MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR MGF0915A RF TEST DATA for Freq.=1.85-1.95GHz BAND 说明书 该应用笔记展示了MGF0915.A的射频特性数据，包括CW测试、ACLR测试和IMD测试的结果。
MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR MGF0921A RF TEST DATA for Freq.=1.85-1.95GHz BAND 说明书 该文档展示了MGF0921A的射频特性数据，包括频率范围、功率输出、输入功率等参数。
MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR MGF0951P RF TEST DATA for Freq.=1.85-1.95GHz BAND 说明书 本应用说明书介绍了MGF0951P的射频特性数据
MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR MGF0906B RF TEST DATA for Freq.=2.11-2.17GHz BAND 说明书 本应用说明书提供了MGF0906B的射频特性数据。
MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR MGF0907B RF TEST DATA for Freq.=2.11-2.17GHz BAND 说明书 这是一份MITSUBISHI MGF0907B的RF特性数据说明书
MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR MGF0915A RF TEST DATA for Freq.=2.11-2.17GHz BAND 说明书 这是一份关于MGF0915A射频特性数据的应用笔记，包含了该产品的测试条件、测试结果和等效电路。
MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR MGF0921A RF TEST DATA for Freq.=2.11-2.17GHz BAND 说明书 本应用笔记介绍了MGF0921A的射频特性数据
MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR MGF0951P RF TEST DATA for Freq.=2.11-2.17GHz BAND 说明书 本文档展示了MGF0951P的射频特性数据，包括评估条件和结果，频率范围为2.11-2.17GHz。
MITUBISHI LASER DIODES ML101J27 说明书 ML1XX27是三菱电机推出的一款高功率、高效率的AlGaInP半导体激光器，发射波长为658nm，标准脉冲光输出为350mW。该激光器具有实数指数波导，可提高斜率效率（降低工作电流）和焦距距离。此外，ML1XX27还具有窗口镜面切割，可提高最大输出功率。这导致在75°C下实现高可靠性和高功率操作。
MITUBISHI LASER DIODES ML101J26 说明书 ML1XX26是一种高功率、高效的AlGaInP半导体激光器，提供稳定的单横模振荡，发射波长为658nm，标准脉冲光输出功率为300mW。ML1XX26具有实际折射率波导结构，可以提高斜率效率（减少工作电流）和散焦距离。此外，ML1XX26具有窗口-镜面结构，可以提高最大输出功率，在75°C下实现高可靠性和高功率运行。
MITUBISHI LASER DIODES ML101J25 说明书 ML1XX25系列是三菱电机推出的一种高功率、高效率的AlGaInP半导体激光二极管，可提供稳定、单横向模式的658nm发射波长和250mW标准脉冲光输出。ML1XX25具有实心指数波导，可提高斜率效率（降低工作电流）和散光距离。ML1XX25还具有窗口镜面晶面，可提高最大输出功率。这使得该产品可以在75°C高温下实现高度可靠的高功率运行。
MITUBISHI LASER DIODES ML101J24 说明书 ML1XX24系列是三菱电机生产的一款高功率、高效率的AlGaInP半导体激光器，其发射波长为658nm，标准脉冲光输出功率为230mW。ML1XX24采用了实数折射率波导，可改善斜率效率（降低工作电流）和焦距距离。此外，ML1XX24采用了窗口-镜面-晶面，可改善最大输出功率。这使得其在75°C下具有高度可靠性和高功率操作。
