行连续正向电流调节，并且具有非重复峰值反向电流为40W的特点。
FAIRCHILD FQP10N60C/FQPF10N60C 数据手册 这份文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation公司的FQP10N60C/FQPF10N60C型号的N沟道MOSFET产品。该产品采用先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP10N60C / FQPF10N60C 数据手册 FQP10N60C / FQPF10N60C 是 Fairchild Semiconductor Corporation 的 600V N-Channel MOSFET，具有 9.5A、600V、RDS(on) = 0.73Ω @VGS = 10 V、低门控电荷（典型 44 nC）、低 Crss（典型 18 pF）、快速开关、100% 雪崩测试和改进的 dv/dt 能力。
FAIRCHILD FQP11N40C/FQPF11N40C 数据手册 该产品是一款400V N-Channel MOSFET，其特点包括10.5A、400V、RDS(on)=0.5 Ω @VGS=10V、低门控电荷（典型值为28 nC）、低Crss（典型值为85pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等。
FAIRCHILD FQP11N50CF/FQPF11N50CF 数据手册 FQP11N50CF/FQPF11N50CF是Fairchild生产的一款500V N-Channel MOSFET，具有11A电流、500V电压、0.55Ω导通电阻、43 nC栅极电荷、20pF跨导、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和90ns快恢复体二极管等特性。
FAIRCHILD FQPF11P06 数据手册 FQPF11P06是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种60V P通道MOSFET。该器件适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用，具有低导通电阻、快速开关、100%雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FQPF11P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册 本文介绍了Fairchild公司生产的FQPF11P06型60V P-Channel MOSFET的特点和特性。这款产品采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于低压应用领域，如汽车、DC/DC转换器以及便携式和电池操作产品中的高效率开关电源管理。
FAIRCHILD FQPF12N20 200V N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了鼎好公司的现货库存、技术资料、百科信息和热点资讯。其中提到了QFET产品，QFET可能是产品的型号。
FAIRCHILD FQPF12N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册(1)(1) FQPF12N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、电机控制等领域。
FAIRCHILD FQPF12N60 600V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF12N60是一种高效的开关模式电源供应器，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。
FAIRCHILD FQP12N60C/FQPF12N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP12N60C/FQPF12N60C是Fairchild生产的600V N型MOSFET，具有12A的最大电流、0.65欧姆的导通电阻、21皮法的电容以及48纳安的栅极电荷，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑的电子灯บัลลาสต์等应用
FAIRCHILD FQPF12N60CT 600V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF12N60CT 600V N-Channel MOSFET 是飞利浦半导体公司生产的一种增强型功率场效应晶体管，采用飞利浦公司专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度、100% 雪崩测试和改进的dv/dt 能力等特点。该产品适用于高效开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑结构电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQPF12P10 100V P-Channel MOSFET 数据手册 FQPF12P10是Fairchild生产的一种P通道MOSFET，它具有低门控电荷、低导通电阻、快速开关、100%浪涌测试等特点，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等应用。
