TOSHIBA The new high-performance inverter TOSVERT TM VF-AS1 说明书 本手册介绍了TOSVERT VF-AS1 200V/400V系列变频器的产品特点和使用方法。
松下 Aluminum Electrolytic Capacitors 说明书 该文件介绍了铝电解电容器HB系列的技术规格和特点。产品具有耐高温、耐振动等特性，符合RoHS指令要求。提供了不同尺寸和额定电压的规格参数。
Freescale Semiconductor MMG3003NT1 数据手册 MMG3003NT1是Freescale Semiconductor生产的一款高线性度的放大器，它适用于40-3600MHz范围内的各种应用，如蜂窝网络、PCS、BWA、WLL、PHS、CATV、VHF、UHF、UMTS等。该产品具有单电源供电、内部匹配到50欧姆、低成本SOT-89表面贴装封装等特点。
Freescale Semiconductor MRF1513NT1 数据手册 MRF1513NT1是Freescale Semiconductor生产的RF功率场效应晶体管。该器件具有高增益和宽带性能，适用于12.5伏移动FM设备的大信号、共源放大应用。
Freescale Semiconductor MRFG35003NT1 数据手册 MRFG35003NT1是一款射频功率场效应晶体管，采用了GaAs PHEMT技术，适用于WLL/MMDS/BWA或UMTS驱动应用，频率范围为1.8-3.6GHz。该器件优于同类产品，适用于Class AB线性基站应用。典型的W-CDMA性能是：-42dBc ACPR，3.55GHz，12伏，IDQ = 55 mA，5MHz偏移/3.84MHz BW，64 DPCH（8.5dB P/A @ 0.01%概率），输出功率为300mW，功率增益为11.5dB，效率为25%。
freescale MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1 说明书 MRF5S9101MR1/MBR1是Freescale Semiconductor生产的一款射频功率场效应晶体管，适用于GSM和GSM EDGE基站应用，频率范围为869至960MHz，最大输出功率为100瓦。
freescale MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3 说明书 MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3 是 Freescale Semiconductor 生产的 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs，适用于 CDMA 基站应用，频率范围从 2300 到 2400 MHz，适用于 WiMAX、WiBro 和多载波放大器应用。
freescale MRF18090AR3 RF Power Field Effect Transistor 说明书 MRF18090AR3 RF射频功率场效应晶体管是Freescale Semiconductor（飞思卡尔半导体）的N沟道增强型侧向MOSFET，适用于频率从1800到2000 MHz的GSM和GSM EDGE基站应用。
freescale MRF9060NR1 RF Power Field Effect Transistor 说明书 该数据表格提供了MRF9060NR1 RF功率场效应晶体管的特性参数，如最大额定值、典型参数、温度特性等。该器件适用于26V基站设备的大信号、共源放大器应用。
freescale MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3 说明书 MRFE6S9130HR3 / MRFE6S9130HSR3 是一款射频功率场效应晶体管，适用于 N-CDMA 和 GSM 基站应用，频率范围为 865 至 960 MHz。
